2N5551BU ON Semiconductor
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5551BU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2N5551BU за ціною від 2.53 грн до 21.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5551BU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 14643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
2N5551BU | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
на замовлення 10641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
2N5551BU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 360393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
2N5551BU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N5551BU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N5551BU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
2N5551BU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
 |
2N5551BU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz Current gain: 80...250 |
товару немає в наявності |