Продукція > ONSEMI > 2N5551TA
2N5551TA

2N5551TA onsemi

2n5551t-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.10 грн
4000+3.53 грн
6000+3.32 грн
10000+2.89 грн
14000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TA onsemi

Description: ONSEMI - 2N5551TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2N5551TA за ціною від 3.60 грн до 27.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5551TA 2N5551TA Виробник : ONSEMI 2N5551.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.95 грн
44+9.67 грн
52+8.07 грн
100+6.07 грн
500+4.46 грн
1000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551TA Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.69 грн
28+10.95 грн
100+6.82 грн
500+4.71 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551TA Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 41921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.46 грн
28+11.62 грн
100+6.37 грн
500+4.71 грн
1000+4.15 грн
2000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551TA Виробник : ONSEMI 2N5551.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.54 грн
26+12.05 грн
50+9.68 грн
100+7.28 грн
500+5.35 грн
1000+4.73 грн
2000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551TA Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013908840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.78 грн
50+18.74 грн
100+11.87 грн
500+6.81 грн
1000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA 2N5551TA Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.