Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5551BU
2N5551BU

2N5551BU ON Semiconductor

2n5551t-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 14643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551BU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2N5551BU за ціною від 2.44 грн до 20.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 26500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2078+5.94 грн
5000+4.12 грн
10000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 2078
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1743+7.09 грн
2393+5.16 грн
2831+4.36 грн
3100+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 1743
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU Виробник : onsemi / Fairchild 2N5551T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 13381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.10 грн
33+10.57 грн
100+5.87 грн
500+4.37 грн
1000+3.46 грн
5000+3.01 грн
10000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 363486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.55 грн
28+11.53 грн
100+7.19 грн
500+4.97 грн
1000+4.40 грн
2000+3.91 грн
5000+3.33 грн
10000+3.00 грн
50000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ONSEMI ONSMS11151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+20.19 грн
69+12.33 грн
111+7.65 грн
500+5.24 грн
1000+3.82 грн
5000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+20.43 грн
58+12.30 грн
100+7.59 грн
500+5.33 грн
1000+4.17 грн
2000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+20.59 грн
57+12.39 грн
100+7.66 грн
500+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABC9B0B08D47C40C7&compId=2N5551.PDF?ci_sign=d0275e4a381f36d66ae90891f7aa7235c40bcc7d Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.