Технічний опис 2N5962
Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 2nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N5962
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
2N5962 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 2nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
|
|
2N5962 | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
товару немає в наявності |
|
|
2N5962 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
товару немає в наявності |




