Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER HIREL PRODUCTS > 2N6796
2N6796

2N6796 International Rectifier HiRel Products

jantx2n6798.pdf Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 3-Pin TO-39
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+1322.00 грн
10+1200.40 грн
50+1163.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6796 International Rectifier HiRel Products

Description: MOSFET N-CH 100V 8A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AF Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA, Supplier Device Package: TO-39, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.34 nC @ 10 V.

Інші пропозиції 2N6796

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N6796 2N6796 Виробник : Semelab 2n6796.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6796 2N6796 Виробник : Semelab (TT electronics) 2n6796.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6796 2N6796 Виробник : ON Semiconductor jantx2n6798.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6796 Виробник : MICROSEMI TO-205AF/N-CHANNEL MOSFET 2N6796
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6796 2N6796 Виробник : Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 100V 8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.34 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6796 2N6796 Виробник : Microchip Technology MOSFETs N Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6796 2N6796 Виробник : Infineon / IR MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6796 Виробник : onsemi / Fairchild MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6796 2N6796 Виробник : Semelab / TT Electronics TTRB_S_A0007662266_1-2565350.pdf MOSFETs TO205 N CHAN 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.