Технічний опис 2N6796 MICROSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 8A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AF Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA, Supplier Device Package: TO-39, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.34 nC @ 10 V.
Інші пропозиції 2N6796
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N6796 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA Supplier Device Package: TO-39 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.34 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
2N6796 | Infineon / IR | MOSFETs |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
2N6796 | Microchip Technology | MOSFETs N Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N6796 | onsemi / Fairchild | MOSFETs |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
2N6796 | Semelab / TT Electronics |
 MOSFETs TO205 N CHAN 100V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N6796 |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.34 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 100V 8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.34 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N6796 |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs N Channel MOSFET
MOSFETs N Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N6796 |
|
Виробник: Semelab / TT Electronics
MOSFETs TO205 N CHAN 100V
MOSFETs TO205 N CHAN 100V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.