2N5401 PBFREE Central Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.16 грн |
| 10+ | 58.67 грн |
| 100+ | 14.88 грн |
| 500+ | 13.35 грн |
| 1000+ | 13.07 грн |
| 2500+ | 11.04 грн |
| 5000+ | 10.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5401 PBFREE Central Semiconductor
Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S, Packaging: Box, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції 2N5401 PBFREE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5401 PB FREE | Виробник : Central Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 2N5401 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |