Продукція > VISHAY > 2N7002-T1-GE3
2N7002-T1-GE3
  • 2N7002-T1-GE3
  • 2N7002-T1-GE3

2N7002-T1-GE3 VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B36914B6F9C0C7&compId=2N7002.pdf?ci_sign=35e0bf3f8a52d296990b98fbcdea58071de719d3 Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.59 грн
50+9.78 грн
140+6.84 грн
250+6.76 грн
385+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002-T1-GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 2N7002-T1-GE3 за ціною від 6.93 грн до 52.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002-T1-GE3
+1
 		2N7002-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B36914B6F9C0C7&compId=2N7002.pdf?ci_sign=35e0bf3f8a52d296990b98fbcdea58071de719d3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.31 грн
50+12.19 грн
140+8.21 грн
250+8.11 грн
385+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 Виробник : Vishay 70226.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1786+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 1786
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 Виробник : Vishay 70226.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 70226.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 70226.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.04 грн
11+30.94 грн
100+19.86 грн
500+14.13 грн
1000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 Виробник : Vishay 70226.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 Виробник : Vishay 70226.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 70226.pdf MOSFETs 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.