Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5551BU
2N5551BU

2N5551BU ON Semiconductor

2n5551td.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 24393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1626+8.70 грн
2210+6.40 грн
2789+5.07 грн
2820+4.84 грн
5000+3.93 грн
10000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 1626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1626 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551BU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2N5551BU за ціною від 2.63 грн до 22.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551td.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1596+8.86 грн
5000+6.55 грн
10000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 1596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU onsemi 2N5551T-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 301896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.45 грн
100+7.77 грн
500+5.37 грн
1000+4.75 грн
2000+4.22 грн
5000+3.59 грн
10000+3.24 грн
50000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551td.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.63 грн
57+13.39 грн
100+8.58 грн
500+6.09 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551td.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 24557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.77 грн
57+13.46 грн
100+8.64 грн
500+6.13 грн
1000+4.50 грн
2000+4.27 грн
5000+3.74 грн
10000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU onsemi 2N5551T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 24202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551td.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU ONSEMI ONSMS11151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551td.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2n5551td.pdf
2N5551BU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1596+8.86 грн
5000+6.55 грн
10000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 1596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551T-D.PDF
2N5551BU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 301896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.16 грн
25+12.45 грн
100+7.77 грн
500+5.37 грн
1000+4.75 грн
2000+4.22 грн
5000+3.59 грн
10000+3.24 грн
50000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2n5551td.pdf
2N5551BU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+22.63 грн
57+13.39 грн
100+8.58 грн
500+6.09 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2n5551td.pdf
2N5551BU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 24557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+22.77 грн
57+13.46 грн
100+8.64 грн
500+6.13 грн
1000+4.50 грн
2000+4.27 грн
5000+3.74 грн
10000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2N5551T-D.PDF
2N5551BU
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 24202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2n5551td.pdf
2N5551BU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU ONSMS11151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5551BU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU 2n5551td.pdf
2N5551BU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.