Продукція > ONSEMI > 2N5551TA
2N5551TA

2N5551TA onsemi

2N5551T-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+4.17 грн
4000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TA onsemi

Description: ONSEMI - 2N5551TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2N5551TA за ціною від 4.16 грн до 20.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5551TA 2N5551TA ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3113+4.54 грн
6000+4.21 грн
10000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 3113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551TA ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551TA ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551TA ONSEMI 2N5551.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 971 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.86 грн
32+13.10 грн
37+11.36 грн
53+7.86 грн
100+6.72 грн
500+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551TA onsemi 2N5551T-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.15 грн
26+11.86 грн
100+7.36 грн
500+5.08 грн
1000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551TA onsemi 2N5551T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 64986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551TA ONSEMI ONSM-S-A0013908840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2n5551t-d.pdf
2N5551TA
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3113+4.54 грн
6000+4.21 грн
10000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 3113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2n5551t-d.pdf
2N5551TA
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2n5551t-d.pdf
2N5551TA
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551.PDF
2N5551TA
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 971 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.86 грн
32+13.10 грн
37+11.36 грн
53+7.86 грн
100+6.72 грн
500+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551T-D.PDF
2N5551TA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.15 грн
26+11.86 грн
100+7.36 грн
500+5.08 грн
1000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551T-D.PDF
2N5551TA
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 64986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA ONSM-S-A0013908840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5551TA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.