2N5551 Hottech
Код товару: 193606
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Hottech
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: THT
у наявності 1965 шт:
1454 шт - склад
348 шт - РАДІОМАГ-Київ
88 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 0.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни 2N5551 Hottech
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N5551 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 31024
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A h21: 250 Монтаж: THT |
у наявності: 920 шт
822 шт - склад
98 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
Інші пропозиції 2N5551 за ціною від 0.46 грн до 20.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 14383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk |
на замовлення 12731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
2N5551 Код товару: 175303
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Fair |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||
![]() +1 |
2N5551 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz |
на замовлення 14373 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : GOODWORK |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N5551 | Виробник : SLKOR |
Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLKкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N5551 | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSMкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N5551 | Виробник : FUXINSEMI |
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 TO92 NPN 180V 600mA 625m T2N5551 FUXкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : CDIL |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625/15W Case: TO92 Current gain: 30...250 Mounting: THT Frequency: 100...300MHz |
на замовлення 5625 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : Lumimax Optoelectronic Technology |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 4767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPNPackaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 5039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| 2N5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 180, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 80/125 @ 10 мА, Icutoff-max = 50 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : NXP Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| 2N5551 | Виробник : Rectron |
Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| 2N5551 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 100MHz |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
2N5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| 2N5551 | Виробник : DC Components |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2N5551 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 160V 0.2A TO-92Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
2N5551 | Виробник : Diotec |
NPN, Bipolar, Uce=180V, Ic=600mA, P=625mW, TO92, Ammo Pack Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| 2N5551 | Виробник : UTC |
NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2N5551 | Виробник : ONS/FAI |
NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2N5551 | Виробник : On Semiconductor |
NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2N5551 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C).... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шткількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2N5551 | Виробник : ---- |
NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2N5551 | Виробник : HOTTECH |
NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2N5551 | Виробник : ONS/FAI |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 2N5401 Код товару: 177484
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Diotec
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 400 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 400
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 400 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 400
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.20 грн |
| 1000+ | 0.95 грн |
| 1N4148 Код товару: 176824
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
у наявності: 27024 шт
21762 шт - склад
816 шт - РАДІОМАГ-Київ
276 шт - РАДІОМАГ-Львів
4170 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
816 шт - РАДІОМАГ-Київ
276 шт - РАДІОМАГ-Львів
4170 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 34+ | 0.60 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.28 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 77663 шт
69901 шт - склад
101 шт - РАДІОМАГ-Київ
4869 шт - РАДІОМАГ-Львів
1886 шт - РАДІОМАГ-Харків
906 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
101 шт - РАДІОМАГ-Київ
4869 шт - РАДІОМАГ-Львів
1886 шт - РАДІОМАГ-Харків
906 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 25+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| 2N5401 Код товару: 211236
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JSMSEMI
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 400
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 400
у наявності: 865 шт
654 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
108 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
108 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.20 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| 1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano) Код товару: 11106
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 371 шт
70 шт - РАДІОМАГ-Київ
301 шт - РАДІОМАГ-Харків
301 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
40200 шт
200 шт - очікується
40000 шт - очікується 10.08.2026
40000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
















