2N6517BU ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40Hz...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 20...200
Collector current: 0.5A
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 3.87 грн |
| 240+ | 3.86 грн |
| 500+ | 3.69 грн |
| 640+ | 3.65 грн |
| 2000+ | 3.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6517BU ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції 2N6517BU за ціною від 3.70 грн до 30.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N6517BU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 40Hz...200MHz Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 20...200 Collector current: 0.5A кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 6200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N6517BU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 8974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N6517BU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 4036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N6517BU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N6517BU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 13260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2N6517BU | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 500mA 350V 620mW 2N6517 T2N6517 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
2N6517BU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |