Продукція > ONSEMI > 2N6517BU
2N6517BU

2N6517BU ONSEMI

2N6517-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40Hz...200MHz
Collector current: 0.5A
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 20...200
на замовлення 3580 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+4.28 грн
500+4.08 грн
2000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6517BU ONSEMI

Description: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2N6517BU за ціною від 5.07 грн до 25.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N6517BU 2N6517BU ON Semiconductor 2n6517-d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 8974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4465+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 4465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BU 2N6517BU onsemi 2N6517-D.PDF Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.03 грн
21+14.61 грн
100+9.20 грн
500+6.40 грн
1000+5.67 грн
2000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BU 2N6517BU onsemi / Fairchild 2N6517_D-2037079.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 8698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BU 2N6517BU ONSEMI 2N6517-D.PDF Description: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BU 2n6517-d.pdf
2N6517BU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 8974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4465+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 4465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BU 2N6517-D.PDF
2N6517BU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.03 грн
21+14.61 грн
100+9.20 грн
500+6.40 грн
1000+5.67 грн
2000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BU 2N6517_D-2037079.pdf
2N6517BU
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 8698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BU 2N6517-D.PDF
2N6517BU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.