Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5551BU
2N5551BU

2N5551BU ON Semiconductor

2n5551t-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2942+4.81 грн
5000+4.34 грн
10000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 2942 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551BU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2N5551BU за ціною від 2.37 грн до 23.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 26007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1615+8.76 грн
2193+6.45 грн
2773+5.10 грн
2815+4.85 грн
5000+3.95 грн
10000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 1615 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU onsemi 2N5551T-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 410669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
27+11.27 грн
100+7.00 грн
500+4.84 грн
1000+4.28 грн
2000+3.80 грн
5000+3.23 грн
10000+2.92 грн
50000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.63 грн
57+13.39 грн
100+8.58 грн
500+6.09 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 26007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.20 грн
55+13.73 грн
100+8.80 грн
500+6.25 грн
1000+4.57 грн
2000+4.32 грн
5000+3.81 грн
10000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU onsemi 2N5551T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 26429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU ONSEMI ONSMS11151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2n5551t-d.pdf
2N5551BU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 26007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1615+8.76 грн
2193+6.45 грн
2773+5.10 грн
2815+4.85 грн
5000+3.95 грн
10000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 1615 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551T-D.PDF
2N5551BU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 410669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.37 грн
27+11.27 грн
100+7.00 грн
500+4.84 грн
1000+4.28 грн
2000+3.80 грн
5000+3.23 грн
10000+2.92 грн
50000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2n5551t-d.pdf
2N5551BU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+22.63 грн
57+13.39 грн
100+8.58 грн
500+6.09 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2n5551t-d.pdf
2N5551BU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 26007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+23.20 грн
55+13.73 грн
100+8.80 грн
500+6.25 грн
1000+4.57 грн
2000+4.32 грн
5000+3.81 грн
10000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2n5551t-d.pdf
2N5551BU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551T-D.PDF
2N5551BU
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 26429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU ONSMS11151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5551BU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2n5551t-d.pdf
2N5551BU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.