2N5682 CDIL
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 57.52 грн |
14+ | 25.53 грн |
25+ | 22.89 грн |
40+ | 20.05 грн |
110+ | 19.01 грн |
500+ | 18.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5682 CDIL
Description: MULTICOMP PRO - 2N5682 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
Інші пропозиції 2N5682 за ціною від 21.89 грн до 310.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N5682 | Виробник : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 1A Power dissipation: 1/10W Case: TO39 Current gain: 40...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 823 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5682 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5682 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5682 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2N5682 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2N5682 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2N5682 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 120V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2N5682 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 120V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2N5682 | Виробник : STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2N5682 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2N5682 | Виробник : onsemi | onsemi |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2N5682 | Виробник : ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2N5682 | Виробник : Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |