2N7002-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002-T1-GE3 VISHAY
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3.
Інші пропозиції 2N7002-T1-GE3 за ціною від 9.02 грн до 49.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2N7002-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2N7002-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) |
на замовлення 5928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2N7002-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
2N7002-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 27 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
2N7002-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 77 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
2N7002-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 410 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N7002-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1568+ | 9.02 грн |
| 2N7002-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.50 грн |
| 2N7002-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.95 грн |
| 11+ | 29.70 грн |
| 100+ | 19.07 грн |
| 500+ | 13.56 грн |
| 1000+ | 12.17 грн |
| 2N7002-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)