Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N6517BU
2N6517BU

2N6517BU ON Semiconductor

2n6517-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 8974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4262+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 4262
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6517BU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції 2N6517BU за ціною від 4.51 грн до 26.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N6517BU 2N6517BU Виробник : onsemi 2n6515-d.pdf Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.94 грн
23+13.33 грн
100+8.35 грн
500+5.81 грн
1000+5.16 грн
2000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BU 2N6517BU Виробник : ONSEMI 112567.pdf Description: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.03 грн
55+14.67 грн
100+9.28 грн
500+6.18 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BU 2N6517BU Виробник : onsemi / Fairchild 2N6517_D-2037079.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 8698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.40 грн
20+15.87 грн
100+8.70 грн
500+6.46 грн
1000+5.10 грн
2500+4.83 грн
5000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BU Виробник : ONSEMI 2n6515-d.pdf 2N6517BU NPN THT transistors
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
56+5.67 грн
240+5.02 грн
640+4.74 грн
10000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
2N6517BU Виробник : Vishay Semiconductors 2n6515-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.