2N6517TA ON Semiconductor
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3334+ | 3.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6517TA ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N6517TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2N6517TA за ціною від 3.93 грн до 27.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N6517TA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N6517TA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N6517TA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N6517TA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N6517TA | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Collector current: 0.5A Current gain: 30...200 Frequency: 40...200MHz Collector-emitter voltage: 350V |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N6517TA | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Collector current: 0.5A Current gain: 30...200 Frequency: 40...200MHz Collector-emitter voltage: 350V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 560 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N6517TA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 11073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N6517TA | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 7845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N6517TA | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N6517TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N6517TA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| 2N6517TA |
|
на замовлення 9080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| 2N6517TA |
05+ |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
2N6517TA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
2N6517TA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
товару немає в наявності |




