2N6517CTA ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8265+ | 4.27 грн |
| 10000+ | 3.80 грн |
| 100000+ | 3.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6517CTA ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 400V 0.5A TO-92-3, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Packaging: Tape & Box (TB).
Інші пропозиції 2N6517CTA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
2N6517CTA | ON Semiconductor / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N6517CTA |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




