Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > 2N6849
2N6849

2N6849 International Rectifier

jantx2n6849.pdf Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3-Pin TO-39
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1123.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6849 International Rectifier

Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AF Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-39, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V.

Інші пропозиції 2N6849 за ціною від 904.27 грн до 1124.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N6849 2N6849 Виробник : International Rectifier HiRel Products jantx2n6849.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3-Pin TO-39
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+1124.83 грн
10+1072.71 грн
25+1048.39 грн
50+996.71 грн
100+904.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N6849 Виробник : MICROSEMI 8809-lds-0009-datasheet TO-39/P-CHANNEL MOSFET 2N6849
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6849 2N6849 Виробник : Microsemi Corporation 8809-lds-0009-datasheet Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6849 2N6849 Виробник : Microchip Technology LDS_0009_rev_3-1593895.pdf MOSFETs P Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6849 2N6849 Виробник : Infineon / IR 8809-lds-0009-datasheet MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6849 2N6849 Виробник : Semelab / TT Electronics TTRB_S_A0007718350_1-2565449.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.