Технічний опис 2N5401 PB FREE Central Semiconductor
Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S, Packaging: Box, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції 2N5401 PB FREE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5401 PBFREE | Central Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pr Amp |
на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
2N5401 PB FREE | Central Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 205 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5401 PBFREE |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pr Amp
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pr Amp
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N5401 PB FREE |
|
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)