Продукція > ONSEMI > 2N5551TA
2N5551TA

2N5551TA onsemi

2N5551T-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+4.12 грн
4000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TA onsemi

Description: ONSEMI - 2N5551TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2N5551TA за ціною від 4.63 грн до 20.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5551TA 2N5551TA ON Semiconductor 2n5551td.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551TA ON Semiconductor 2n5551td.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2203+6.42 грн
6000+6.02 грн
10000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 2203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551TA ONSEMI 2N5551.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
на замовлення 686 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.97 грн
36+11.74 грн
52+8.22 грн
100+6.97 грн
500+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551TA onsemi 2N5551T-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
26+11.70 грн
100+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551TA onsemi 2N5551T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 61740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551TA ONSEMI ONSM-S-A0013908840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2n5551td.pdf
2N5551TA
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2n5551td.pdf
2N5551TA
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2203+6.42 грн
6000+6.02 грн
10000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 2203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551.PDF
2N5551TA
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
на замовлення 686 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.97 грн
36+11.74 грн
52+8.22 грн
100+6.97 грн
500+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551T-D.PDF
2N5551TA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.38 грн
26+11.70 грн
100+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551T-D.PDF
2N5551TA
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 61740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA ONSM-S-A0013908840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5551TA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.