2N5551 Hottech
Код товару: 193606
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Hottech
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Монтаж: THT
у наявності: 1487 шт
- 1020 шт - склад
- 340 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 88 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 0.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни 2N5551 Hottech
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N5551 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 31024
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-92 Гранична частота fT: 300 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В Струм колектора Ic, А: 0,6 А Коефіцієнт передачі струму h21: 250 Монтаж: THT |
у наявності: 747 шт
|
|
| 2N5551 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 31024
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 250
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 250
Монтаж: THT
у наявності: 747 шт
- 674 шт - склад
- 73 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 0.99 грн |
Інші пропозиції 2N5551 за ціною від 1.03 грн до 20.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N5551 | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 11190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N5551 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5551 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz |
на замовлення 11189 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
2N5551 | SLKOR |
Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLKкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N5551 | MIC |
NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N5551 | JSMicro Semiconductor |
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSMкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N5551 | FUXINSEMI |
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 TO92 NPN 180V 600mA 625m T2N5551 FUXкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N5551 | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N5551 | CDIL |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625/15W Case: TO92 Current gain: 30...250 Mounting: THT Frequency: 100...300MHz |
на замовлення 4850 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N5551 | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N5551 | Lumimax Optoelectronic Technology |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 4742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N5551 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPNPackaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 4868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N5551 | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N5551 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk |
на замовлення 12731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N5551 | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
2N5551 | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN |
на замовлення 3720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N5551 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N5551 | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5551 | Diotec Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 180, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 80/125 @ 10 мА, Icutoff-max = 50 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 11190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3668+ | 3.83 грн |
| 4121+ | 3.41 грн |
| 4732+ | 2.97 грн |
| 8000+ | 2.49 грн |
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 11189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 9.76 грн |
| 90+ | 4.61 грн |
| 136+ | 3.04 грн |
| 500+ | 2.31 грн |
| 1000+ | 2.06 грн |
| 2000+ | 1.84 грн |
| 4000+ | 1.64 грн |
| 8000+ | 1.47 грн |
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1.03 грн |
| 2N5551 |
![]() |
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 1.20 грн |
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1.26 грн |
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: FUXINSEMI
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 TO92 NPN 180V 600mA 625m T2N5551 FUX
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 TO92 NPN 180V 600mA 625m T2N5551 FUX
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1.51 грн |
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 2.17 грн |
| 8000+ | 1.87 грн |
| 12000+ | 1.75 грн |
| 20000+ | 1.52 грн |
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 2.27 грн |
| 250+ | 1.75 грн |
| 275+ | 1.54 грн |
| 1000+ | 1.41 грн |
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 2.88 грн |
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: Lumimax Optoelectronic Technology
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 6.93 грн |
| 76+ | 3.93 грн |
| 131+ | 2.28 грн |
| 500+ | 1.65 грн |
| 1000+ | 1.34 грн |
| 2000+ | 1.22 грн |
| 3000+ | 1.11 грн |
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 7.70 грн |
| 71+ | 4.22 грн |
| 115+ | 2.59 грн |
| 500+ | 1.74 грн |
| 1000+ | 1.52 грн |
| 2000+ | 1.33 грн |
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 11.55 грн |
| 44+ | 6.82 грн |
| 100+ | 4.20 грн |
| 500+ | 2.86 грн |
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 12731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 700+ | 20.07 грн |
| 719+ | 19.56 грн |
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N5551 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 180, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 80/125 @ 10 мА, Icutoff-max = 50 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 180, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 80/125 @ 10 мА, Icutoff-max = 50 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 2.52 грн |
З цим товаром купують
| 2N5401 Код товару: 177484
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Diotec
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
Гранична частота fT, МГц: 400 МГц
Напруга Uке, В: 150 В
Напруга Uкб, В: 160 В
Струм Iк, А: 0,6 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 400
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
Гранична частота fT, МГц: 400 МГц
Напруга Uке, В: 150 В
Напруга Uкб, В: 160 В
Струм Iк, А: 0,6 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 400
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.20 грн |
| 1000+ | 0.95 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
у наявності: 56140 шт
- 49956 шт - склад
- 682 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3829 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1446 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 227 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 25+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| 1N4148 Код товару: 176824
13
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Зворотна напруга Vrr, В: 100 В
Середній струм Iav, А: 0,15 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 8 ns
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Зворотна напруга Vrr, В: 100 В
Середній струм Iav, А: 0,15 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 8 ns
Монтаж: THT
у наявності: 21070 шт
- 16183 шт - склад
- 674 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 300 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3913 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
- 1000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 34+ | 0.60 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.28 грн |
| 2N5401 Код товару: 211236
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JSMSEMI
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
Гранична частота fT, МГц: 300 МГц
Напруга Uке, В: 150 В
Напруга Uкб, В: 160 В
Струм Iк, А: 0,6 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 400
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
Гранична частота fT, МГц: 300 МГц
Напруга Uке, В: 150 В
Напруга Uкб, В: 160 В
Струм Iк, А: 0,6 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 400
у наявності: 785 шт
- 604 шт - склад
- 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 78 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.20 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| 1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano) Код товару: 11106
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
очікується: 40000 шт
- 40000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |















