2N7002-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002-T1-GE3 VISHAY
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.
Інші пропозиції 2N7002-T1-GE3 за ціною від 7.58 грн до 49.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N7002-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N7002-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N7002-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 5928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N7002-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
2N7002-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
2N7002-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
2N7002-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V |
товару немає в наявності |