Продукція > 2N5

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2N50CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N50 (MTP2N50)
Код товару: 77943
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/15
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N500MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5000MOTOROLA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5000Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5000Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5001Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5001MOTOROLA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5001Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5002MOTOROLA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5002Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5002Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+20980.17 грн
10+20661.39 грн
25+16694.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5003Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 5A 2W PNP Power BJT Stud-Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5003MOTOROLA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5003Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5004MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5004Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5004Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5005Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 5A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5005Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 5A 2W PNP Power BJT Stud-Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5005Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5006MOTOROLA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5006Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package: TO-61
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5006Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5007Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA
Supplier Device Package: TO-61
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5007Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5007MOTOROLA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5008Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5008MOTOROLA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5008Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 10A TO-61
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package: TO-61
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5009MOTOROLA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N500AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N501MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5010Microsemi CorporationDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5010Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5010MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5010AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5010SMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5010SMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 500V 200mA 1W NPN Short-Lead Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5010U4Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5010U4Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 500V 200mA 1W NPN Power BJT SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5011Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 600V 200mA 1W NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5011MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5011AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5011SMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 600V 200mA 1W NPN Short-Lead Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5011SMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5011U4Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 600V 200mA 1W NPN Power BJT SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5011U4Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5012MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5012Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5012Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 700V 0.2A TO5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5012MicrosemiTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2167.70 грн
25+1355.51 грн
100+1084.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5012AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5012SMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5013MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5013Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 800V 0.2A TO5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5013AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5013SMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5014MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5014Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 900V 0.2A TO5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5014AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5014SMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5015MicrosemiTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5015MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5015Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 1000V 0.2A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5015AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5015SMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5017MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5017AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5018MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5018AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5019MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5019InterFETJFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1178.10 грн
10+867.38 грн
100+652.02 грн
500+616.79 грн
1000+523.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5019AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N501AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N502MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5020InterFETJFETs JFET P-Channel 25V Low Ciss
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1402.12 грн
10+1069.93 грн
100+803.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5020MOTOROLA
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5020AMOTOROLA
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5021MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5021InterFETJFETs JFET P-Channel 25V Low Ciss
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5021AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5022MOTOROLA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5022AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5023MOTOROLA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5023AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5024MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5024AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5027MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5027AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5028MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5028AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5029MOTOROLA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5029AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N502AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N502BMOTCAN
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N503MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5030MOTOROLA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5031
Код товару: 217168
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5031Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO-72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 12dB @ 400MHz
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5031MOTOROLA
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5031Microchip TechnologyRF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5032MOTOROLA
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5033MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5034MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5035MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5036MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5037MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT TO-3 NPN POWER SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038Central Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038IgnionBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 90V 20A TO-3
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 140 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038onsemiBipolar Transistors - BJT 20A 90V 140W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038CicorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 90V 20A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TA)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038Semelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 90V 20A NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5038. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 20 A, 140 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.22 грн
10+96.70 грн
100+79.29 грн
500+66.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+642.49 грн
100+610.15 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1159.68 грн
16+820.80 грн
26+766.02 грн
50+696.59 грн
100+577.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038GonsemiDescription: TRANS NPN 90V 20A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 5V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 140 W
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+498.20 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038GON
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038G
Код товару: 67440
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-204
Uceo,V: 90 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 20 A
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+115.00 грн
10+108.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+642.49 грн
100+610.15 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038GonsemiBipolar Transistors - BJT 20A 90V 140W NPN
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+804.20 грн
10+557.60 грн
100+386.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5038G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 20 A, 140 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+838.85 грн
5+684.14 грн
10+528.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5038GonsemiDescription: TRANS NPN 90V 20A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 5V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 140 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5039Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V
Power - Max: 140 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5039MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5039Central SemiconductorCentral Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5039NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 75V 20A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V
Power - Max: 140 W
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.25 грн
10+295.56 грн
20+279.85 грн
50+248.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5039Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 75V 20A TO3
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V
Power - Max: 140 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5039Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 75V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5039Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 75V 20A NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N503AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N504MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5040MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5040AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5041MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5041AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5042MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5042AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5043MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5043AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5044MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5044AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5045MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5045AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5046MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5046AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5047MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5047AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5048MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5048Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5048Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 100V 10A TO-61
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-61
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5048AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5049Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5049MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5049AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N504AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N505MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5050Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5050Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5050MOT
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5050 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 125Vcbo 125Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5050 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 125Vcbo 125Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5051Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5051Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5051Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 150V 2A 40000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5051 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 150Vcbo 150Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5051 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 150Vcbo 150Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5052Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5052Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5052 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 2A 40000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5052 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 200Vcbo 200Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5052 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 200Vcbo 200Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5053MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5054MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5055MOTOROLA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5056MOTOROLA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5057MOTOROLA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5058Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 300V 0.15A TO-39
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5058MOTOROLA
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5058 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+539.90 грн
10+372.53 грн
100+237.60 грн
500+212.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5058 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 300V 0.15A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 30mA, 25V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.05 грн
10+344.27 грн
100+252.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5059MOTOROLA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5059 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 250V 150MA 1W TH TRANSISTOR-SMAL
Packaging: Box
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 25V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5059 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5059 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 0.15A 1000mW 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5059 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 250V 150MA 1W TH TRANSISTOR-SMAL
Packaging: Box
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 25V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5059 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 250Vcbo 250Vceo 6.0Vebo 150mA 1.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N505AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N506MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060onsemiSCRs 30V 800mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060LittelfuseESD Protection Diodes / TVS Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060 APM PBFREECentral SemiconductorSCRs .8A,30V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: .8A 30V TH SCR
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: .8A 30V TH SCR
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060 APM TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs .8A,30V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060 PBFREECentral SemiconductorSCRs 0.8A 30V
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.57 грн
10+42.18 грн
100+23.97 грн
500+18.44 грн
1000+16.71 грн
2500+14.71 грн
5000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060 PBFREECentral SemiconductorSilicon Controlled Rectifier 0.8 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 30V 800MA TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
на замовлення 4234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.27 грн
10+39.06 грн
100+25.46 грн
500+18.41 грн
1000+16.64 грн
2500+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: .8A 30V TH SCR
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060 TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs 30Vdrm 0.8A Rms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: .8A 30V TH SCR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060 TRE PBFREECentral SemiconductorSCRs .8A,30V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: .8A 30V TH SCR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs .8A,30V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060GonsemiDescription: SCR 30V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060G
Код товару: 22577
Додати до обраних Обраний товар
ONТиристори > Тиристори, діністори
Корпус: TO-92
Uзакр,V: 30 V
Iвідкр,mA: 0,2 mA
Imax,A: 0,8 A
у наявності 22 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
2+15.00 грн
10+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5060G - Thyristor, 30 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 30
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10
Zündstrom, max., Igt: 350
Zündspannung, max., Vgt: 1.2
Haltestrom Ih, max.: 5
MSL: -
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 320
Produktpalette: -
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 110
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060GonsemiSCRs THY 0.8A 30V SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060GON SemiconductorThyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060GOn SemiconductorTHYRISTOR SCR 0.8A 30V TO92 Група товару: Тиристори та симістори (TRIAC) Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060RL1onsemiDescription: SILICON CONTROLLED RECTIFIER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060RLRAGonsemiDescription: SCR 30V 800MA TO-92 (TO-226)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
на замовлення 54409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1212+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 1212
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060RLRAGONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5060RLRAG - 2N5060RLRAG, STAND RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 56185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060RLRAGonsemiDescription: SCR 30V 800MA TO-92 (TO-226)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060RLRAGON SemiconductorSCR 30V 0.8A(RMS) 10A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 54409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1825+17.72 грн
10000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 1825
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060RLRAGON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060RLRMON07+;
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060RLRMonsemiDescription: SCR 30V 800MA TO-92 (TO-226)
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5060RLRMGonsemiDescription: SCR 30V 800MA TO-92 (TO-226)
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061ON SemiconductorThyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92 Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061LittelfuseESD Protection Diodes / TVS Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061ON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061onsemiSCRs 50V 800mA Thyristor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061 APM PBFREECentral SemiconductorSCRs .8A,60V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 60V 800MA TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: SCR 60V 800MA TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061 APM TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs .8A,60V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061 PBFREECentral SemiconductorSCRs 0.8A 60V
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.57 грн
10+42.18 грн
100+23.97 грн
500+18.44 грн
1000+16.71 грн
2500+14.71 грн
5000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061 PBFREECentral SemiconductorThyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 60V 800MA TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.27 грн
10+39.06 грн
100+25.46 грн
500+18.41 грн
1000+16.64 грн
2500+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061 TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs 60Vdrm 0.8A Rms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: SCR 60V 800MA TO-92-3
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 60V 800MA TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061 TRE PBFREECentral SemiconductorSCRs .8A,60V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs .8A,60V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: SCR 60V 800MA TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061GOn SemiconductorГрупа товару: Тиристори та симістори (TRIAC) Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061GonsemiDescription: SCR 60V 800MA TO-92 (TO-226)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5061G - Thyristor, 60 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 60
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10
Zündstrom, max., Igt: 350
Zündspannung, max., Vgt: 1.2
Haltestrom Ih, max.: 5
MSL: -
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 320
Produktpalette: -
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 110
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061G
Код товару: 48398
Додати до обраних Обраний товар
Тиристори > Тиристори, діністори
Корпус: TO-92
Uзакр,V: 60 V
Iвідкр,mA: 0,5 mA
Imax,A: 1 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061GonsemiSCRs 50V 800mA Thyristor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061RLRAonsemiDescription: SCR 60V 800MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061RLRAGonsemiDescription: SCR 60V 800MA TO-92 (TO-226)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5061RLRAGON10+ TSSOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062onsemiSCRs 100V 800mA Thyristor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062
Код товару: 175840
Додати до обраних Обраний товар
ONТиристори > Тиристори, діністори
Корпус: TO-92
Uзакр,V: 100 V
Iвідкр,mA: 510 mA
Imax,A: 10 A
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+5.00 грн
100+4.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062LittelfuseESD Protection Diodes / TVS Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 100V 800MA TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-92-3
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062 APM PBFREECentral SemiconductorSCRs .8A,100V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062 APM TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs .8A,100V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: SCR 100V 800MA TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-92-3
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062 china
Код товару: 207676
Додати до обраних Обраний товар
ChinaТиристори > Тиристори, діністори
Корпус: TO-92
Uзакр,V: 100 V
Iвідкр,mA: 510 mA
Imax,A: 10 A
у наявності 210 шт:
67 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
5+4.50 грн
10+3.90 грн
100+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062 PBFREECentral SemiconductorThyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 100V 800MA TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
на замовлення 3248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.27 грн
10+39.21 грн
100+25.60 грн
500+18.51 грн
1000+16.74 грн
2500+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062 PBFREECentral SemiconductorSCRs 0.8A 100V
на замовлення 4324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.30 грн
10+42.42 грн
100+24.11 грн
500+18.58 грн
1000+16.78 грн
2500+14.78 грн
5000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062 PBFREE 2N5062GCentralsemi8 A 100 V Thyristor - TO-92 Група товару: Тиристори та симістори (TRIAC) Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062 TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs 100Vdrm 0.8A Rms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: SCR 100V 800MA TO-92-3
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062 TRE PBFREECentral SemiconductorSCRs .8A,100V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 100V 800MA TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: SCR 100V 800MA TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs .8A,100V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062GDiotec8 A 100 V Thyristor - TO-92 Група товару: Тиристори та симістори (TRIAC) Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062GonsemiSCRs 100V 800mA Thyristor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062G
Код товару: 1012
Додати до обраних Обраний товар
Тиристори > Тиристори, діністори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062GonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO-92 (TO-226)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062GON SemiconductorThyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062RLRAON SemiconductorThyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3040+10.64 грн
10000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 3040
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062RLRAonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO-92 (TO-226)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062RLRAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5062RLRA - 2N5062RLRA, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062RLRAON SemiconductorThyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3040+10.64 грн
10000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 3040
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062RLRAonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO-92 (TO-226)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
на замовлення 26286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2019+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 2019
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062RLRAGonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO-92 (TO-226)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1212+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 1212
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062RLRAGonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO-92 (TO-226)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062RLRAGON SemiconductorSCR 100V 0.8A(RMS) 10A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1825+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 1825
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062RLRAG
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5062RLRAGONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5062RLRAG - 2N5062RLRAG, STAND RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5063Central Semiconductor CorpDescription: SCR 0.8A 150V TO-92
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5063LittelfuseESD Suppressors / TVS Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5063 APM PBFREECentral SemiconductorSCRs .8A,150V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5063 APM TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs .8A,150V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5063 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 150V 800MA TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 150 V
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.72 грн
10+38.31 грн
100+24.92 грн
500+18.00 грн
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5063 PBFREECentral SemiconductorSCRs 0.8A 150V
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.20 грн
10+41.38 грн
100+23.48 грн
500+18.03 грн
1000+16.37 грн
2500+14.37 грн
5000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5063 TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs 150Vdrm 0.8A Rms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5063 TRE PBFREECentral SemiconductorSCRs .8A,150V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5063 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs .8A,150V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064LittelfuseSCRs 200V .8A 200uA Sensing
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064NXPГрупа товару: Тиристори та симістори (TRIAC) Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064onsemiSCRs 200V 800mA Thyristor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064Littelfuse Inc.Description: SCR 200V 800MA TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16A, 20A
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064 APM PBFREECentral SemiconductorSCRs .8A,200V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 200V 800MA TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: SCR 200V 800MA TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064 APM TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs .8A,200V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064 PBFREECentral SemiconductorThyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064 PBFREECentral SemiconductorSCRs 0.8A 200V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.56 грн
10+40.91 грн
100+23.21 грн
500+17.89 грн
1000+16.16 грн
2500+14.23 грн
5000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 200V 800MA TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
на замовлення 9992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.82 грн
10+40.03 грн
100+26.06 грн
500+18.82 грн
1000+17.00 грн
2500+15.03 грн
5000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: SCR 200V 800MA TO-92-3
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064 TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs 200Vdrm 0.8A Rms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064 TRE PBFREECentral SemiconductorSCRs .8A,200V Through-Hole SCR
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.86 грн
10+45.12 грн
100+25.90 грн
500+20.38 грн
1000+17.89 грн
2000+15.13 грн
4000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 200V 800MA TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs .8A,200V Through-Hole SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: SCR 200V 800MA TO-92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064,112NXP USA Inc.Description: SCR 200V 800MA TO-92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.71 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064,112NXP SemiconductorsSCRs BULK SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064G
Код товару: 62224
Додати до обраних Обраний товар
Тиристори > Тиристори, діністори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064GonsemiSCRs THY 0.8A 200V SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5064G - Thyristor, 200 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 200
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10
Zündstrom, max., Igt: 350
Zündspannung, max., Vgt: 1.2
Haltestrom Ih, max.: 5
MSL: -
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 320
Produktpalette: -
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 110
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064GonsemiDescription: SCR 200V 800MA TO-92 (TO-226)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064GMICIt=0,8A; Vdrm=200V; Igt=200uA *obsolete*2N5064G, 2N5064RLRMG, 2N5064RLRAG, 2N5064,112 2N5064 TO92 TY000.82n5064
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 620 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064RLRAonsemiDescription: SCR 200V 800MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064RLRAG
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064RLRAGonsemiDescription: SCR 200V 800MA TO-92 (TO-226)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064RLRMonsemiDescription: SCR 200V 800MA TO-92 (TO-226)
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064RLRMGON07+;
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064RLRMGonsemiDescription: SCR 200V 800MA TO-92 (TO-226)
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5064RPLittelfuse Inc.Description: SCR 200V 800MA TO-92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16A, 20A
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5065MOTCAN
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5066Microchip TechnologyDescription: SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-46-3 Lens Top Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1mA, 6V
Supplier Device Package: TO-46
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5066MOTCAN
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5066Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 0.1A 3-Pin TO-46
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5066Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5067Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5067Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 40V 5A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 87.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5068Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5068Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 5A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 87 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5069Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5069Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 5A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 87 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N506AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N507MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5071Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5073MOTCAN
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5074Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300µA, 500µA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5074Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5075Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300µA, 500µA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5075Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5076Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5076Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300µA, 500µA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5077General SemiconductorDescription: TRANS 250V 3A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+20510.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2N5077GENERAL SEMI GSI2N5077
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+24686.20 грн
25+23945.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2N5077Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5077Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 3A TO-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5078MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5079MOTCAN
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N507AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N508MOTOROLA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5080MOTCAN
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5081MOTCAN
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5082MOTCAN
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5083Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5083Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5084Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5084Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5085Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5085Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 10A TO-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086Fairchild SemiconductorDescription: 2N5086 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 APP PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 APP PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 APP TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 APP TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 TRA PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 TRA PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 TRA TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 TRA TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5086BU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086BUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086BUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 45478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086BUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 96478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 7869
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086TAonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086TARonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086TFonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086TFRonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086TFRToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086_D26ZToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087Central Semiconductor Corp.TO-92, PNP, Vceo=50V; Ic=50mА, NF=2.0dB, hFE=800, -65...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087Broadcom / AvagoBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087On SemiconductorTO-92, PNP, Vceo=50V; Ic=50mА, NF=2.0dB, hFE=800, -65...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087MICROSS/On SemiconductorDescription: DIE TRANS PNP 50V SMALL SIGNAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087
Код товару: 144832
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087CDILTO-92, PNP, Vceo=50V; Ic=50mА, NF=2.0dB, hFE=800, -65...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087onsemiBipolar Transistors - BJT SS T092 LN XSTR PNP 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 APP PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 APP PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 APP TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 APP TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
на замовлення 15811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.17 грн
10+34.47 грн
100+19.34 грн
500+14.78 грн
1000+13.33 грн
2500+11.67 грн
5000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.51 грн
10+30.08 грн
100+19.39 грн
500+13.88 грн
1000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 TRA PBFREECentral Semiconductor2N5087 TRA PBFREE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 TRA PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 625mW 1.5W
на замовлення 3497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.27 грн
10+36.46 грн
100+21.69 грн
500+17.06 грн
1000+14.23 грн
2000+12.02 грн
4000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 TRA PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 TRA TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 TRA TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
на замовлення 9216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.76 грн
10+51.15 грн
100+27.70 грн
500+19.13 грн
1000+16.02 грн
2000+13.81 грн
4000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087BUonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5087BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 250
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 40
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087GonsemiBipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087RLRAonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087RLRAGON09+
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087RLRAG
Код товару: 18859
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 40 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,05 A
h21,max: 250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087TAonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087TARonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087TFonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087TFRonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087_J18ZonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087_J61ZonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5087_S00ZonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+226.98 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088FAIRCHILD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088onsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088
Код товару: 161421
2 Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 50 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 35 V
Ic,A: 0,05 A
Монтаж: THT
у наявності 93 шт:
93 шт - склад
1+29.00 грн
10+26.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 APP PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 APP PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 APP TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 APP TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+26.48 грн
500+20.32 грн
1000+18.25 грн
2500+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 300...900
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
на замовлення 4173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.45 грн
16+26.44 грн
25+22.70 грн
100+18.04 грн
250+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 PBFREE
Код товару: 214558
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 14750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.25 грн
11+30.98 грн
100+17.27 грн
500+13.19 грн
1000+11.81 грн
2500+10.36 грн
5000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 0.05A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 22062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.84 грн
10+31.35 грн
100+20.20 грн
500+14.43 грн
1000+12.98 грн
2500+11.39 грн
5000+10.25 грн
10000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
524+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 524
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 TRA PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 TRA PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA
на замовлення 8242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.25 грн
11+30.98 грн
100+17.75 грн
500+13.95 грн
1000+12.29 грн
2000+10.43 грн
4000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 TRA TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 TRA TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088BUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088BUonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088GOn SemiconductorTO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088GonsemiBipolar Transistors - BJT 50mA 35V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 29368
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 50 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 35 V
Ic,A: 0,05 A
h21: 900
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+2.00 грн
100+1.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088RLRAonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088RLRA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5088TA - 2N5088TA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088TAON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088TAonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088TARToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088TARonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 6289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088TFonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088TFRonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088_D11ZonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088_D11ZToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088_D74ZToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088_D81ZonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5088_J61ZonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089Central SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089FSC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089onsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089onsemiBipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 36987
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 50 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 30 V
Ic,A: 0,05 A
h21: 1200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
на замовлення 7173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.74 грн
10+44.56 грн
100+24.11 грн
500+16.65 грн
1000+14.30 грн
2000+12.09 грн
4000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 300...900
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.83 грн
13+32.01 грн
25+26.60 грн
100+20.29 грн
500+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
719+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 719
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 479
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.62 грн
10+32.10 грн
100+20.70 грн
500+14.82 грн
1000+13.33 грн
2500+11.71 грн
5000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 25Vceo 4.5Vebo 50mA 625mW
на замовлення 4572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.63 грн
10+36.06 грн
100+21.41 грн
500+16.85 грн
1000+14.44 грн
2500+12.23 грн
5000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089BUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089GonsemiBipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089RLRAonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089TAFairchild
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089TAonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089TARonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089TA_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN 25V 100mA HFE/12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089TFonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089TFRonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5089_J18ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N508AMOTOROLA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N509MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5090Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5091MOTCAN
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5091Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5092MOTCAN
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5092Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5093MOTCAN
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5093MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5094MOTCAN
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5094MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5095MOTCAN
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5095Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 500V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5096Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT PNP Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5096MOTCAN
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5097MOTCAN
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5097MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5098MOTCAN
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5098Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5099Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 800V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5099MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5099MOTCAN
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5099AMOTOROLA
на замовлення 560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N509AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N50EPH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N51CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N510MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5103MOTOROLA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5104MOTOROLA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5105MOTOROLA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5106MOTOROLA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5106AMOTOROLA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5107MOTOROLA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5108MOTOROLA
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5109Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5109MICROSEMIкількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5109Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 12dB
Power - Max: 2.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5109Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5109CentralsemiTO-5 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5109 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 31239
Додати до обраних Обраний товар
Central SemiconductorТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-39
fT: 1,2 GHz
Uceo,V: 20 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 0,4 A
h21: 120
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5109 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5109 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Wide Bd AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5109 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN RF 40Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 400mA 1.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5109JANIR
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5109JANTXIR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5109UBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5109UB BKCentral Semiconductor CorpDescription: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: UB
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N510AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N511MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5110MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5111MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5112MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5113MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114Microchip TechnologyJFETs JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114MOTCAN3
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114Microchip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114InterFETJFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1307.84 грн
10+997.64 грн
100+749.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114Vishay SemiconductorsJFETs 30V 10pA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114 TO-18 3LLinear Integrated Systems, Inc.Description: P-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.35 грн
10+490.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114 TO-18 3L ROHSLinear Integrated Systems, Inc.Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.15 грн
10+350.93 грн
100+257.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114-E3Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114-E3InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114E3MicrosemiTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114JAN02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114JTVL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114JTX02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114JTXL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114JTXV02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114UBMicrochip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114UBMicrosemiTrans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9700.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114UB/TRMicrochip TechnologyJFETs JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5114UB/TRMicrochip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115InterFETJFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1307.84 грн
10+997.64 грн
100+749.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115MOTO
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115Central Semiconductor CorpDescription: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115Microchip TechnologyJFETs JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115Microchip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60 mA @ 15 V
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115 TO-18 3LLinear Integrated Systems, Inc.Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531.49 грн
10+347.86 грн
100+255.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115-E3Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115E3Microchip TechnologyJFETs JFET
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2651.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115E3Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115E3Microchip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115E3Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115JAN02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115JTVL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115JTX02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115JTXL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115JTXV02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115UBMicrochip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60 mA @ 15 V
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115UBMicrochip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115UBMicrochip TechnologyJFETs JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115UBMicrochip / MicrosemiJFET JFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115UB/TRMicrochip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60 mA @ 15 V
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115UB/TRMicrochip TechnologyJFETs JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116VISHAYCAN
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116Central Semiconductor CorpDescription: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 150 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116InterFETJFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1307.84 грн
10+997.64 грн
100+749.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116Microchip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Grade: Military
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 175 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 BK PBFREECentral SemiconductorJFET P-Ch Junc FET
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 PBFREECentral SemiconductorJFETs 1V,4V,50mA,500mW Through-Hole JFET P Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 TO-18 3LLinear Integrated Systems, Inc.Description: P-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
на замовлення 4621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116 TO-18 3L ROHSLinear Integrated Systems, Inc.Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 150 Ohms
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.26 грн
10+357.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116-E3Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116JAN02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116JTVL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116JTX02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116JTXL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116JTXV02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116UAMicrochip TechnologyJFETs 30V 500MW JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116UAMicrochip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: UA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 175 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116UA/TRMicrochip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V UA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: UA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 175 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116UA/TRMicrochip TechnologyJFETs 30V 500MW JFET TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116UBMicrochip TechnologyJFET JFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116UBMicrochip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116UBMicrochip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 175 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116UB/TRMicrochip TechnologyJFETs JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5116UB/TRMicrochip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 175 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5117MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5118MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5119MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N511AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N512MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5120MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5121MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5122MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5123MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5124MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5125MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5126MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5127MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5128MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5129MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N512AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N513MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5130MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5131MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5132MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5133NSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5134MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5134Central Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5135MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5136MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5137MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5138MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5139MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N513AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N514MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5140MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5141MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5142MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5143MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5144MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5145MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5147Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5147MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5148MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5148Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 7 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5148Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5148Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5149Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5149MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N514AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N515MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5150Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5150Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5150MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5150
Код товару: 140183
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5151MOTOROLA
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5151Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Power BJT THT
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1896.89 грн
25+1796.71 грн
100+1561.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5151TT Electronics - IoT SolutionsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5151Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5151Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5151Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/545
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5151STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5151LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Long-Lead Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5151LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A TO5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/545
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5151U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Low Profile CER Power BJT SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5151U3Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A U3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.16 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5152Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Power BJT THT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2294.96 грн
100+2101.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5152Microsemi CorporationDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5152MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5152LMicrosemi CorporationDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5152LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Long-Lead Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5152LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5152U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Low Profile CER Power BJT SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153CicorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153-220MIgnionBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153-220MSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 80V 5A 4400mW 3-Pin(3+Tab) TO-257AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153-220MTT Electronics - IoT SolutionsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153DIE2HRSTMicroelectronicsArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153DIE2SSTMicroelectronicsArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153LMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153RESYHRGSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+45010.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153RESYHRGSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+48225.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153RSHRTWSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153SMD05Semelab (TT electronics)Trans GP BJT PNP 80V 5A 1000mW 3-Pin SMD-0.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153SMD05Semelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153SSWSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153SSWGSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153ST1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153SWSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153SYSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153T1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Low Profile CER Power BJT SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153U3Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1160mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153U3Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A U3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.16 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154Vishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Power SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 100Vcbo 80Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154DIE2HRSTMicroelectronicsArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154DIE2SSTMicroelectronicsArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154ESYSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154ESY1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Long-Lead Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154LMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154S1STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13822.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154S1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16232.32 грн
10+13484.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154S1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 5A SMD5
Packaging: Strip
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: SMD5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 35 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11857.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154S1STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14852.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154SSWGSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154ST1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154SYSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154T1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Hi-Rel NPN Bipolar Transistor 80V - 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154T2ASemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Low Profile CER Power BJT SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154U3Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 2A U3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7541.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154U3Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin CSMD-0.5 Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9268.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5154U3Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin CSMD-0.5 Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5155MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5156MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5157Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 500V 3.5A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5157Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 500V 3.5A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5157MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5158MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5159MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N515AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N516MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5160MOTOROLA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5160SOLID STATEDescription: SOLID STATE - 2N5160 - TO 3 Silicon Transistor PNP 10P5440
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1677.70 грн
5+1654.34 грн
10+1630.16 грн
25+1491.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5160AMOTOROLA
на замовлення 12850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5161MOT89+ SOP
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5163MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5164MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5165MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5166SSI0339
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5167MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5168MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5168Solid State Inc.Description: TO 48 20 AMP SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5169Solid State Inc.Description: TO 48 20 AMP SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5169MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N516AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N517MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5170Solid State Inc.Description: TO 48 20 AMP SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5171Solid State Inc.Description: TO 48 20 AMP SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172Vishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 9893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.54 грн
33+9.20 грн
100+5.71 грн
500+3.93 грн
1000+3.46 грн
2000+3.07 грн
5000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172 APMCentral Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.61 грн
10+36.37 грн
100+23.64 грн
500+17.04 грн
1000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.79 грн
100+23.69 грн
500+18.58 грн
1000+15.47 грн
2500+13.40 грн
5000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 100mA 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172 TRECentral Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172 TRE PBFREECentral Semiconductor2N5172 TRE PBFREE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172_D26ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172_D27ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172_D74ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172_D75ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5172_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5176MOTOROLA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5177MOTOROLA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179Microchip TechnologyRF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO-72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 20dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179MICROSEMITO72/RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS 2N5179
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179MicrosemiTrans RF BJT NPN 12V 0.05A 300mW 4-Pin TO-72
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+530.01 грн
10+468.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN VHF Amp
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+517.33 грн
10+334.40 грн
100+214.12 грн
500+189.94 грн
1000+167.84 грн
2000+152.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO-72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179 TIN/LEADCentral SemiconductorNPN Silicon Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20Vcbo 12Vceo 2.5Vebo 50mA 200mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 12V 50MA 200MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179-NRCMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5179-NRC - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, 50mA, TO-7
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: TO-72
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 900MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
directShipCharge: 25
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.29 грн
10+236.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2N5179AMOTOROLA
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N517AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N518MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5180MOTOROLA
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5181MOTOROLA
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5182MOTOROLA
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5183MOTOROLA
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5184MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5185MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5186MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5187MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5188MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5189MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5189 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 35V 5000mW 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5189 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+614.84 грн
10+427.33 грн
100+310.12 грн
500+250.72 грн
1000+250.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5189 TIN/LEADCentral SemiconductorNPN Silicon Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5189 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 35Vceo 5.0Vebo 5.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N518AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N519MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190On SemiconductorNPN 4A 40V TO-225AA Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190Central SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190onsemiDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190onsemiBipolar Transistors - BJT BIP C77 NPN 4A 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.00 грн
15+57.13 грн
100+39.73 грн
500+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.70 грн
10+60.29 грн
100+41.79 грн
500+27.14 грн
1000+22.72 грн
6000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO225
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Current gain: 25...100
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.24 грн
10+56.64 грн
100+37.58 грн
500+27.58 грн
1000+25.10 грн
2000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 4A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191On SemiconductorTO126 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191Central SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 4A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.95 грн
10+33.37 грн
100+21.59 грн
500+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191MOTOROLA
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.35 грн
18+43.11 грн
100+37.41 грн
500+32.39 грн
1000+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191GONN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO225
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Current gain: 25...100
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
на замовлення 11133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.70 грн
10+60.29 грн
100+34.81 грн
500+27.14 грн
1000+25.14 грн
6000+23.28 грн
10000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.63 грн
1000+35.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.26 грн
16+48.99 грн
100+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 6508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.24 грн
10+56.64 грн
100+37.58 грн
500+27.58 грн
1000+25.10 грн
2000+23.02 грн
5000+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 10048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.89 грн
13+67.04 грн
100+45.13 грн
500+32.62 грн
1000+28.11 грн
5000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 283
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 4A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192Vishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192STNPN 80V 4A 40W 2N5192G 2N5192 T2N5192
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192 SL HCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192 SL H PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+39.80 грн
1000+39.27 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.61 грн
100+45.04 грн
500+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.01 грн
10+61.51 грн
100+40.94 грн
500+30.14 грн
1000+27.48 грн
2000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GOn SemiconductorTRANS NPN 80V 4A TO225AA Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G
Код товару: 178450
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO225
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Current gain: 20...80
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.31 грн
10+65.45 грн
100+37.92 грн
500+29.70 грн
1000+24.80 грн
6000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192RCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5193STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5193CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; 40W; TO126
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO126
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 10...100
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
40+11.82 грн
45+9.89 грн
100+8.73 грн
500+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
2N5193Broadcom / AvagoBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5193Central Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 40V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5193MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5193 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 40 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.09 грн
36+22.97 грн
100+19.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N5193 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5193.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5193. - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5194 - 2N5194, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194onsemiDescription: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1397+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 1397
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194Central Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194Central Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO126
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 10...120
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
40+11.82 грн
45+9.89 грн
100+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.10 грн
50+57.74 грн
100+51.62 грн
500+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195
Код товару: 62231
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 4A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO126
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO126
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 7...80
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
35+13.79 грн
40+11.47 грн
100+10.14 грн
500+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Power Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5195 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.09 грн
36+22.97 грн
100+19.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195ST09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195 (Замена КТ818Г)STMTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195 SL HCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195 SL H PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195..MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5195.. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GOn SemiconductorTRANS PNP 80V 4A TO225AA Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 451
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO225
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Current gain: 20...80
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 5754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.80 грн
10+57.84 грн
100+38.36 грн
500+28.17 грн
1000+25.64 грн
2000+23.52 грн
5000+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195G
Код товару: 154610
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
на замовлення 3186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.70 грн
10+61.32 грн
100+35.43 грн
500+27.35 грн
1000+23.14 грн
6000+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.97 грн
1000+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.91 грн
24+34.25 грн
100+33.60 грн
500+30.53 грн
1000+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1950+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 1950
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.81 грн
25+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
2N5196InterFETJFET JFET N-Channel Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5196SILICONIX
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5196Vishay / SiliconixJFET 50V 15pA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5196-1Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5196-2Vishay / SiliconixJFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5196-E3Vishay / SiliconixJFET 50V 15pA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5197SILICONI
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5197InterFETJFET JFET N-Channel Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5197Vishay / SiliconixJFET 50V 15pA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5198MOT
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5199MOT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N519AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N52CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N520MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5200MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5201MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5202MSC/MOT
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5202Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5202 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 100Vcbo 75Vcer 50Vceo 6.0Vebo 35W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5202 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 100Vcbo 75Vcer 50Vceo 6.0Vebo 35W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5202AMSC/MOT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5203MOTCAN
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5204Solid State Inc.Description: TO 48 22 AMP SCR
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+749.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N5204IR
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5204NIR
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5205IR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5205Solid State Inc.Description: TO 48 22 AMP SCR
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+749.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N5206Vishay SemiconductorsSCRs 1000 Volt 35 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5206Solid State Inc.Description: TO 48 22 AMP SCR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+749.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N5206IR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5207Solid State Inc.Description: TO 48 22 AMP SCR
Packaging: Box
Package / Case: TO-208AA, TO-48-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 100 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.3 V
Current - Off State (Max): 1.7 mA
Supplier Device Package: TO-48
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 35 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+777.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N5207IR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.47 грн
10+31.93 грн
100+19.20 грн
500+16.09 грн
1000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 50V 0.05A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.37 грн
10+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50Vceo 50Vcbo 4.5Vebo 50mA 350mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.