Продукція > 2N5
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N50 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N50 (MTP2N50) Код товару: 77943
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 500 V Idd,A: 3 А Rds(on), Ohm: 4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 400/15 Монтаж: THT | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||
2N500 | MOT | CAN | на замовлення 827 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N500 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5000 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5000 | MOTOROLA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5000 | Microchip Technology | Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5001 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5001 | MOTOROLA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5001 | Microchip Technology | Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5002 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5002 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5002 | MOTOROLA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5002 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5003 | Microchip Technology | Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5003 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5003 | MOTOROLA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5004 | Microchip Technology | Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5004 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5004 | MOTOROLA | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5004 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5005 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5005 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5005 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 5A TO59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5006 | MOTOROLA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5006 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 500µA, 5mA Supplier Device Package: TO-61 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5006 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5007 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5007 | MOTOROLA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5007 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA Supplier Device Package: TO-61 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5008 | MOTOROLA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5008 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 10A TO-61 Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 500µA, 5mA Supplier Device Package: TO-61 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5008 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5009 | MOTOROLA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N500A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N501 | MOT | CAN | на замовлення 918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N501 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5010 | Microsemi Corporation | Description: NPN SILICON TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5010 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5010 | MOT | CAN | на замовлення 458 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5010 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5010 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5010A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5010S | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5010S | Microchip Technology | Description: POWER BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5010U4 | Microchip Technology | Description: POWER BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5010U4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5011 | MOT | CAN | на замовлення 756 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5011 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5011 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5011A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5011S | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5011S | Microchip Technology | Description: POWER BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5011U4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5011U4 | Microchip Technology | Description: POWER BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5012 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5012 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5012 | Microsemi | Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5012 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5012 | VISHAY | CAN | на замовлення 328 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5012 | Microsemi | Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5012 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5012A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5012S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5013 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5013 | MOT | CAN | на замовлення 687 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5013 | MOT | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5013 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5013A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5013S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5014 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5014 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5014 | MOT | CAN | на замовлення 472 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5014 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5014A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5014S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5015 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5015 | MOT | CAN | на замовлення 628 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5015 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5015 | Microsemi | Trans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5015 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5015A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5015S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5017 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5017A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5018 | MOT | CAN | на замовлення 549 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5018 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5018A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5019 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5019 | InterFET | JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5019 | MOT | CAN | на замовлення 368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5019A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N501A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N501A | MOT | CAN | на замовлення 541 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N502 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5020 | MOTOROLA | на замовлення 4900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5020 | InterFET | JFETs JFET P-Channel 25V Low Ciss | на замовлення 388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5020 | MOT | CAN | на замовлення 159 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5020A | MOTOROLA | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5021 | MOT | CAN | на замовлення 687 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5021 | InterFET | JFETs JFET P-Channel 25V Low Ciss | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5021 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5021A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5022 | MOT | CAN | на замовлення 489 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5022 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5022A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5023 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5023 | MOT | CAN | на замовлення 957 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5023A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5024 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5024A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5027 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5027A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5028 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5028A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5029 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5029A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N502A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N502A | MOT | CAN | на замовлення 329 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N502B | MOT | CAN | на замовлення 841 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N503 | MOT | CAN | на замовлення 657 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N503 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5030 | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5031 | Microchip Technology | RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5031 | MOTOROLA | на замовлення 21500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5031 | Microsemi | Trans RF BJT NPN 10V 0.02A 4-Pin TO-72 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5031 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO-72 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Gain: 12dB @ 400MHz Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-72 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5031 | MOT | CAN | на замовлення 485 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5032 | MOT | CAN | на замовлення 689 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5032 | MOTOROLA | на замовлення 21500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5033 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5034 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5035 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5036 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5037 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5038 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 90V 20A TO-3 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-3 Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V Power - Max: 140 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT TO-3 NPN POWER SW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 90V 20A NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 20A; 140W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 20A Power dissipation: 140W Case: TO3 Current gain: 20...100 Mounting: THT Kind of package: bulk | на замовлення 201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5038 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 20A; 140W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 20A Power dissipation: 140W Case: TO3 Current gain: 20...100 Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 201 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5038 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038 | Ignion | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 90V 20A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TA) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-3 Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038 | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20A 90V 140W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038 | TT Electronics - IoT Solutions | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 90V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038 | Central Semiconductor | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5038G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 20 A, 140 W, TO-204, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 20A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-204 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5038G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5038G Код товару: 67440
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-204 Uceo,V: 90 V Ucbo,V: 150 V Ic,A: 20 A Монтаж: THT | у наявності 24 шт: 3 шт - склад4 шт - РАДІОМАГ-Київ 1 шт - РАДІОМАГ-Львів 12 шт - РАДІОМАГ-Одеса 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||
2N5038G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20A 90V 140W NPN | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5038G | onsemi | Description: TRANS NPN 90V 20A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 5V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V Power - Max: 140 W | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5038G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | на замовлення 533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5038G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 20A; 140W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 20A Case: TO3 Mounting: THT Frequency: 60MHz Power: 140W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5038G | ON | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5039 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 75V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5039 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 75V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5039 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 75V 20A NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5039 | Microchip Technology | Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 140 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5039 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 75V 20A TO3 Packaging: Bag Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 140 W | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5039 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5039 | Central Semiconductor | Central Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5039 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 75V 20A TO3 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 140 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N503A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N504 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N504 | MOT | CAN | на замовлення 295 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5040 | MOTOROLA | на замовлення 3890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5040 | MOT | CAN | на замовлення 874 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5040A | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5041 | MOTOROLA | на замовлення 3890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5041 | MOT | CAN | на замовлення 985 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5041A | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5042 | MOTOROLA | на замовлення 3890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5042 | MOT | CAN | на замовлення 648 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5042A | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5043 | MOT | CAN | на замовлення 598 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5043 | MOTOROLA | на замовлення 3890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5043A | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5044 | MOT | CAN | на замовлення 697 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5044 | MOTOROLA | на замовлення 3890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5044A | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5045 | NS | CAN | на замовлення 185 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5045 | MOTOROLA | на замовлення 3890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5045A | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5046 | NS | CAN | на замовлення 687 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5046 | MOTOROLA | на замовлення 3890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5046A | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5047 | MOTOROLA | на замовлення 3890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5047 | NS | CAN | на замовлення 591 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5047A | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5048 | MOTOROLA | на замовлення 3890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5048 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5048 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 100V 10A TO-61 Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-61 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5048A | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5049 | MOTOROLA | на замовлення 3890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5049 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5049A | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N504A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N505 | MOT | CAN | на замовлення 336 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N505 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5050 | MOT | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5050 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5050 | Microchip Technology | Description: NPN SILICON TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5050 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 125Vcbo 125Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5050 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 125Vcbo 125Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5051 | Microchip Technology | Description: NPN SILICON TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5051 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5051 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 150V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5051 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 150Vcbo 150Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5051 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 150Vcbo 150Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5052 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5052 | Microchip Technology | Description: NPN SILICON TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5052 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 200V 2A 40000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5052 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 200Vcbo 200Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5052 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 200Vcbo 200Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5053 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5053 | MOT | CAN | на замовлення 485 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5054 | MOT | CAN | на замовлення 685 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5054 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5055 | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5056 | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5056 | MOT | CAN | на замовлення 475 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5057 | MOT | CAN | на замовлення 578 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5057 | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5058 | MOT | CAN | на замовлення 469 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5058 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 300V 0.15A TO-39 | на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5058 | MOTOROLA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5058 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.15A; 1W; TO39 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 300V Current gain: 10...150 Collector current: 0.15A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Case: TO39 Frequency: 30...160MHz кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5058 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.15A; 1W; TO39 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 300V Current gain: 10...150 Collector current: 0.15A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Case: TO39 Frequency: 30...160MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5058 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor | на замовлення 634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5058 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 300V 0.15A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 30mA, 25V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1 W | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5059 | MOT | CAN | на замовлення 829 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5059 | MOTOROLA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5059 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5059 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 0.15A 1000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N505A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N506 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5060 | Littelfuse | ESD Protection Diodes / TVS Diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060 | onsemi | SCRs 30V 800mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060 | ON Semiconductor | Thyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060 APM PBFREE | Central Semiconductor | SCRs .8A,30V Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: .8A 30V TH SCR Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: .8A 30V TH SCR Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs .8A,30V Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060 PBFREE | Central Semiconductor | Silicon Controlled Rectifier 0.8 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060 PBFREE | Central Semiconductor | SCRs 0.8A 30V | на замовлення 6877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5060 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: SCR 30V 800MA TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 1 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | на замовлення 2057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5060 TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs 30Vdrm 0.8A Rms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: .8A 30V TH SCR Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060 TRE PBFREE | Central Semiconductor | SCRs .8A,30V Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: .8A 30V TH SCR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs .8A,30V Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: .8A 30V TH SCR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060G | ON Semiconductor | Thyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Box | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060G Код товару: 22577
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Тиристори > Тиристори, діністори Корпус: TO-92 Uзакр,V: 30 V Iвідкр,mA: 0,2 mA Imax,A: 0,8 A | у наявності 27 шт: 3 шт - РАДІОМАГ-Київ8 шт - РАДІОМАГ-Львів 13 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||
2N5060G | onsemi | Description: SCR 30V 800MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060G | ON Semiconductor | Thyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5060G - Thyristor, 30 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s) Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 30 Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10 Zündstrom, max., Igt: 350 Zündspannung, max., Vgt: 1.2 Haltestrom Ih, max.: 5 MSL: - Anzahl der Pins: 3 Strom It av: 320 Produktpalette: - Bauform - Thyristor: TO-92 Betriebstemperatur, max.: 110 Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060G | onsemi | SCRs THY 0.8A 30V SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060G | ON Semiconductor | SCR 30V 0.8A(RMS) 10A 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060RL1 | onsemi | Description: SILICON CONTROLLED RECTIFIER Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060RLRAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5060RLRAG - 2N5060RLRAG, STAND RECOVERY RECTIFIERS tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 56185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5060RLRAG | onsemi | Description: SCR 30V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060RLRAG | ON Semiconductor | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5060RLRAG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060RLRAG | ON Semiconductor | SCR 30V 0.8A(RMS) 10A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 54409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5060RLRAG | onsemi | Description: SCR 30V 800MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | на замовлення 54409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5060RLRM | ON Semiconductor | Thyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Tape and Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060RLRM | onsemi | Description: SCR 30V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060RLRM | ON | 07+; | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060RLRMG | onsemi | Description: SCR 30V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060RLRMG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5060RLRMG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061 | Littelfuse | ESD Protection Diodes / TVS Diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061 | ON Semiconductor | Thyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061 | onsemi | SCRs 50V 800mA Thyristor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061 | ON | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5061 APM PBFREE | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: SCR 60V 800MA TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 1 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 60 V | на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5061 PBFREE | Central Semiconductor | Thyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061 PBFREE | Central Semiconductor | SCRs 0.8A 60V | на замовлення 8035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5061 TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs 60Vdrm 0.8A Rms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061 TRE PBFREE | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061G | onsemi | Description: SCR 60V 800MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061G | onsemi | SCRs 50V 800mA Thyristor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061G Код товару: 48398
Додати до обраних
Обраний товар
| Тиристори > Тиристори, діністори Корпус: TO-92 Uзакр,V: 60 V Iвідкр,mA: 0,5 mA Imax,A: 1 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5061G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5061G - Thyristor, 60 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s) Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 60 Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10 Zündstrom, max., Igt: 350 Zündspannung, max., Vgt: 1.2 Haltestrom Ih, max.: 5 MSL: - Anzahl der Pins: 3 Strom It av: 320 Produktpalette: - Bauform - Thyristor: TO-92 Betriebstemperatur, max.: 110 Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061G | ON Semiconductor | Thyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061RLRA | onsemi | Description: SCR 60V 800MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061RLRAG | ON | 10+ TSSOP | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061RLRAG | onsemi | Description: SCR 60V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5061RLRAG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062 Код товару: 175840
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Тиристори > Тиристори, діністори Корпус: TO-92 Uзакр,V: 100 V Iвідкр,mA: 510 mA Imax,A: 10 A | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||
2N5062 | Littelfuse | ESD Protection Diodes / TVS Diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062 | onsemi | SCRs 100V 800mA Thyristor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: .8A 100V TH SCR Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062 APM PBFREE | Central Semiconductor | SCRs .8A,100V Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: .8A 100V TH SCR Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs .8A,100V Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062 china Код товару: 207676
Додати до обраних
Обраний товар
| China | Тиристори > Тиристори, діністори Корпус: TO-92 Uзакр,V: 100 V Iвідкр,mA: 510 mA Imax,A: 10 A | у наявності 1863 шт: 1633 шт - склад50 шт - РАДІОМАГ-Київ 50 шт - РАДІОМАГ-Львів 50 шт - РАДІОМАГ-Харків 50 шт - РАДІОМАГ-Одеса 30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||
2N5062 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: SCR 100V 800MA TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 1 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | на замовлення 4180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5062 PBFREE | Central Semiconductor | SCRs 0.8A 100V | на замовлення 4813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5062 PBFREE | Central Semiconductor | Thyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: .8A 100V TH SCR Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062 TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs 100Vdrm 0.8A Rms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: .8A 100V TH SCR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062 TRE PBFREE | Central Semiconductor | SCRs .8A,100V Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: .8A 100V TH SCR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs .8A,100V Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062G | ON Semiconductor | Thyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062G Код товару: 1012
Додати до обраних
Обраний товар
| Тиристори > Тиристори, діністори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5062G | onsemi | Description: SCR 100V 800MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062G | onsemi | SCRs 100V 800mA Thyristor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062G | ON Semiconductor | Thyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062RLRA | ON Semiconductor | Thyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5062RLRA | onsemi | Description: SCR 100V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062RLRA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5062RLRA - 2N5062RLRA, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5062RLRA | ON Semiconductor | Thyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 16286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5062RLRA | onsemi | Description: SCR 100V 800MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | на замовлення 30286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5062RLRAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5062RLRAG - 2N5062RLRAG, STAND RECOVERY RECTIFIERS tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5062RLRAG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062RLRAG | onsemi | Description: SCR 100V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062RLRAG | onsemi | Description: SCR 100V 800MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | на замовлення 2092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5062RLRAG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5062RLRAG | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
2N5062RLRAG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5062RLRAG | onsemi | Description: SCR 100V 800MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5063 | Central Semiconductor Corp | Description: SCR 0.8A 150V TO-92 | на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5063 | Littelfuse | ESD Suppressors / TVS Diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5063 APM PBFREE | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5063 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5063 PBFREE | Central Semiconductor | SCRs 0.8A 150V | на замовлення 2686 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5063 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: SCR 150V 800MA TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 1 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 150 V | на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5063 TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs 150Vdrm 0.8A Rms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5063 TRE PBFREE | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5063 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064 | onsemi | SCRs 200V 800mA Thyristor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064 | Littelfuse Inc. | Description: SCR 200V 800MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16A, 20A Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 1 µA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064 | Littelfuse | SCRs 200V .8A 200uA Sensing | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064 | Littelfuse | Thyristor SCR 200V 20A 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064 APM PBFREE | Central Semiconductor | SCRs .8A,200V Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: .8A 200V TH SCR Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs .8A,200V Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: .8A 200V TH SCR Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: SCR 200V 800MA TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 1 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | на замовлення 3418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5064 PBFREE | Central Semiconductor | Thyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064 PBFREE | Central Semiconductor | SCRs 0.8A 200V | на замовлення 15984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5064 TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs 200Vdrm 0.8A Rms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: .8A 200V TH SCR Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: .8A 200V TH SCR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064 TRE PBFREE | Central Semiconductor | SCRs .8A,200V Through-Hole SCR | на замовлення 3217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5064 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | SCRs .8A,200V Through-Hole SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: .8A 200V TH SCR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064,112 | NXP Semiconductors | SCRs BULK SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064,112 | NXP Semiconductors | Thyristor SCR 200V 10A 3-Pin SPT Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064,112 | NXP USA Inc. | Description: SCR 200V 800MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -65°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.71 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064G Код товару: 62224
Додати до обраних
Обраний товар
| Тиристори > Тиристори, діністори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5064G | ON Semiconductor | Thyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064G | onsemi | Description: SCR 200V 800MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064G | MIC | It=0,8A; Vdrm=200V; Igt=200uA *obsolete*2N5064G, 2N5064RLRMG, 2N5064RLRAG, 2N5064,112 2N5064 TO92 TY000.82n5064 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 650 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5064G | ON Semiconductor | Thyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5064G - Thyristor, 200 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s) Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 200 Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10 Zündstrom, max., Igt: 350 Zündspannung, max., Vgt: 1.2 Haltestrom Ih, max.: 5 MSL: - Anzahl der Pins: 3 Strom It av: 320 Produktpalette: - Bauform - Thyristor: TO-92 Betriebstemperatur, max.: 110 Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064G | onsemi | SCRs THY 0.8A 200V SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064RLRA | onsemi | Description: SCR 200V 800MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064RLRAG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064RLRAG | onsemi | Description: SCR 200V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064RLRAG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064RLRAG | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
2N5064RLRM | onsemi | Description: SCR 200V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064RLRMG | ON Semiconductor | Thyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064RLRMG | onsemi | Description: SCR 200V 800MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064RLRMG | ON | 07+; | на замовлення 76000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5064RP | Littelfuse Inc. | Description: SCR 200V 800MA TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16A, 20A Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V Current - Off State (Max): 1 µA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5065 | MOT | CAN | на замовлення 391 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5066 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5066 | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-46-3 Lens Top Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 1nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1mA, 6V Supplier Device Package: TO-46 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 400 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5066 | MOT | CAN | на замовлення 619 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5066 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 0.1A 3-Pin TO-46 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5067 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 40V 5A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 87.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5067 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5068 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5068 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 5A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 87 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5069 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5069 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 5A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 87 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N506A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N507 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5071 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5073 | MOT | CAN | на замовлення 371 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5074 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300µA, 500µA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5074 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5075 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300µA, 500µA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5075 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5076 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300µA, 500µA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5076 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5077 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5077 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 3A TO-59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5077 | General Semiconductor | Description: TRANS 250V 3A TO59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 40 W | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5078 | MOT | CAN | на замовлення 648 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5078 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5079 | MOT | CAN | на замовлення 913 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N507A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N508 | MOTOROLA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N508 | MOT | CAN | на замовлення 655 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5080 | MOT | CAN | на замовлення 827 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5081 | MOT | CAN | на замовлення 541 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5082 | MOT | CAN | на замовлення 918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5083 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5083 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5084 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5084 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5085 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5085 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 | Fairchild Semiconductor | Description: 2N5086 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 APP PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 50V 0.05A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 TRA PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086BU | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086BU | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5086BU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086BU | FAIRCHILD | 2N5086BU | на замовлення 45478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5086BU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 91978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5086BU | FAIRCHILD | 2N5086BU | на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5086TA | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086TAR | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086TF | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086TFR | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086TFR | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5086_D26Z | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 | MICROSS/On Semiconductor | Description: DIE TRANS PNP 50V SMALL SIGNAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 | Broadcom / Avago | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 Код товару: 144832
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5087 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS T092 LN XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 APP PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 50V 0.05A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 6001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5087 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS | на замовлення 6260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5087 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 TRA PBFREE | Central Semiconductor | 2N5087 TRA PBFREE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 625mW 1.5W | на замовлення 3071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5087 TRA PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | на замовлення 4062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5087 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087BU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087BU | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087BU | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5087BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 250 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 625 Übergangsfrequenz ft: 40 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087G | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087RLRA | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087RLRAG Код товару: 18859
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 fT: 40 MHz Uке, В: 50 V Uкб, В: 50 V Iк, А: 0,05 A h21,max: 250 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087RLRAG | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A TO92 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087RLRAG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087RLRAG | ON | 09+ | на замовлення 1218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087RLRAG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087RLRAG | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087TA | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087TAR | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087TF | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087TFR | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087_J18Z | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087_J61Z | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5087_S00Z | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 | FAIRCHILD | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5088 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5088 | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 Код товару: 161421
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 fT: 50 MHz Uceo,V: 30 V Ucbo,V: 35 V Ic,A: 0,05 A Монтаж: THT | у наявності 50 шт: 50 шт - склад |
| |||||||||||||||
2N5088 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 APP PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | на замовлення 20917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5088 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 300...900 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 4796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5088 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 300...900 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 30V 0.05A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 3644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5088 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 4796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5088 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA | на замовлення 1112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5088 TRA PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088BU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088BU | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088BU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 35V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088G (транзистор біполярний NPN) Код товару: 29368
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 fT: 50 MHz Uceo,V: 30 V Ucbo,V: 35 V Ic,A: 0,05 A h21: 900 | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||
2N5088RLRA | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
2N5088RLRA | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088RLRAG | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088TA | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088TA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5088TA - 2N5088TA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088TA | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088TA | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | на замовлення 3531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088TAR | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088TAR | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088TAR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088TAR | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088TF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | на замовлення 6289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088TF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088TF | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088TFR | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088_D11Z | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088_D11Z | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088_D74Z | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088_D81Z | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5088_J61Z | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089 | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089 | FSC | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5089 | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 36987
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 fT: 50 MHz Uceo,V: 25 V Ucbo,V: 30 V Ic,A: 0,05 A h21: 1200 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5089 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | на замовлення 9364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5089 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | на замовлення 9971 шт: термін постачання 43-52 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5089 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 300...900 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3992 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5089 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 300...900 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz | на замовлення 3992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5089 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 25V 0.05A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 4005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5089 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 25Vceo 4.5Vebo 50mA 625mW | на замовлення 2631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5089 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089BU | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089BU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089RLRA | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089RLRAG | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089TA | Fairchild | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5089TA | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089TAR | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089TA_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN 25V 100mA HFE/12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089TF | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089TFR | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5089_J18Z | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N508A | MOTOROLA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N508A | MOT | CAN | на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N509 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N509 | MOT | CAN | на замовлення 328 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5090 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5091 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5091 | MOT | CAN | на замовлення 329 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5092 | MOT | CAN | на замовлення 841 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5092 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5093 | MOT | CAN | на замовлення 657 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5093 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5094 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5094 | MOT | CAN | на замовлення 295 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5095 | MOT | CAN | на замовлення 336 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5095 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 500V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 4 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5096 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 500V 1A 3-Pin TO-5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5096 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5096 | MOT | CAN | на замовлення 655 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5097 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5097 | MOT | CAN | на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5097 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 600V 1A 3-Pin TO-5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5098 | MOT | CAN | на замовлення 328 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5099 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 4 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5099 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 800V 1A 3-Pin TO-5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5099 | MOTOROLA | на замовлення 680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5099 | MOT | CAN | на замовлення 687 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5099 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5099A | MOTOROLA | на замовлення 560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N509A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N50E | PH | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N51 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N510 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5103 | MOTOROLA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5103 | MOT | CAN | на замовлення 987 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5104 | MOT | CAN | на замовлення 458 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5104 | MOTOROLA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5105 | MOT | CAN | на замовлення 638 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5105 | MOTOROLA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5106 | MOTOROLA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5106 | MOT | CAN | на замовлення 498 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5106A | MOTOROLA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5107 | MOT | CAN | на замовлення 756 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5107 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5108 | MOTOROLA | на замовлення 15500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5108 | MOT | CAN | на замовлення 387 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5109 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5109 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5109 | MICROSEMI | кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5109 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Gain: 12dB Power - Max: 2.5W Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V Frequency - Transition: 1.2GHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5109 | Microchip Technology | Trans RF BJT NPN 20V 0.4A 2500mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5109 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 31239
Додати до обраних
Обраний товар
| Central Semiconductor | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-39 fT: 1,2 GHz Uceo,V: 20 V Ucbo,V: 40 V Ic,A: 0,4 A h21: 120 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5109 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V Frequency - Transition: 1.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5109 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Wide Bd AM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5109 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN RF 40Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 400mA 1.0W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5109JAN | IR | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5109JANTX | IR | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5109UB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5109UB BK | Central Semiconductor Corp | Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 11dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V Frequency - Transition: 1.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 200MHz Supplier Device Package: UB Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N510A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N511 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5110 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5110 | MOT | CAN | на замовлення 687 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5111 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5111 | MOT | CAN | на замовлення 954 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5112 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5113 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5114 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114 | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114 | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114 | MOT | CAN3 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114 | Vishay | 2002 | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114 | Microchip Technology | Description: JFET P-CH 30V TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 75 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114 | InterFET | JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5114 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114 | Vishay Semiconductors | JFET 30V 10pA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114 | VISHAY | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5114 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114 | VISHAY | CAN | на замовлення 295 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114 TO-18 3L | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: P-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5114 TO-18 3L ROHS | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: JFET P-CH 30V TO18-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18-3 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 75 Ohms | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5114-E3 | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114-E3 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114E3 | Microsemi | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114JAN02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114JTVL02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114JTX02 | Vishay | 19500/476 JANTX2N5114 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114JTX02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114JTXL02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114JTXV02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114UB | Microsemi | Trans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5114UB | Microchip Technology | Description: JFET P-CH 30V UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: UB Part Status: Discontinued at Digi-Key Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 75 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114UB | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114UB/TR | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5114UB/TR | Microchip Technology | Description: JFET P-CH 30V UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 75 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115 | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115 | Vishay | 00+/01 | на замовлення 377 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115 | VISHAY | CAN | на замовлення 336 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115 | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115 | MOTO | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5115 | Central Semiconductor Corp | Description: JFET P-CH 30V TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115 | VISHAY | 0018+ TO-18 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115 | Microchip Technology | Description: JFET P-CH 30V TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60 mA @ 15 V Qualification: MIL-PRF-19500 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115 | InterFET | JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5115 TO-18 3L | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: JFET P-CH 30V TO18-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18-3 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5115-E3 | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115-E3 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115E3 | Microchip Technology | JFETs JFET | на замовлення 100 шт: термін постачання 448-457 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5115E3 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115E3 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115E3 | Microchip Technology | Description: JFET P-CH 30V TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115E3 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115JAN | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115JAN02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115JANTX | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115JTVL02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115JTX02 | Vishay | Trans JFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115JTX02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115JTXL02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115JTXV02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115UB | Microchip Technology | Description: JFET P-CH 30V UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: UB Grade: Military Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60 mA @ 15 V Qualification: MIL-PRF-19500 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115UB | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115UB | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115UB | Microchip / Microsemi | JFET JFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115UB/TR | Microchip Technology | Description: JFET P-CH 30V UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: UB Grade: Military Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60 mA @ 15 V Qualification: MIL-PRF-19500 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5115UB/TR | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116 | Vishay | 2002 | на замовлення 279 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116 | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116 | Central Semiconductor Corp | Description: JFET P-CH 30V TO18 Packaging: Box Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 150 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116 | InterFET | JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5116 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116 | VISHAY | на замовлення 439 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5116 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116 | VISHAY | CAN | на замовлення 655 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116 | Microchip Technology | Description: JFET P-CH 30V TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 Grade: Military Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 175 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V Qualification: MIL-PRF-19500 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116 | SIL | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5116 BK PBFREE | Central Semiconductor | JFET P-Ch Junc FET | на замовлення 677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116 PBFREE | Central Semiconductor | JFETs 1V,4V,50mA,500mW Through-Hole JFET P Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116 PBFREE | Central Semiconductor | Trans JFET P-CH Si 3-Pin TO-18 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116 TO-18 3L | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: P-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH | на замовлення 4621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116 TO-18 3L ROHS | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: JFET P-CH 30V TO18-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18-3 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 150 Ohms | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5116-E3 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116-E3 | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116JAN02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116JANTX | Vishay | Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116JTVL02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116JTX02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116JTXL02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116JTXV02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH 30V TO-18 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116UA | Microchip Technology | JFETs 30V 500MW JFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116UA | Microchip Technology | Description: JFET P-CH 30V UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: UA Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 175 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116UA/TR | Microchip Technology | Description: JFET P-CH 30V UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: UA Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 175 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116UA/TR | Microchip Technology | JFETs 30V 500MW JFET TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116UB | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116UB | Microchip Technology | JFET JFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116UB | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116UB | Microchip Technology | Description: JFET P-CH 30V UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: UB Grade: Military Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 175 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V Qualification: MIL-PRF-19500 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116UB/TR | Microchip Technology | Description: JFET P-CH 30V UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: UB Grade: Military Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 175 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V Qualification: MIL-PRF-19500 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5116UB/TR | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5117 | MOT | CAN | на замовлення 591 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5117 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5118 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5118 | MOT | CAN | на замовлення 628 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5119 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5119 | MOT | CAN | на замовлення 397 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N511A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N512 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5120 | MOT | CAN | на замовлення 468 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5120 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5121 | MOT | CAN | на замовлення 198 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5121 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5122 | MOT | CAN | на замовлення 627 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5122 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5123 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5124 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5125 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5126 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5127 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5128 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5129 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N512A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N513 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5130 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5131 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5132 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5133 | NSC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5134 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5135 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5136 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5137 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5138 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5139 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N513A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N514 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5140 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5141 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5142 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5143 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5144 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5144 | MOT | CAN | на замовлення 837 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5145 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5145 | MOT | CAN | на замовлення 461 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5147 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5147 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5147 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5147 | MOT | CAN | на замовлення 843 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5148 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5148 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 7 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5148 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5148 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5148 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5148 | MOT | CAN | на замовлення 691 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5149 | MOT | CAN | на замовлення 466 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5149 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5149 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5149 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N514A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N515 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5150 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5150 Код товару: 140183
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5150 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5150 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5150 | MOT | CAN | на замовлення 485 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5150 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5151 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5151 | MOTOROLA | на замовлення 8800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5151 | TT Electronics - IoT Solutions | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5151 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5151 | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5151 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5151 | MOT | CAN | на замовлення 246 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5151 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/545 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5151 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5151 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5151L | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5151L | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5151L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A TO5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/545 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5151U3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5151U3 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A U3 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.16 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5152 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5152 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5152 | Microsemi Corporation | Description: NPN SILICON TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5152 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5152 | MOT | CAN | на замовлення 695 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5152L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5152L | Microsemi Corporation | Description: NPN SILICON TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5152L | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5152U3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153 | MOT | CAN | на замовлення 318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153 | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153 | NEC | CAN | на замовлення 155 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153 | TT Electronics - IoT Solutions | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5153 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153-220M | TT Electronics - IoT Solutions | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153-220M | Ignion | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153-220M | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT NPN 80V 5A 4400mW 3-Pin(3+Tab) TO-257AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153DIE2HR | STMicroelectronics | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153DIE2S | STMicroelectronics | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153ESY | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Strip | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153ESYHRB - 5204/002/04 | STMicroelectronics | 2N5153ESYHRB - 5204/002/04 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153HR - 5204/002/02 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin TO-39 Strip | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153L | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153L | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153RESYHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153RESYHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153RESYHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153RESYHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153RESYHRT | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153RSHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 35000mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153RSRHRT | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 Strip | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153S1 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 35000mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153SHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 35000mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153SMD05 | Semelab / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153SMD05 | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT PNP 80V 5A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153SR1 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153SSW | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153SSWG | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153ST1 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153SW | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153SY | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153T1 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153U3 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153U3 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153U3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5153U3 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A U3 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.16 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5154 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5154 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 2A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154 | MOT | CAN | на замовлення 617 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Power SW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 100Vcbo 80Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154DIE2HR | STMicroelectronics | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154DIE2S | STMicroelectronics | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154ESY | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154ESY | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Strip | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154ESY1 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154ESYHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154ESYHRT | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154HR - 5203/010/01 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-39 Strip | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154HR - 5203/010/02 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-39 Strip | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154L | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 2A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154L | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154RESYHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154RESYHRT | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154RSRHRT | STMicroelectronics | 2N5154RSRHRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154S1 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5154S1 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 80V 5A SMD5 Packaging: Strip Package / Case: TO-276AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: SMD5 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 35 W | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5154S1 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5154S1 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5154S1 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154SHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 35000mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154SR1 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154SRHRG | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154SSWG | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154ST1 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154SY | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154T1 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT Hi-Rel NPN Bipolar Transistor 80V - 5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154T2A | Semelab | Trans GP BJT NPN 80V 2A 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154T2A | Semelab / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154U3 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5154U3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5154U3 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 2A U3 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5154U3 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5154U3 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5155 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5156 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5157 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 500V 3.5A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5157 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5157 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 500V 3.5A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5157 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 500V 3.5A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5158 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5158 | MOT | CAN | на замовлення 728 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5159 | MOT | CAN | на замовлення 318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5159 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N515A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N516 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5160 | SOLID STATE | Description: SOLID STATE - 2N5160 - TO 3 Silicon Transistor PNP 10P5440 | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5160 | MOT | CAN | на замовлення 644 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5160 | MOT | CAN3 | на замовлення 665 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5160 | MOTOROLA | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5160A | MOTOROLA | на замовлення 12850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5161 | MOT | 89+ SOP | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5163 | NS | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5163 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5164 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5165 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5166 | SSI | 0339 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5167 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5168 | Solid State Inc. | Description: TO 48 20 AMP SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5168 | MOTOROLA | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5169 | Solid State Inc. | Description: TO 48 20 AMP SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5169 | MOTOROLA | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N516A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N517 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N5170 | Solid State Inc. | Description: TO 48 20 AMP SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5171 | Solid State Inc. | Description: TO 48 20 AMP SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 | Good-Ark Semiconductor | Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 7447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5172 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 PBFREE | Central Semiconductor | 2N5172-CEN NPN THT transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5172 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | на замовлення 4824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5172 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 100mA 625mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 TRE PBFREE | Central Semiconductor | 2N5172 TRE PBFREE | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5172 TRE PBFREE | Central Semiconductor | 2N5172 TRE PBFREE | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
2N5172 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N5172 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |