НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N700MOTOROLA
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N700/18CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7000ONSEMI2N7000-ONS THT N channel transistors
товар відсутній
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+8.63 грн
67+ 8.55 грн
100+ 8.16 грн
250+ 7.48 грн
500+ 5.39 грн
1000+ 3.25 грн
3000+ 1.91 грн
Мінімальне замовлення: 66
2N7000
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2N7000STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000Microchip TechnologyMOSFET 60V 5Ohm
товар відсутній
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000
Код товару: 182880
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,32 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
Монтаж: THT
у наявності 27 шт:
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
2+3.5 грн
10+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7000LGETranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 300
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 7524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1410+8.13 грн
1424+ 8.06 грн
1437+ 7.98 грн
2500+ 7.42 грн
Мінімальне замовлення: 1410
2N7000Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+62.4 грн
100+ 27.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000Vishay / SiliconixMOSFET 60V 0.2A 0.4W
товар відсутній
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 141
2N7000onsemiDescription: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 14358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.19 грн
12+ 23.97 грн
100+ 14.4 грн
1000+ 8.51 грн
5000+ 7.51 грн
10000+ 6.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000Diotec SemiconductorMOSFET MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
на замовлення 10815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.83 грн
22+ 14.45 грн
100+ 10.51 грн
500+ 8.33 грн
1000+ 7.34 грн
4000+ 5.55 грн
8000+ 3.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7000ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 400mW
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.65 грн
25+ 29.75 грн
100+ 14.76 грн
500+ 10.95 грн
1000+ 7.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1227+9.35 грн
1239+ 9.26 грн
1252+ 9.17 грн
2500+ 8.52 грн
Мінімальне замовлення: 1227
2N7000LUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5905 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
45+6.53 грн
65+ 4.14 грн
250+ 3.59 грн
330+ 2.91 грн
910+ 2.75 грн
Мінімальне замовлення: 45
2N7000NTE Electronics, Inc.N-Ch, Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 232
2N7000Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 142448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.46 грн
20+ 13.85 грн
100+ 6.76 грн
500+ 5.29 грн
1000+ 3.67 грн
2000+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7000STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 0.35 A
товар відсутній
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7000
Код товару: 20638
NXPТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
товар відсутній
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+18.24 грн
44+ 13.13 грн
100+ 6.89 грн
500+ 5.54 грн
1000+ 3.09 грн
Мінімальне замовлення: 32
2N7000DIOTECTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO 2N7000 DIOTEC T2N7000 DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.1 грн
Мінімальне замовлення: 300
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000Fairchild SemiconductorТранз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
на замовлення 336 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
50+5.46 грн
56+ 4.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N7000Diodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
2N7000STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
2N7000
Код товару: 200238
CJТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності 1471 шт:
1271 шт - склад
200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+3 грн
10+ 2.5 грн
100+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N7000LGEN-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 300
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.7 грн
2000+ 11.6 грн
4000+ 10.8 грн
6000+ 9.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7000DIOTEC SEMICONDUCTOR2N7000-DIO THT N channel transistors
на замовлення 42290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
39+7.01 грн
380+ 2.57 грн
1040+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 39
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+8.77 грн
66+ 8.68 грн
100+ 8.6 грн
1000+ 8.21 грн
2500+ 7.33 грн
Мінімальне замовлення: 65
2N7000Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.52 грн
8000+ 3.15 грн
12000+ 2.61 грн
28000+ 2.41 грн
100000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7000onsemi / FairchildMOSFET Small Signal MOSFET 60V 200mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92
на замовлення 48798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.41 грн
12+ 26.69 грн
100+ 12.9 грн
1000+ 8.33 грн
2500+ 7.74 грн
10000+ 7.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 45
2N7000LUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.45 грн
105+ 3.32 грн
250+ 2.99 грн
330+ 2.43 грн
910+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+8.31 грн
70+ 8.23 грн
100+ 8.15 грн
1000+ 7.78 грн
2500+ 6.95 грн
Мінімальне замовлення: 69
2N7000 AMONXP SemiconductorsMOSFET TRENCH 31V-99V G2
товар відсутній
2N7000,126NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7000,126NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-APMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.76 грн
6000+ 5.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.2 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 514 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+36.86 грн
11+ 24.81 грн
25+ 19.67 грн
100+ 9.67 грн
274+ 9.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7000-D26ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 9952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.18 грн
14+ 20.05 грн
100+ 12 грн
500+ 10.43 грн
1000+ 7.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7000-D26Zonsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 33090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.39 грн
14+ 22.05 грн
100+ 10.78 грн
1000+ 7.34 грн
2000+ 6.41 грн
10000+ 6.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7000-D26ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.71 грн
18+ 19.91 грн
25+ 16.39 грн
100+ 8.06 грн
274+ 7.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.68 грн
6000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N7000-D26ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.23 грн
6000+ 6.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26ZONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 15835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.09 грн
31+ 24.7 грн
100+ 12.39 грн
500+ 11.3 грн
Мінімальне замовлення: 23
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N7000-D74ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.04 грн
13+ 22.39 грн
100+ 13.44 грн
500+ 11.68 грн
1000+ 7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000-D74Zonsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 43480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.33 грн
13+ 24.87 грн
100+ 11.84 грн
1000+ 8.27 грн
2000+ 7.21 грн
10000+ 6.48 грн
50000+ 6.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-D74ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-D74ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.09 грн
6000+ 7.47 грн
10000+ 6.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-D74ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2N7000-D75ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 13440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.04 грн
15+ 19.01 грн
100+ 11.4 грн
500+ 9.9 грн
1000+ 6.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7000-D75ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+30.27 грн
12+ 21.46 грн
25+ 15.54 грн
100+ 11.99 грн
113+ 8.51 грн
310+ 8.1 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000-D75Zonsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 4972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.23 грн
15+ 21.14 грн
100+ 10.18 грн
1000+ 6.94 грн
2000+ 6.08 грн
10000+ 5.49 грн
50000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7000-D75ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-D75ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-D75ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+25.22 грн
20+ 17.22 грн
27+ 12.95 грн
100+ 9.99 грн
113+ 7.1 грн
310+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7000-D75ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.86 грн
6000+ 6.33 грн
10000+ 5.7 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+28.85 грн
401+ 28.66 грн
500+ 28.17 грн
2000+ 24.81 грн
Мінімальне замовлення: 398
2N7000-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.83 грн
8+ 33.14 грн
10+ 29.59 грн
35+ 28.11 грн
94+ 26.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N7000-GMicrochip TechnologyMOSFET 60V 5Ohm
на замовлення 10357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.88 грн
25+ 29.74 грн
100+ 22.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.5 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7000-G
Код товару: 182408
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7000-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.53 грн
13+ 26.59 грн
14+ 24.66 грн
35+ 23.42 грн
94+ 22.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7000-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.91 грн
25+ 26.73 грн
100+ 23.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+28.49 грн
100+ 25.38 грн
500+ 24.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7000-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.5 грн
25+ 30.04 грн
100+ 25.52 грн
1000+ 23.21 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+41.18 грн
288+ 39.89 грн
500+ 38.69 грн
Мінімальне замовлення: 279
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7000-TAVishayVishay USE 2N7000KL-TR1
товар відсутній
2N70002NXP
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N70002
Код товару: 53073
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7000; 190mA; 60V; 250mW; N-MOSFET; Корпус: TO-92; NXP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+327.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N7000BUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 36936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.61 грн
16+ 17.57 грн
100+ 10.55 грн
1000+ 6.23 грн
5000+ 5.5 грн
10000+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7000BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
товар відсутній
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
товар відсутній
2N7000BUonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel Sm Sig
на замовлення 23653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.85 грн
16+ 19.54 грн
100+ 9.79 грн
1000+ 6.48 грн
2500+ 5.69 грн
10000+ 5.03 грн
50000+ 4.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7000BUON-SemicoductorN-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000BU (bulk) 2N7000 FAIRCHILD T2N7000
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
товар відсутній
2N7000BUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7000BUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
2N7000BU_TonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000CSMSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin CLLCC-1
товар відсутній
2N7000CSM-JQR-ASemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin CLLCC-1
товар відсутній
2N7000CSM.01Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFET PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL
товар відсутній
2N7000GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N7000GonsemiMOSFET 60V 200mA N-Channel
товар відсутній
2N7000GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N7000KRectronTO-92
товар відсутній
2N7000KL-TR1-E3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.47A 3-Pin TO-226AA T/R
товар відсутній
2N7000L
Код товару: 175310
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,15 mA
Rds(on), Ohm: 1,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 20 /
Монтаж: THT
товар відсутній
2N7000PSTOADiodes IncTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin E-Line
товар відсутній
2N7000RLRAON05+06+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7000RLRAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000RLRAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000RLRAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N7000RLRAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000RLRAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N7000RLRMGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товар відсутній
2N7000RLRMGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000RLRMG
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7000RLRPGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000RLRPGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товар відсутній
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000TA
Код товару: 173012
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7000TAonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel Sm Sig
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 504-513 дні (днів)
13+25.15 грн
16+ 19.32 грн
100+ 9.32 грн
1000+ 6.35 грн
2000+ 5.55 грн
10000+ 5.42 грн
24000+ 5.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7000TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400
Bauform - Transistor: TO-226AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
2N7000TAONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+27.6 грн
13+ 20.6 грн
25+ 14.47 грн
100+ 11.16 грн
117+ 8.27 грн
320+ 7.85 грн
2000+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000TAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000TAONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+23 грн
21+ 16.53 грн
29+ 12.06 грн
100+ 9.3 грн
117+ 6.89 грн
320+ 6.54 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7000TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 400
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.9
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
2N7000TAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000TA+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7000_Qonsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
товар відсутній
2N7001
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.12 грн
6000+ 11.55 грн
9000+ 10.76 грн
30000+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7001TDCKR
Код товару: 162137
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
товар відсутній
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7001TDCKRTexas InstrumentsTranslation - Voltage Levels 1-bit dual-supply buffered voltage signal converter 5-SC70 -40 to 125
на замовлення 27543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.23 грн
13+ 23.65 грн
100+ 12.9 грн
1000+ 10.91 грн
3000+ 9.66 грн
9000+ 9.26 грн
45000+ 8.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+23.69 грн
715+ 16.05 грн
722+ 15.89 грн
734+ 15.07 грн
1117+ 9.17 грн
Мінімальне замовлення: 485
2N7001TDCKRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 59649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.91 грн
10+ 31.21 грн
100+ 21.71 грн
500+ 15.91 грн
1000+ 12.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.03 грн
6000+ 9.93 грн
9000+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.97 грн
26+ 22 грн
100+ 14.37 грн
250+ 13.18 грн
500+ 12.44 грн
1000+ 8.18 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7001TDCKRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.79 грн
6000+ 11.69 грн
9000+ 10.85 грн
30000+ 9.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7001TDPWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR 5X2SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товар відсутній
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.83 грн
24+ 23.75 грн
25+ 23.54 грн
100+ 14.3 грн
250+ 13.12 грн
500+ 11.62 грн
1000+ 10.49 грн
3000+ 9.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
товар відсутній
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
товар відсутній
2N7001TDPWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR 5X2SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.76 грн
12+ 23.42 грн
100+ 14.05 грн
500+ 12.21 грн
1000+ 8.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
товар відсутній
2N7001TDPWRTexas InstrumentsTranslation - Voltage Levels 1-bit dual-supply buffered voltage signal converter 5-X2SON -40 to 125
на замовлення 7434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.86 грн
13+ 24.11 грн
100+ 12.3 грн
1000+ 8.6 грн
3000+ 7.47 грн
9000+ 6.75 грн
24000+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+25.36 грн
719+ 15.97 грн
725+ 15.82 грн
786+ 14.08 грн
1000+ 11.77 грн
3000+ 10.08 грн
Мінімальне замовлення: 453
2N7001TDPWR-STexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товар відсутній
2N7001TEVMTexas Instruments2N7001T Level Translator Evaluation Board
товар відсутній
2N7001TEVMTexas InstrumentsOther Development Tools 2N7001TEVM
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+954.37 грн
5+ 939.98 грн
2N7001TEVMTexas Instruments2N7001T Level Translator Evaluation Board
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+653.51 грн
2N7001TEVMTexas Instruments2N7001T Level Translator Evaluation Board
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7001TEVMTexas InstrumentsDescription: DEVELOPMENT INTERFACE
Packaging: Bulk
Function: Level Shifter
Type: Interface
Utilized IC / Part: 2N7001T
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+858.42 грн
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 53186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.07 грн
10+ 36.92 грн
100+ 25.69 грн
500+ 18.82 грн
1000+ 15.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsTranslation - Voltage Levels Automotive 1-bit dual-supply buffered voltage signal translator 5-SC70 -40 to 125
на замовлення 36298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.21 грн
10+ 37.87 грн
100+ 22.95 грн
500+ 17.92 грн
1000+ 14.55 грн
3000+ 12.3 грн
9000+ 11.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive AEC-Q100 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.13 грн
6000+ 13.83 грн
9000+ 12.84 грн
30000+ 11.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive AEC-Q100 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive AEC-Q100 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.6 грн
6000+ 5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 SLKOR T2N7002 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 8910 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.26 грн
9000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 116305 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.2 грн
25+ 10.75 грн
100+ 9.01 грн
160+ 6.2 грн
430+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 4055
2N7002PanJit InternationalMOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23
на замовлення 7 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 116305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.5 грн
35+ 10.06 грн
40+ 8.96 грн
100+ 7.51 грн
160+ 5.17 грн
430+ 4.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N7002Yangjie Electronic TechnologyN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 990000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15307+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 15307
2N7002STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 0.20 A 1.8 Ohm STripFET
товар відсутній
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.91 грн
6000+ 6.84 грн
9000+ 6.45 грн
30000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.71 грн
6000+ 8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002LGETrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002 LGE T2N7002 LGE
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.71 грн
9000+ 8.87 грн
18000+ 8.26 грн
27000+ 7.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1755000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11905+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 11905
2N7002Diotec SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 280 мА; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 4282 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
337+1.86 грн
361+ 1.73 грн
389+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 337
2N7002LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.04 грн
180+ 1.96 грн
500+ 1.76 грн
560+ 1.44 грн
1535+ 1.36 грн
Мінімальне замовлення: 75
2N7002onsemiDescription: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 99045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.04 грн
13+ 21.97 грн
100+ 13.18 грн
500+ 11.46 грн
1000+ 7.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002Diodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
2N7002Diotec SemiconductorMOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N
на замовлення 223588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+8.64 грн
48+ 6.39 грн
100+ 4.7 грн
500+ 3.7 грн
1000+ 3.24 грн
3000+ 2.45 грн
9000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 36
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.6 грн
30000+ 5.12 грн
60000+ 4.77 грн
90000+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.62 грн
9000+ 1.38 грн
24000+ 1.28 грн
45000+ 0.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002MLCCBASETransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002-TP; 2N7002 MLCCBASE T2N7002 MLC
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3897+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3897
2N7002HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 HXY MOSFET T2N7002 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
45+6.04 грн
110+ 2.44 грн
500+ 2.11 грн
560+ 1.73 грн
1535+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 45
2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7002Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.01 грн
40+ 6.89 грн
100+ 3.71 грн
500+ 2.74 грн
1000+ 1.9 грн
Мінімальне замовлення: 29
2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 753000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5906+1.94 грн
12000+ 1.48 грн
27000+ 1.42 грн
51000+ 1.3 грн
102000+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 5906
2N7002VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
товар відсутній
2N7002ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 644274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 2N7002E-T1-E3
товар відсутній
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002UMWTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 UMW T2N7002 UMW
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.6 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.71 грн
6000+ 8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002JUXINGTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JUXING T2N7002 JUX
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.71 грн
12000+ 8.87 грн
24000+ 8.26 грн
36000+ 7.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5825 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
100+3.26 грн
200+ 1.32 грн
500+ 1.13 грн
1050+ 0.93 грн
2875+ 0.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd.MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23
на замовлення 91143 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2N7002DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
150+2.65 грн
275+ 1.34 грн
500+ 1.16 грн
850+ 0.97 грн
2300+ 0.91 грн
Мінімальне замовлення: 150
2N7002onsemiDescription: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.94 грн
6000+ 7.32 грн
9000+ 6.59 грн
30000+ 6.09 грн
75000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 350
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
2N7002onsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL 60V 115mA
на замовлення 537169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.33 грн
14+ 22.82 грн
100+ 11.11 грн
1000+ 8.07 грн
3000+ 7.08 грн
9000+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002
Код товару: 179822
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002LGETrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002 LGE T2N7002 LGE
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+20.08 грн
655+ 17.52 грн
745+ 15.41 грн
936+ 11.82 грн
1111+ 9.22 грн
3000+ 7.89 грн
6000+ 7.38 грн
Мінімальне замовлення: 571
2N7002GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.82 грн
21+ 28.34 грн
25+ 25.57 грн
50+ 17.98 грн
100+ 14.53 грн
250+ 12.27 грн
500+ 9.75 грн
1000+ 8.22 грн
3000+ 7.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
100+3.18 грн
175+ 1.67 грн
500+ 1.4 грн
850+ 1.16 грн
2300+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
150+2.72 грн
325+ 1.06 грн
500+ 0.94 грн
1050+ 0.77 грн
2875+ 0.73 грн
Мінімальне замовлення: 150
2N7002Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.38 грн
9000+ 2.29 грн
30000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 644274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.02 грн
27+ 27.75 грн
100+ 13.8 грн
500+ 12.54 грн
Мінімальне замовлення: 21
2N7002Microchip TechnologyMOSFET 60V 7.5Ohm
товар відсутній
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.19 грн
9000+ 6.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002 (Hottech, SOT-23-3)
Код товару: 47271
HottechТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
Монтаж: SMD
у наявності 5863 шт:
4429 шт - склад
134 шт - РАДІОМАГ-Київ
430 шт - РАДІОМАГ-Львів
370 шт - РАДІОМАГ-Одеса
500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4+1.5 грн
10+ 1.2 грн
100+ 0.9 грн
1000+ 0.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N7002 BK PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Box
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002 BK PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 Box
товар відсутній
2N7002 BK PBFREECentral SemiconductorMOSFET N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs
товар відсутній
2N7002 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
на замовлення 14827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.99 грн
20+ 15.51 грн
100+ 8.53 грн
1000+ 3.84 грн
3000+ 3.24 грн
9000+ 2.51 грн
24000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7002 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002 L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
товар відсутній
2N7002 T/RPANJIT0604+
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorMOSFET N-Ch 60V .2A
на замовлення 369486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.54 грн
16+ 20.23 грн
100+ 9.39 грн
1000+ 6.68 грн
3000+ 5.62 грн
9000+ 4.96 грн
24000+ 4.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.96 грн
6000+ 6.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002 TR PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 247784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.32 грн
16+ 18.19 грн
100+ 10.93 грн
500+ 9.5 грн
1000+ 6.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.49 грн
6000+ 6.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002 TR PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.58 грн
6000+ 6.07 грн
9000+ 5.46 грн
30000+ 5.05 грн
75000+ 4.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002 TR TIN/LEADCentral SemiconductorMOSFET N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 350mW
товар відсутній
2N7002 TR TIN/LEADCentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002 TR13 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002 TR13 PBFREECentral SemiconductorMOSFET N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs
на замовлення 46585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.54 грн
15+ 20.84 грн
100+ 10.12 грн
1000+ 6.88 грн
2500+ 6.55 грн
10000+ 5.69 грн
20000+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002 TR13 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.18 грн
14+ 20.32 грн
100+ 12.21 грн
500+ 10.61 грн
1000+ 7.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002 TR13 PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002 TR13 TIN/LEADCentral SemiconductorMOSFET N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 115mA 350mW
товар відсутній
2N7002(12P)PHILIPSSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002(702)
на замовлення 548 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
52+7.23 грн
74+ 4.7 грн
92+ 3.76 грн
122+ 2.82 грн
250+ 2.54 грн
418+ 1.92 грн
1149+ 1.82 грн
Мінімальне замовлення: 52
2N7002,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1017368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+12.61 грн
80+ 9.27 грн
124+ 6 грн
500+ 3.16 грн
1500+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 59
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2143+5.35 грн
2333+ 4.92 грн
3522+ 3.26 грн
4519+ 2.45 грн
6000+ 1.84 грн
Мінімальне замовлення: 2143
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+11.21 грн
64+ 8.92 грн
65+ 8.85 грн
114+ 4.83 грн
250+ 4.44 грн
500+ 3.91 грн
1000+ 2.59 грн
3000+ 2.02 грн
6000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 51
2N7002,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 718281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.6 грн
23+ 12.33 грн
100+ 6.02 грн
500+ 4.71 грн
1000+ 3.27 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 191
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3113+3.68 грн
3206+ 3.58 грн
5000+ 3.48 грн
10000+ 3.27 грн
25000+ 2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3113
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002,215NexperiaMOSFET 2N7002/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1203545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18.67 грн
25+ 12.62 грн
100+ 4.76 грн
1000+ 3.04 грн
3000+ 2.25 грн
9000+ 1.98 грн
24000+ 1.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+3.19 грн
3000+ 2.41 грн
6000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 179
2N7002,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30688 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
31+8.68 грн
44+ 5.86 грн
55+ 4.51 грн
100+ 3.39 грн
250+ 3.05 грн
418+ 2.31 грн
1149+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 31
2N7002,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 716900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.14 грн
6000+ 2.8 грн
9000+ 2.32 грн
30000+ 2.14 грн
75000+ 1.93 грн
150000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2772000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1017368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.16 грн
1500+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2772000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4824+2.38 грн
6000+ 2.06 грн
12000+ 1.74 грн
Мінімальне замовлення: 4824
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 771000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.56 грн
6000+ 2.27 грн
12000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 771000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4156+2.76 грн
6000+ 2.45 грн
12000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 4156
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2772000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.41 грн
6000+ 2.08 грн
12000+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 0,3 А; Ptot, Вт = 0,83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Rds = 5 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -65...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
337+1.86 грн
361+ 1.73 грн
389+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 337
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.1 грн
20000+ 1.96 грн
50000+ 1.81 грн
100000+ 1.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002,235NexperiaMOSFET 2N7002/SOT23/TO-236AB
на замовлення 28303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.2 грн
26+ 12.02 грн
100+ 4.83 грн
1000+ 2.98 грн
2500+ 2.51 грн
10000+ 1.72 грн
20000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002,235NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 0.83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.8 грн
20000+ 1.61 грн
50000+ 1.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002,235Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 8765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.6 грн
23+ 12.33 грн
100+ 6.02 грн
500+ 4.71 грн
1000+ 3.28 грн
2000+ 2.84 грн
5000+ 2.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.82 грн
20000+ 1.63 грн
50000+ 1.5 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002,235NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 0.83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7002,235Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002,235NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13-01-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A T/R
товар відсутній
2N7002-13-FDiodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+14.76 грн
52+ 11.05 грн
54+ 10.55 грн
100+ 6.29 грн
250+ 4.89 грн
500+ 4.05 грн
1000+ 3.05 грн
3000+ 2.57 грн
6000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 39
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+2.8 грн
200+ 1.83 грн
500+ 1.61 грн
600+ 1.35 грн
1640+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 140
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1944+5.9 грн
2256+ 5.08 грн
2995+ 3.83 грн
3547+ 3.12 грн
6000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 1944
2N7002-13-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 6220 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+3.37 грн
120+ 2.27 грн
500+ 1.93 грн
600+ 1.62 грн
1640+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-13-F-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.92 грн
20000+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.06 грн
20000+ 1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V 200mW
товар відсутній
2N7002-7-F
Код товару: 170068
DiodesТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
товар відсутній
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.92 грн
6000+ 1.86 грн
9000+ 1.41 грн
24000+ 1.25 грн
30000+ 1.13 грн
45000+ 0.99 грн
75000+ 0.98 грн
150000+ 0.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.12 грн
9000+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 60V 200mW
на замовлення 291266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+14.35 грн
33+ 9.35 грн
100+ 3.57 грн
1000+ 2.18 грн
3000+ 1.85 грн
9000+ 1.39 грн
24000+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6073+1.89 грн
9000+ 1.44 грн
24000+ 1.31 грн
45000+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 6073
2N7002-7-FMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: 0
MSL: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFET N Channel Transistors
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+11.2 грн
79+ 9.42 грн
185+ 4.02 грн
264+ 2.61 грн
500+ 1.82 грн
1000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 67
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 930000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9741+1.18 грн
183000+ 1.08 грн
366000+ 1 грн
549000+ 0.91 грн
Мінімальне замовлення: 9741
2N7002-7-FDiodes INC.N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,37; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 985 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
102+6.18 грн
109+ 5.76 грн
117+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 102
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 333406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.88 грн
32+ 8.82 грн
100+ 4.77 грн
500+ 3.52 грн
1000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 23
2N7002-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
на замовлення 302634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.11 грн
1000+ 1.82 грн
5000+ 1.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.91 грн
9000+ 1.44 грн
24000+ 1.29 грн
45000+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002-7-FDIODES/ZETEXN-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7002,215 2N7002-T1-E3 2N7002TA 2N7002-7-F DIODES T2N7002
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 132010 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.91 грн
9000+ 1.46 грн
24000+ 1.32 грн
45000+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-F
Код товару: 186256
CJТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності 2722 шт:
2141 шт - склад
82 шт - РАДІОМАГ-Київ
109 шт - РАДІОМАГ-Львів
200 шт - РАДІОМАГ-Харків
73 шт - РАДІОМАГ-Одеса
117 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+6 грн
10+ 3.3 грн
100+ 3.1 грн
1000+ 2.4 грн
2N7002-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9741+1.18 грн
75000+ 1.08 грн
150000+ 1 грн
225000+ 0.91 грн
Мінімальне замовлення: 9741
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 930000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.88 грн
9000+ 1.43 грн
24000+ 1.3 грн
45000+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 331202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.24 грн
6000+ 2.04 грн
9000+ 1.73 грн
30000+ 1.51 грн
75000+ 1.3 грн
150000+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.37 грн
160+ 2.23 грн
Мінімальне замовлення: 120
2N7002-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
на замовлення 302634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+16.17 грн
68+ 11.05 грн
162+ 4.58 грн
500+ 3.11 грн
1000+ 1.82 грн
5000+ 1.36 грн
Мінімальне замовлення: 46
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 13275
2N7002-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+4.04 грн
100+ 2.77 грн
500+ 1.93 грн
1380+ 1.83 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002-7-F.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23, FULL REEL
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: 0
MSL: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.58 грн
6000+ 2.28 грн
9000+ 1.82 грн
15000+ 1.56 грн
30000+ 1.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-F; 210mA; 60V; 0,3W; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIODES Inc.
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+655.2 грн
2N7002-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23-3
товар відсутній
2N7002-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-D87ZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
товар відсутній
2N7002-D87ZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
товар відсутній
2N7002-D87ZON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 5087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2N7002-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-F169onsemiDescription: 2N7002 - TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-F169ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
товар відсутній
2N7002-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.2N7002 N-кан. MOSFET 60V, 0.34A, 0.35Вт, SOT-23 (SMD)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2N7002-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.75 грн
17+ 16.26 грн
100+ 8.62 грн
500+ 5.32 грн
1000+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002-GMicrochip TechnologyMOSFET 60V 7.5Ohm
на замовлення 24580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.05 грн
10+ 39.47 грн
25+ 30.29 грн
100+ 26.92 грн
250+ 26.72 грн
500+ 26.65 грн
1000+ 26.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.22 грн
28+ 20.65 грн
100+ 8.52 грн
1000+ 5.22 грн
3000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002-GComchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.23 грн
12000+ 4.78 грн
24000+ 4.44 грн
36000+ 4.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 12980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.21 грн
25+ 34.36 грн
100+ 31.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+61.21 грн
220+ 52.14 грн
257+ 44.63 грн
272+ 40.79 грн
500+ 35.33 грн
1000+ 31.91 грн
3000+ 29.24 грн
Мінімальне замовлення: 188
2N7002-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.5A
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 781 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+61.34 грн
6+ 45.75 грн
10+ 39.43 грн
29+ 33.89 грн
79+ 32.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.5A
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.11 грн
10+ 36.72 грн
11+ 32.86 грн
29+ 28.24 грн
79+ 26.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7002-GonsemiMOSFET FET 60V 5.0 OHM
на замовлення 233149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.02 грн
13+ 23.96 грн
100+ 11.84 грн
1000+ 5.29 грн
3000+ 4.43 грн
9000+ 4.03 грн
24000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+34.48 грн
18+ 32.37 грн
25+ 30.27 грн
100+ 27.16 грн
250+ 23.26 грн
500+ 20.53 грн
1000+ 18.73 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
товар відсутній
2N7002-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.42 грн
6000+ 33.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - 2N7002-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.2 грн
26+ 29.01 грн
100+ 27 грн
3000+ 24.45 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+40.05 грн
319+ 35.97 грн
331+ 34.7 грн
Мінімальне замовлення: 287
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+31.31 грн
370+ 31 грн
437+ 26.27 грн
454+ 24.41 грн
500+ 22.37 грн
1000+ 20.17 грн
Мінімальне замовлення: 367
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.82 грн
9000+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-HFComchip TechnologyN-Channel MOSFET
товар відсутній
2N7002-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.01 грн
6000+ 3.58 грн
9000+ 2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-HFComchip TechnologyMOSFET 0.25A 60V N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 7086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.85 грн
18+ 17.72 грн
100+ 6.28 грн
1000+ 4.36 грн
3000+ 3.37 грн
9000+ 2.91 грн
24000+ 2.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 14214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.61 грн
18+ 15.77 грн
100+ 7.68 грн
500+ 6.01 грн
1000+ 4.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002-HFComchip TechnologyN-Channel MOSFET
товар відсутній
2N7002-L
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-L T/RDIODES0841+
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-LT/RPANJITSOT-23 08+
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-MTF
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-NLFIARCHILD07+
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-T1
Код товару: 15283
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Монтаж: SMD
товар відсутній
2N7002-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-2N7002K-GE3
товар відсутній
2N7002-T1VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
65+5.82 грн
85+ 4.09 грн
100+ 3.62 грн
305+ 2.67 грн
830+ 2.53 грн
Мінімальне замовлення: 65
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 337
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 338
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.78 грн
10+ 33.34 грн
100+ 23.15 грн
500+ 16.96 грн
1000+ 13.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+16.41 грн
725+ 15.82 грн
1000+ 15.3 грн
2500+ 14.32 грн
5000+ 12.91 грн
10000+ 12.09 грн
Мінімальне замовлення: 699
2N7002-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 0.115A 0.2W
на замовлення 582073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.02 грн
13+ 24.64 грн
100+ 13.36 грн
1000+ 10.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6881+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 6881
2N7002-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+6.98 грн
55+ 5.1 грн
100+ 4.35 грн
305+ 3.21 грн
830+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.77 грн
6000+ 8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1090+10.53 грн
1759+ 6.52 грн
1808+ 6.34 грн
2000+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 1090
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.42 грн
6000+ 7.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
470+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 470
2N7002-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V
на замовлення 611347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.7 грн
13+ 23.73 грн
100+ 10.25 грн
1000+ 7.47 грн
3000+ 6.88 грн
99000+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.99 грн
26+ 22.45 грн
100+ 10.94 грн
250+ 10.02 грн
500+ 6.27 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7002-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+18.55 грн
50+ 9.85 грн
125+ 6.44 грн
345+ 6.09 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.47 грн
13+ 21.42 грн
100+ 14.88 грн
500+ 10.9 грн
1000+ 8.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6775 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+22.26 грн
50+ 12.28 грн
125+ 7.73 грн
345+ 7.31 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.19 грн
6000+ 6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+32.56 грн
469+ 24.46 грн
514+ 22.32 грн
604+ 18.32 грн
1000+ 16.01 грн
2000+ 14.45 грн
Мінімальне замовлення: 353
2N7002-T1/72VISHAY
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-T1/72KBLSI
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-T1/72NSILICONIX
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-T2VishayMOSFET
товар відсутній
2N7002-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 54570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+6.53 грн
60+ 4.54 грн
250+ 3.87 грн
290+ 3.43 грн
780+ 3.25 грн
3000+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1842000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10345+1.11 грн
453000+ 1.02 грн
906000+ 0.95 грн
1359000+ 0.86 грн
Мінімальне замовлення: 10345
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.72 грн
9000+ 1.52 грн
24000+ 1.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 54570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.45 грн
100+ 3.64 грн
250+ 3.22 грн
290+ 2.86 грн
780+ 2.71 грн
3000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N7002-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.99 грн
6000+ 1.81 грн
9000+ 1.54 грн
30000+ 1.34 грн
75000+ 1.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 441000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5748+2 грн
9000+ 1.75 грн
24000+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 5748
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2001000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9037+1.27 грн
513000+ 1.16 грн
1026000+ 1.08 грн
1539000+ 0.98 грн
Мінімальне замовлення: 9037
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2097000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12500+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 12500
2N7002-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET 60V, 115mA
на замовлення 300481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.19 грн
35+ 8.75 грн
100+ 3.24 грн
1000+ 2.25 грн
3000+ 1.65 грн
9000+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 26
2N7002-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11719+0.98 грн
51000+ 0.89 грн
102000+ 0.83 грн
153000+ 0.76 грн
Мінімальне замовлення: 11719
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 951000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11719+0.98 грн
243000+ 0.89 грн
486000+ 0.83 грн
729000+ 0.76 грн
Мінімальне замовлення: 11719
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 441000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.85 грн
9000+ 1.63 грн
24000+ 1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 90309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.45 грн
35+ 7.92 грн
100+ 4.24 грн
500+ 3.13 грн
1000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1818000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9037+1.27 грн
453000+ 1.16 грн
906000+ 1.08 грн
1359000+ 0.98 грн
Мінімальне замовлення: 9037
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 459000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5748+2 грн
9000+ 1.75 грн
24000+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 5748
2N7002-TP (2N7002-7-F)
Код товару: 39940
MCCТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
товар відсутній
2N7002-TP-HFMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Channel MOSFET
товар відсутній
2N7002-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-TP-HFMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002.215
Код товару: 73129
NXPТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-236AB
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Монтаж: SMD
товар відсутній
2N7002.215n-канальний польовий транзистор SOT-23
на замовлення 14670 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 75
2N7002/12PPHILIPS
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002/12WPHILIPS
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002/700207+ SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002/702
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002/GPHILIPSSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002/HAMRNEXPERIA60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
2N7002/HAMRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.77 грн
6000+ 2.48 грн
9000+ 2.05 грн
30000+ 1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+17.13 грн
49+ 11.6 грн
121+ 4.7 грн
1000+ 3.12 грн
3000+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 34
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002/HAMRNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002/HAMR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3560000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15625+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 15625
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42000+1.98 грн
99000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 42000
2N7002/HAMRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 52714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+16.45 грн
26+ 10.88 грн
100+ 5.31 грн
500+ 4.16 грн
1000+ 2.89 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2266+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 2266
2N7002/HAMRNexperiaMOSFET 2N7002/SOT23/TO-236AB
на замовлення 37006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.98 грн
26+ 12.09 грн
100+ 4.3 грн
1000+ 3.04 грн
3000+ 2.38 грн
9000+ 1.98 грн
24000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 42000
2N7002/S711215NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
товар відсутній
2N7002702FAIRCHILD00+ 23
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002; 280mA; 60V; 350mW; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIOTEC
на замовлення 688 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
480+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 480
2N7002ADiotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8876+1.29 грн
12000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 8876
2N7002ADIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
100+2.85 грн
150+ 1.8 грн
500+ 1.56 грн
850+ 1.13 грн
2350+ 1.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.5 грн
6000+ 1.43 грн
9000+ 1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ADiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+7.87 грн
54+ 5.7 грн
100+ 4.17 грн
500+ 3.31 грн
1000+ 2.91 грн
3000+ 2.18 грн
9000+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7002AKECN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,88 В @ 115 мА; SOT-23-3
на замовлення 84 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
84+7.43 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 84
2N7002ADiotec Semiconductor2N7002A
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.53 грн
6000+ 1.46 грн
9000+ 1.24 грн
24000+ 1.18 грн
30000+ 1.01 грн
45000+ 0.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002ADiotec SemiconductorDescription: MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, N, 0
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002ADIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
175+2.37 грн
250+ 1.45 грн
500+ 1.3 грн
850+ 0.94 грн
2350+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 175
2N7002ADiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
2N7002A
Код товару: 161144
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7002A-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 201396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.75 грн
21+ 13.36 грн
100+ 6.53 грн
500+ 5.11 грн
1000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7002A-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.97 грн
110+ 3.33 грн
250+ 3 грн
370+ 2.18 грн
1020+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4778+2.4 грн
9000+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 4778
2N7002A-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002A-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.17 грн
70+ 4.15 грн
250+ 3.6 грн
370+ 2.61 грн
1020+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+13.12 грн
58+ 9.84 грн
59+ 9.71 грн
100+ 5.82 грн
250+ 4.57 грн
500+ 4.34 грн
1000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 44
2N7002A-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.95 грн
6000+ 2.63 грн
9000+ 2.18 грн
30000+ 2.01 грн
75000+ 1.81 грн
150000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002A-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 4383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.86 грн
1500+ 3.5 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 12000
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.43 грн
9000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002A-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 123795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.83 грн
23+ 13.61 грн
100+ 5.22 грн
1000+ 3.64 грн
3000+ 2.51 грн
9000+ 2.12 грн
24000+ 2.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 12000
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 4383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+15.88 грн
67+ 11.2 грн
115+ 6.46 грн
500+ 3.86 грн
1500+ 3.5 грн
Мінімальне замовлення: 47
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002A-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002A-7 T2N7002A-7 Diodes
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002A-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N, AEC-Q101
товар відсутній
2N7002A-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
2N7002A-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002A-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
2N7002A-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 T/R
товар відсутній
2N7002A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
товар відсутній
2N7002A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
товар відсутній
2N7002A-RTK/PKECSOT23
на замовлення 8770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 573000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9317+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 9317
2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 60Vds 30Vgs 40Vgsm 115mA 300mW
товар відсутній
2N7002A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+15.74 грн
27+ 10.33 грн
100+ 5.03 грн
500+ 3.94 грн
1000+ 2.74 грн
Мінімальне замовлення: 19
2N7002A/7002N/A08+ SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002AKDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.2 грн
27000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 18000
2N7002AKDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+3.78 грн
24000+ 3.71 грн
30000+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 18000
2N7002AKDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
товар відсутній
2N7002AQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.18 грн
46+ 16.25 грн
118+ 6.31 грн
500+ 4.44 грн
1000+ 2.79 грн
5000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 31
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002AQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.31 грн
22+ 12.81 грн
100+ 6.26 грн
500+ 4.91 грн
1000+ 3.41 грн
2000+ 2.95 грн
5000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002AQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+6.25 грн
120+ 3.02 грн
350+ 2.29 грн
970+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 60
2N7002AQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.5 грн
100+ 3.77 грн
350+ 2.75 грн
970+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002AQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family
на замовлення 14244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.53 грн
22+ 14.45 грн
100+ 5.09 грн
1000+ 3.11 грн
2500+ 2.84 грн
10000+ 2.51 грн
20000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002AQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002AQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002AQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.44 грн
1000+ 2.79 грн
5000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 753000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 777000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23 грн
50+ 15.06 грн
121+ 6.18 грн
500+ 4.15 грн
1000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 33
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1005000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1255461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.31 грн
22+ 12.81 грн
100+ 6.26 грн
500+ 4.91 грн
1000+ 3.41 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 858000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4747+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 4747
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 579000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2742000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1254000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.27 грн
6000+ 2.92 грн
9000+ 2.42 грн
30000+ 2.23 грн
75000+ 2.01 грн
150000+ 1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002AQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+6.54 грн
110+ 3.22 грн
250+ 2.85 грн
345+ 2.35 грн
940+ 2.22 грн
Мінімальне замовлення: 60
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 417000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1677000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.15 грн
1000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002AQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
35+7.85 грн
65+ 4.02 грн
250+ 3.42 грн
345+ 2.82 грн
940+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 35
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family
на замовлення 102199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.83 грн
23+ 13.61 грн
100+ 4.3 грн
1000+ 3.31 грн
3000+ 2.45 грн
9000+ 2.05 грн
45000+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3283+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3283
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
2N7002B-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002BKNexperiaMOSFET
товар відсутній
2N7002BK
Код товару: 73117
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
2N7002BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 87002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.95 грн
1500+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5748+2 грн
9000+ 1.76 грн
24000+ 1.43 грн
45000+ 1.37 грн
Мінімальне замовлення: 5748
2N7002BK,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 350 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Qg, нКл = 0.6; Ugs(th) = 2.1 @ 250 мА; Р, Вт = 0,37 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
337+1.86 грн
361+ 1.73 грн
389+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 337
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.99 грн
9000+ 1.75 грн
24000+ 1.42 грн
45000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 909859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.88 грн
24+ 11.78 грн
100+ 5.74 грн
500+ 4.49 грн
1000+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002BK,215NXPTrans MOSFET N-CH 60V 0.350A 2N7002BK T2N7002bk
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 300
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.02 грн
9000+ 1.77 грн
24000+ 1.45 грн
45000+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.13 грн
9000+ 1.87 грн
24000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 29662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+14.84 грн
36+ 9.64 грн
52+ 6.65 грн
100+ 4.26 грн
250+ 3.72 грн
422+ 1.9 грн
1160+ 1.8 грн
24000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N7002BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 87002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.58 грн
77+ 9.72 грн
128+ 5.84 грн
500+ 2.95 грн
1500+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 55
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4886+2.35 грн
5034+ 2.28 грн
5173+ 2.22 грн
10000+ 2.09 грн
25000+ 1.88 грн
Мінімальне замовлення: 4886
2N7002BK,215NXPТранз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, 350 mA
на замовлення 194 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
110+2.48 грн
121+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 110
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2174+5.27 грн
2200+ 5.21 грн
3598+ 3.19 грн
5068+ 2.18 грн
6000+ 1.75 грн
15000+ 1.49 грн
Мінімальне замовлення: 2174
2N7002BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 895000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.99 грн
6000+ 2.67 грн
9000+ 2.22 грн
30000+ 2.04 грн
75000+ 1.83 грн
150000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.29 грн
9000+ 2.02 грн
24000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
2N7002BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29662 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+17.8 грн
22+ 12.02 грн
32+ 7.98 грн
100+ 5.11 грн
250+ 4.46 грн
422+ 2.28 грн
1160+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5034+2.28 грн
9000+ 2.03 грн
24000+ 1.57 грн
45000+ 1.42 грн
99000+ 1.3 грн
Мінімальне замовлення: 5034
2N7002BK,215NexperiaMOSFET 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1579960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.98 грн
26+ 12.02 грн
100+ 4.56 грн
1000+ 2.78 грн
3000+ 1.98 грн
9000+ 1.79 грн
24000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002BK,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5320+2.16 грн
12000+ 1.97 грн
24000+ 1.83 грн
36000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 5320
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+16.25 грн
50+ 11.36 грн
116+ 4.76 грн
250+ 4.37 грн
500+ 4.15 грн
1000+ 2.54 грн
3000+ 1.8 грн
6000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 35
2N7002BKM,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+24.9 грн
33+ 17.56 грн
35+ 16.23 грн
50+ 11.82 грн
100+ 7.25 грн
250+ 4.06 грн
Мінімальне замовлення: 23
2N7002BKM,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002BKM,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R
товар відсутній
2N7002BKM,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002BKM/V,315NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL SIGNA
Packaging: Bulk
товар відсутній
2N7002BKM/VYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN
товар відсутній
2N7002BKM315Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL S
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002BKMB,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002BKMB,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.75 грн
28+ 20.29 грн
50+ 19.92 грн
100+ 11.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002BKMB,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002BKMB,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN-B T/R
товар відсутній
2N7002BKSNexperiaMOSFET
товар відсутній
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3100+3.7 грн
6000+ 2.79 грн
9000+ 2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3100
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.95 грн
6000+ 2.97 грн
9000+ 2.78 грн
24000+ 2.66 грн
30000+ 2.43 грн
45000+ 2.32 грн
75000+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 295mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 45609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.83 грн
500+ 5.69 грн
1500+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 276000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.68 грн
6000+ 2.78 грн
9000+ 2.6 грн
24000+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.04 грн
6000+ 4.64 грн
9000+ 4.01 грн
30000+ 3.7 грн
75000+ 3.06 грн
150000+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 276000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.41 грн
69000+ 4.03 грн
138000+ 3.75 грн
207000+ 3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NXP2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002BKS,115 2N7002BKS,115 T2N7002bks
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002BKS,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 295mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 45609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+21.96 грн
50+ 15.43 грн
100+ 8.83 грн
500+ 5.69 грн
1500+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 34
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.25 грн
6000+ 3.2 грн
9000+ 3 грн
24000+ 2.86 грн
30000+ 2.62 грн
45000+ 2.5 грн
75000+ 2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.74 грн
6000+ 2.82 грн
9000+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
17+16.47 грн
34+ 7.64 грн
100+ 5.95 грн
182+ 5.31 грн
500+ 5.02 грн
3000+ 4.96 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 264998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.9 грн
15+ 18.87 грн
100+ 9.53 грн
500+ 7.3 грн
1000+ 5.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002BKS,115NexperiaMOSFET 2N7002BKS/SOT363/SC-88
на замовлення 77696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.17 грн
15+ 20.76 грн
100+ 7.47 грн
1000+ 5.36 грн
3000+ 3.7 грн
9000+ 3.31 грн
24000+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002BKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+13.72 грн
57+ 6.13 грн
100+ 4.96 грн
182+ 4.42 грн
500+ 4.18 грн
Мінімальне замовлення: 28
2N7002BKS.115
Код товару: 109130
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7002BKS/DG/B2115Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002BKS/ZLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP
товар відсутній
2N7002BKSHNexperia USA Inc.Description: 2N7002BKS/SOT363/SC-88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002BKSHNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT363/SC-88
товар відсутній
2N7002BKSHNexperia USA Inc.Description: 2N7002BKS/SOT363/SC-88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002BKT,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.29A Automotive 3-Pin SC-75 T/R
товар відсутній
2N7002BKT,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002BKT,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002BKV,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.2 грн
8000+ 5.84 грн
12000+ 5.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7002BKV,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.2 грн
30+ 10.13 грн
100+ 8.68 грн
135+ 7.32 грн
365+ 6.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002BKV,115NexperiaMOSFET NRND for Automotive Applications 2N7002BKV/SOT666/SOT6
на замовлення 102828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.17 грн
15+ 21.29 грн
100+ 8.33 грн
1000+ 5.75 грн
4000+ 5.69 грн
8000+ 4.96 грн
24000+ 4.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.88 грн
8000+ 5.27 грн
24000+ 5.2 грн
100000+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+28.83 грн
31+ 18.61 грн
100+ 8.85 грн
1000+ 6.15 грн
4000+ 5.09 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002BKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.72 грн
250+ 8.09 грн
1000+ 5.99 грн
2000+ 5.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
641+17.91 грн
1221+ 9.39 грн
1234+ 9.3 грн
1285+ 8.61 грн
1757+ 5.83 грн
3000+ 4.74 грн
6000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 641
2N7002BKV,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.5 грн
45+ 8.13 грн
100+ 7.23 грн
135+ 6.1 грн
365+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.2 грн
8000+ 5.75 грн
24000+ 5.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7002BKV,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.9 грн
15+ 19.15 грн
100+ 9.67 грн
500+ 8.04 грн
1000+ 6.26 грн
2000+ 5.6 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002BKV,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.81 грн
8000+ 5.21 грн
24000+ 5.14 грн
100000+ 4.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7002BKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.37 грн
77+ 9.72 грн
250+ 8.09 грн
1000+ 5.99 грн
2000+ 5.42 грн
Мінімальне замовлення: 32
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+16.8 грн
35+ 16.63 грн
100+ 8.41 грн
250+ 7.71 грн
500+ 7.11 грн
1000+ 5.2 грн
3000+ 4.4 грн
6000+ 3.78 грн
Мінімальне замовлення: 34
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1203+9.53 грн
1669+ 6.87 грн
4000+ 6.14 грн
Мінімальне замовлення: 1203
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.67 грн
8000+ 6.19 грн
24000+ 6.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7002BKV/DG/B2115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+18.58 грн
46+ 12.46 грн
107+ 5.32 грн
1000+ 3.08 грн
2500+ 2.67 грн
10000+ 1.64 грн
20000+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 31
2N7002BKVLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 7214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+16.32 грн
33+ 10.68 грн
48+ 7.23 грн
100+ 4.44 грн
250+ 4.05 грн
388+ 2.07 грн
1066+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 23
2N7002BKVLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+1.5 грн
Мінімальне замовлення: 207
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.09 грн
20000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002BKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.88 грн
24+ 11.78 грн
100+ 5.74 грн
500+ 4.49 грн
1000+ 3.12 грн
2000+ 2.7 грн
5000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.94 грн
20000+ 1.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002BKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 370mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товар відсутній
2N7002BKVLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7214 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+19.58 грн
20+ 13.31 грн
29+ 8.68 грн
100+ 5.33 грн
250+ 4.86 грн
388+ 2.49 грн
500+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7002BKVLNexperiaMOSFET 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 226143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18.67 грн
25+ 12.62 грн
100+ 4.63 грн
1000+ 2.84 грн
2500+ 2.58 грн
10000+ 1.79 грн
50000+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2181+5.26 грн
3632+ 3.16 грн
3866+ 2.97 грн
10000+ 1.83 грн
20000+ 1.3 грн
Мінімальне замовлення: 2181
2N7002BKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002BKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товар відсутній
2N7002BKWNexperiaMOSFET
товар відсутній
2N7002BKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.92 грн
6000+ 3.5 грн
9000+ 2.9 грн
30000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3417+3.36 грн
9000+ 3.07 грн
18000+ 2.86 грн
27000+ 2.59 грн
Мінімальне замовлення: 3417
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 7758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1272+9.02 грн
1283+ 8.94 грн
1525+ 7.52 грн
2632+ 4.2 грн
3572+ 2.87 грн
6000+ 1.9 грн
Мінімальне замовлення: 1272
2N7002BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.83 грн
101+ 7.37 грн
500+ 4.35 грн
1500+ 3.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002BKW,115NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 310 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Qg, нКл = 0,6; Rds = 1.6 @ 500mA, 10V Ом; Ugs(th) = 2,1 @ 250µA В; Р, Вт = 0,275 (Ta); Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-323
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+104.01 грн
10+ 62.4 грн
100+ 9.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4066+2.82 грн
9000+ 2.44 грн
24000+ 2.31 грн
45000+ 1.78 грн
Мінімальне замовлення: 4066
2N7002BKW,115NXPN-MOSFET 60V 310mA 275mW 1.6Ω 2N7002BKW NXP T2N7002bkw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 300
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1525+7.52 грн
2831+ 4.05 грн
3847+ 2.98 грн
9000+ 2.51 грн
24000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 1525
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7002BKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.89 грн
18+ 15.36 грн
100+ 7.51 грн
500+ 5.88 грн
1000+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.85 грн
9000+ 2.46 грн
24000+ 2.34 грн
45000+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKW,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 21087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+7.57 грн
81+ 4.3 грн
250+ 3.45 грн
256+ 3.14 грн
703+ 2.97 грн
3000+ 2.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N7002BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.25 грн
58+ 12.83 грн
101+ 7.37 грн
500+ 4.35 грн
1500+ 3.94 грн
Мінімальне замовлення: 41
2N7002BKW,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21087 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
30+9.08 грн
50+ 5.36 грн
250+ 4.14 грн
256+ 3.77 грн
703+ 3.56 грн
3000+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N7002BKW,115NexperiaMOSFET 2N7002BKW/SOT323/SC-70
на замовлення 88099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.83 грн
22+ 14.37 грн
100+ 7.87 грн
1000+ 3.5 грн
3000+ 3.04 грн
9000+ 2.31 грн
24000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+19.16 грн
44+ 13.01 грн
100+ 6.98 грн
1000+ 3.63 грн
3000+ 2.47 грн
9000+ 2.07 грн
24000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N7002BKW,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 7758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+18.58 грн
42+ 13.83 грн
45+ 12.68 грн
100+ 8.08 грн
250+ 7.41 грн
500+ 5.99 грн
1000+ 3.47 грн
3000+ 2.56 грн
6000+ 1.76 грн
Мінімальне замовлення: 31
2N7002CKNexperia Inc.MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2N7002CKNexperia USA Inc.Description: 2N7002 - SMALL SIGNAL FIELD-EFFE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002CKNexperiaMOSFET
товар відсутній
2N7002CKNXPN-MOSFET 60V 300mA 350mW 2N7002CK,215 T2N7002ck
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002CK,215NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin
товар відсутній
2N7002CK,215NXPТранз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
139+1.97 грн
152+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 139
2N7002CK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002CK,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002CK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+13.98 грн
60+ 9.53 грн
130+ 4.22 грн
250+ 3.87 грн
Мінімальне замовлення: 41
2N7002CK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002CK,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 300 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 55 @ 25; Qg, нКл = 1,3 @ 4,5 В; Rds = 1,6 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
354+1.76 грн
378+ 1.65 грн
409+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 354
2N7002CKVLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002CKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002CKVLNexperiaMOSFET 60V N-CHANNEL 0.3A
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2N7002CKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002CSMSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin CLLCC-1
товар відсутній
2N7002CSM-QR-EBCSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin LCC-1
товар відсутній
2N7002D87ZFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002DS6Rectron USADescription: MOSFET 2 N-CH 60V 250MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363-6L
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
2N7002DWonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 47908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.72 грн
6000+ 6.33 грн
9000+ 5.61 грн
30000+ 5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 423000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.23 грн
6000+ 5.88 грн
9000+ 4.59 грн
24000+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWonsemi / FairchildMOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 290192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.02 грн
15+ 21.6 грн
100+ 9.06 грн
1000+ 6.94 грн
3000+ 6.08 грн
9000+ 5.42 грн
24000+ 5.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DWONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+8.61 грн
100+ 7.58 грн
120+ 6.82 грн
325+ 6.48 грн
3000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002DWONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 235253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.83 грн
30+ 25 грн
100+ 10.91 грн
500+ 9.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002DWONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+10.73 грн
100+ 9.09 грн
120+ 8.18 грн
325+ 7.77 грн
3000+ 7.6 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.34 грн
6000+ 8.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 47908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.04 грн
14+ 20.8 грн
100+ 10.49 грн
500+ 8.72 грн
1000+ 6.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DW
Код товару: 174754
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
2N7002DWInfineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
2N7002DWONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 235253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.91 грн
500+ 9.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002DW H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
на замовлення 228414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.33 грн
13+ 23.96 грн
100+ 11.84 грн
1000+ 5.95 грн
3000+ 5.16 грн
9000+ 4.1 грн
24000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DW K72..DIODES/ZETEXTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002DW-7-F 2N7002DW T2N7002dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002DW L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
товар відсутній
2N7002DW L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DW-13-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
2N7002DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
2N7002DW-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V 200mW
товар відсутній
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3686+3.11 грн
9000+ 2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3686
2N7002DW-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 199904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+7.42 грн
500+ 4.78 грн
1500+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 534000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5577+2.06 грн
132000+ 1.88 грн
264000+ 1.75 грн
396000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 5577
2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 60V 200mW
на замовлення 447889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.06 грн
23+ 13.69 грн
100+ 6.08 грн
1000+ 4.5 грн
3000+ 3.04 грн
9000+ 2.78 грн
24000+ 2.51 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 218190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.18 грн
19+ 15.22 грн
100+ 7.69 грн
500+ 5.89 грн
1000+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002DW-7-F
Код товару: 143738
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 534000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.13 грн
6000+ 2.94 грн
9000+ 2.87 грн
30000+ 2.51 грн
75000+ 2.22 грн
150000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
9000+ 2.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 199904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+15.43 грн
65+ 11.42 грн
100+ 7.42 грн
500+ 4.78 грн
1500+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 49
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+3.58 грн
9000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3206
2N7002DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+6.36 грн
60+ 4.87 грн
250+ 4.14 грн
290+ 3.41 грн
780+ 3.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N7002DW-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 217259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.07 грн
6000+ 3.74 грн
9000+ 3.24 грн
30000+ 2.98 грн
75000+ 2.47 грн
150000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.14 грн
9000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+5.3 грн
90+ 3.91 грн
250+ 3.45 грн
290+ 2.84 грн
780+ 2.69 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002DW-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002DW-7-F.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002DW-7-F. - MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 4.4OHM, 115mA, SOT-363-6
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: 0
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET, N Channel
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
directShipCharge: 25
на замовлення 13068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+17.73 грн
50+ 14.99 грн
100+ 8.75 грн
1000+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 42
2N7002DW-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002DW-GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
2N7002DW-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
товар відсутній
2N7002DW-GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 5144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.05 грн
11+ 25.97 грн
100+ 15.58 грн
500+ 13.54 грн
1000+ 9.2 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7002DW-GonsemiMOSFET FET 60V 2.0 MOHM
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.04 грн
11+ 30.12 грн
100+ 13.42 грн
1000+ 10.12 грн
3000+ 8.6 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7002DW-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+34.42 грн
22+ 26.5 грн
100+ 14.15 грн
1000+ 9.66 грн
3000+ 8.11 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002DW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.15 грн
30+ 9.87 грн
100+ 8.35 грн
135+ 7.27 грн
370+ 6.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002DW-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1221000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.52 грн
6000+ 4.16 грн
9000+ 3.6 грн
30000+ 3.31 грн
75000+ 2.74 грн
150000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET Dual N-CH 60V 115mA
на замовлення 47363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.23 грн
15+ 20.91 грн
100+ 11.31 грн
1000+ 5.89 грн
3000+ 5.36 грн
9000+ 4.63 грн
24000+ 4.3 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002DW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.8 грн
45+ 7.92 грн
100+ 6.96 грн
135+ 6.06 грн
370+ 5.72 грн
Мінімальне замовлення: 35
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DW-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1224900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.04 грн
17+ 16.95 грн
100+ 8.54 грн
500+ 6.54 грн
1000+ 4.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002DW-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
2N7002DW-TPQ2Micro Commercial ComponentsDual N-Channel MOSFET
товар відсутній
2N7002DW-TPQ2Micro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002DW1T1GONSOT-363 05+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002DW1T1GLRCSOT363
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002DWA-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DWA-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWA-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DWAQ-7Diodes IncDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
2N7002DWAQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002DWAQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
товар відсутній
2N7002DWAQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWH6327XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
на замовлення 14872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.02 грн
13+ 24.03 грн
100+ 11.84 грн
1000+ 6.02 грн
3000+ 5.16 грн
9000+ 4.1 грн
24000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.16 грн
9000+ 2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
78+4.79 грн
100+ 3.93 грн
248+ 3.24 грн
682+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 78
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
2N7002DWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 121690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.77 грн
50+ 16.02 грн
100+ 9.27 грн
500+ 6.32 грн
1500+ 5.72 грн
Мінімальне замовлення: 33
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 177350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1183+9.7 грн
1226+ 9.36 грн
1519+ 7.55 грн
2000+ 6.6 грн
15000+ 4.65 грн
30000+ 4.4 грн
60000+ 4.19 грн
Мінімальне замовлення: 1183
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 112408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.04 грн
14+ 20.32 грн
100+ 10.26 грн
500+ 7.85 грн
1000+ 5.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.11 грн
9000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
на замовлення 131988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.02 грн
15+ 20.31 грн
100+ 7.8 грн
1000+ 5.95 грн
3000+ 4.7 грн
9000+ 4.1 грн
24000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 108900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.42 грн
6000+ 4.99 грн
9000+ 4.32 грн
30000+ 3.98 грн
75000+ 3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 121690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.27 грн
500+ 6.32 грн
1500+ 5.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+320.44 грн
Мінімальне замовлення: 36
2N7002DWH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
47+5.75 грн
100+ 4.9 грн
248+ 3.89 грн
682+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 47
2N7002DWK-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002DWK-13Diodes Inc2N7002 Family SOT363 T&R 10K
товар відсутній
2N7002DWK-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 10K
товар відсутній
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 35994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.89 грн
19+ 15.15 грн
100+ 7.38 грн
500+ 5.77 грн
1000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.85 грн
6000+ 3.44 грн
9000+ 2.85 грн
30000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWK-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002DWK-7Diodes Inc2N7002 Family SOT363 T&R 3K
товар відсутній
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.15 грн
19+ 16.81 грн
100+ 9.26 грн
1000+ 4.17 грн
3000+ 3.57 грн
9000+ 2.71 грн
24000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002DWKX-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DWKX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DWL-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT23-6L
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DWL-TPMicro Commercial ComponentsDual N-Channel MOSFET
товар відсутній
2N7002DWL-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET Dual N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
2N7002DWL6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWQ-13-FDiodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 10K
на замовлення 9863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.39 грн
13+ 23.58 грн
100+ 13.95 грн
1000+ 7.87 грн
2500+ 7.21 грн
10000+ 5.82 грн
20000+ 5.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002DWQ-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWQ-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002DWQ-13-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.1 грн
59+ 12.61 грн
105+ 7.08 грн
500+ 4.82 грн
1500+ 4.36 грн
Мінімальне замовлення: 41
2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.48 грн
6000+ 4.12 грн
9000+ 3.57 грн
30000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWQ-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002DWQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.82 грн
1500+ 4.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002DWQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A
на замовлення 216575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.23 грн
21+ 14.6 грн
100+ 5.89 грн
1000+ 4.63 грн
3000+ 3.64 грн
9000+ 3.44 грн
24000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 43540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.04 грн
17+ 16.81 грн
100+ 8.47 грн
500+ 6.49 грн
1000+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWS-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товар відсутній
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.51 грн
6000+ 5.07 грн
9000+ 4.39 грн
30000+ 4.04 грн
75000+ 3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWS-7Diodes IncDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.04 грн
14+ 20.67 грн
100+ 10.42 грн
500+ 7.98 грн
1000+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DWT/RPANJITSOT-363 09+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002EPanasonicMOSFET Nch MOSFET 60V 0.3A RDS(on)=3ohms SOT-23
товар відсутній
2N7002EPanasonic Electronic ComponentsDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002ESILICONIX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002EVishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23
товар відсутній
2N7002EVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-2N7002E-T1-E3
товар відсутній
2N7002EPanasonic Electronic ComponentsDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002EonsemiMOSFET NFET SOT23 60V 115MA 7MO
товар відсутній
2N7002ENXPSOT23/SOT323
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002EDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
2N7002E,215NexperiaMOSFET TAPE7 MOSFET
товар відсутній
2N7002E,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002E,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002E,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.385A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002E-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Channel
товар відсутній
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3580+3.2 грн
9000+ 2.74 грн
24000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3580
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.55 грн
9000+ 1.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002E-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: 2N7002E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 13566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.08 грн
1000+ 2.48 грн
5000+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002E-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.12 грн
140+ 2.6 грн
440+ 1.9 грн
1180+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 120
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.7 грн
9000+ 2.56 грн
24000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-Channel
на замовлення 35991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.98 грн
26+ 12.02 грн
100+ 4.5 грн
1000+ 3.24 грн
3000+ 2.58 грн
9000+ 2.38 грн
24000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.6 грн
23+ 12.12 грн
100+ 5.94 грн
500+ 4.65 грн
1000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002E-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3760+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3760
2N7002E-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: 2N7002E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 13566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.11 грн
50+ 14.99 грн
127+ 5.88 грн
500+ 4.08 грн
1000+ 2.48 грн
5000+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 34
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4505+2.55 грн
9000+ 1.5 грн
Мінімальне замовлення: 4505
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002E-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+3.74 грн
100+ 3.24 грн
440+ 2.27 грн
1180+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002E-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002E-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23
товар відсутній
2N7002E-T1 SOT23-7EVISHAY
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002E-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 0.24A
на замовлення 425928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.02 грн
11+ 28.21 грн
100+ 14.28 грн
1000+ 10.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002E-T1-E3VISHAY
на замовлення 187460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002E-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.65 грн
23+ 24.7 грн
25+ 24.45 грн
100+ 14.85 грн
250+ 12.92 грн
500+ 12.28 грн
1000+ 10.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002E-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
товар відсутній
2N7002E-T1-E3VISHAY2006
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002E-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+26.33 грн
692+ 16.59 грн
737+ 15.58 грн
744+ 14.87 грн
1000+ 11.6 грн
Мінімальне замовлення: 436
2N7002E-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 1394018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002E-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002E-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - 2N7002E-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+43.77 грн
25+ 34.12 грн
50+ 28.19 грн
100+ 20.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002E-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.78 грн
10+ 33.62 грн
100+ 23.38 грн
500+ 17.14 грн
1000+ 13.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7002E-T1-E3VISHAYSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
на замовлення 15701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.47 грн
13+ 21.63 грн
100+ 15.03 грн
500+ 11.01 грн
1000+ 8.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.47 грн
9000+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.86 грн
6000+ 8.09 грн
9000+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002E-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002E-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V
на замовлення 175751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.7 грн
13+ 24.03 грн
100+ 11.37 грн
1000+ 7.01 грн
3000+ 6.88 грн
9000+ 6.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.05 грн
9000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002E-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7002E-T1-GE3
Код товару: 167495
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1455+7.88 грн
1584+ 7.24 грн
1633+ 7.02 грн
2000+ 6.52 грн
Мінімальне замовлення: 1455
2N7002EDWT/RPANJITSOT-363 09+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002EPT06+ SOT-323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002EQ-13-FDiodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 10K
товар відсутній
2N7002EQ-13-FDiodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 292mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002EQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 292mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.88 грн
6000+ 3.46 грн
9000+ 2.87 грн
30000+ 2.65 грн
75000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002EQ-7-FDiodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002EQ-7-FDiodes Inc2N7002 Family SOT23 T&R 3K
товар відсутній
2N7002EQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.15 грн
18+ 16.96 грн
100+ 9.32 грн
1000+ 4.17 грн
3000+ 3.57 грн
9000+ 2.78 грн
24000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002ET1
на замовлення 5580315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 60452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.54 грн
75+ 9.94 грн
181+ 4.1 грн
500+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 52
2N7002ET1GON-SemicoductorN-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3704+3.1 грн
4011+ 2.86 грн
4560+ 2.51 грн
5618+ 1.97 грн
6000+ 1.77 грн
15000+ 1.47 грн
30000+ 1.37 грн
Мінімальне замовлення: 3704
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6850+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 6850
2N7002ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 515512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.02 грн
27+ 10.26 грн
100+ 5.01 грн
500+ 3.92 грн
1000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002ET1GonsemiMOSFET NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
на замовлення 693826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+12.88 грн
35+ 8.82 грн
100+ 3.24 грн
1000+ 2.58 грн
3000+ 1.85 грн
9000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N7002ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 30000
2N7002ET1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3919 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.53 грн
70+ 4.15 грн
250+ 3.6 грн
370+ 2.61 грн
1020+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002ET1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+6.28 грн
110+ 3.33 грн
250+ 3 грн
370+ 2.18 грн
1020+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 60
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 60452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 279000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5227+2.19 грн
69000+ 2 грн
138000+ 1.87 грн
207000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 5227
2N7002ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 507000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.61 грн
6000+ 2.33 грн
9000+ 1.93 грн
30000+ 1.78 грн
75000+ 1.6 грн
150000+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ET1GON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 260 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25; Qg, нКл = 0,81 @ 5 В; Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA; SOT-23-3
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
20+31.2 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+7.67 грн
85+ 6.74 грн
94+ 6.05 грн
196+ 2.8 грн
250+ 2.57 грн
500+ 2.28 грн
1000+ 2 грн
3000+ 1.62 грн
6000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 75
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002ET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002ET3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002ET7GonsemiMOSFET Small Signal MOSFET 60V 310mA 2.5 Ohm Single N-Channel SOT-23
на замовлення 487276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+14.35 грн
31+ 9.89 грн
100+ 3.57 грн
1000+ 2.38 грн
3500+ 1.85 грн
7000+ 1.59 грн
24500+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7002ET7GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.19 грн
140+ 2.54 грн
250+ 2.28 грн
485+ 1.66 грн
1335+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 75
2N7002ET7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002ET7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 72590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+13.59 грн
31+ 8.96 грн
100+ 4.38 грн
500+ 3.43 грн
1000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7002ET7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 66500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+2.29 грн
7000+ 2.04 грн
10500+ 1.69 грн
24500+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 3500
2N7002ET7GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
45+6.23 грн
85+ 3.16 грн
250+ 2.74 грн
485+ 1.99 грн
1335+ 1.88 грн
Мінімальне замовлення: 45
2N7002ET7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002EWAnBonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 340mA; 200mW; -55°C~150°C; 2N7002EW T2N7002EW ANB
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002EYANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
на замовлення 17624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+9.3 грн
45+ 6.2 грн
100+ 3.32 грн
500+ 2.45 грн
1000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 31
2N7002EYAnbon Semiconductor2N7002EY
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16484+0.7 грн
Мінімальне замовлення: 16484
2N7002EYANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.56 грн
6000+ 1.42 грн
9000+ 1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002FPHILIPS0551+
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002FNXP08+ROHS SOT-23
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002F,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 475MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 475mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002F,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 475MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 475mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002F,215NexperiaNexperia N-CH TRNCH 60V .475A
товар відсутній
2N7002F,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.475A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002HSOT23/SOT323
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002HNexperiaMOSFET 2N7002H/SOT23/TO-236AB
товар відсутній
2N7002HDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
2N7002H-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002H-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002H-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode Mosfet
товар відсутній
2N7002H-13Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA
товар відсутній
2N7002H-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA
на замовлення 59365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18.67 грн
26+ 11.71 грн
100+ 4.56 грн
1000+ 2.91 грн
3000+ 2.18 грн
9000+ 1.72 грн
45000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1263000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1275000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2319+4.95 грн
2344+ 4.89 грн
Мінімальне замовлення: 2319
2N7002H-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
на замовлення 1274048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.88 грн
24+ 11.57 грн
100+ 5.66 грн
500+ 4.43 грн
1000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002H-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+3.55 грн
100+ 3.08 грн
420+ 2.33 грн
1140+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1281000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002H-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+2.47 грн
420+ 1.94 грн
1140+ 1.84 грн
Мінімальне замовлення: 140
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002H-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
на замовлення 1272000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.95 грн
6000+ 2.63 грн
9000+ 2.18 грн
30000+ 2.01 грн
75000+ 1.81 грн
150000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+16.79 грн
54+ 10.52 грн
119+ 4.61 грн
250+ 4.1 грн
500+ 3.89 грн
1000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 34
2N7002H-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002H6327Infineon technologies
на замовлення 22270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002H6327XTInfineon TechnologiesSP000868322
товар відсутній
2N7002H6327XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
на замовлення 38681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.22 грн
20+ 15.44 грн
100+ 8.46 грн
1000+ 3.77 грн
3000+ 3.24 грн
9000+ 2.51 грн
24000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3254+3.52 грн
9000+ 3 грн
24000+ 2.74 грн
45000+ 2.4 грн
99000+ 2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3254
2N7002H6327XTSA2InfineonN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 296500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.46 грн
20+ 13.91 грн
100+ 6.79 грн
500+ 5.31 грн
1000+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.24 грн
9000+ 2.78 грн
24000+ 2.55 грн
45000+ 2.19 грн
99000+ 1.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.09 грн
9000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
на замовлення 654110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.83 грн
25+ 12.4 грн
100+ 5.42 грн
1000+ 3.84 грн
3000+ 3.04 грн
9000+ 2.51 грн
24000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+17.7 грн
54+ 10.59 грн
108+ 5.27 грн
1000+ 3.54 грн
3000+ 2.48 грн
9000+ 2.04 грн
24000+ 1.87 грн
Мінімальне замовлення: 33
2N7002H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 140705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.55 грн
46+ 16.17 грн
111+ 6.69 грн
500+ 4.73 грн
1000+ 2.98 грн
5000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 33
2N7002H6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+5.19 грн
100+ 4.44 грн
242+ 3.31 грн
666+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 72
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1232+9.31 грн
1285+ 8.93 грн
1949+ 5.89 грн
Мінімальне замовлення: 1232
2N7002H6327XTSA2InfineonN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1378+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 1378
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2014+5.69 грн
2030+ 5.65 грн
2050+ 5.6 грн
2789+ 3.97 грн
4011+ 2.55 грн
6000+ 2.38 грн
15000+ 1.82 грн
Мінімальне замовлення: 2014
2N7002H6327XTSA2InfineonN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.54 грн
6000+ 3.16 грн
9000+ 2.62 грн
30000+ 2.42 грн
75000+ 2.17 грн
150000+ 1.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3779+3.03 грн
9000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3779
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2022+5.67 грн
2902+ 3.95 грн
3798+ 3.02 грн
9000+ 2.47 грн
24000+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 2022
2N7002H6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16518 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
43+6.23 грн
100+ 5.53 грн
242+ 3.98 грн
666+ 3.76 грн
Мінімальне замовлення: 43
2N7002H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 140705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.17 грн
111+ 6.69 грн
500+ 4.73 грн
1000+ 2.98 грн
5000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+13.12 грн
58+ 9.91 грн
63+ 9.07 грн
108+ 5.1 грн
250+ 4.68 грн
500+ 4.45 грн
1000+ 3.27 грн
3000+ 2.23 грн
6000+ 2.21 грн
Мінімальне замовлення: 44
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6049+1.9 грн
Мінімальне замовлення: 6049
2N7002HRNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002HR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.18 грн
55+ 13.72 грн
100+ 8.09 грн
500+ 5.09 грн
1000+ 2.47 грн
5000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 37
2N7002HRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002HRNexperia USA Inc.Description: 2N7002H/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.53 грн
6000+ 2.26 грн
9000+ 1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002HRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 35862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2305+4.98 грн
2738+ 4.19 грн
4560+ 2.51 грн
Мінімальне замовлення: 2305
2N7002HRNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002HR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.09 грн
1000+ 2.47 грн
5000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002HRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002HRNEXPERIA2N7002H/SOT23/TO-236AB
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+1.4 грн
Мінімальне замовлення: 220
2N7002HRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+14.93 грн
55+ 10.38 грн
60+ 9.62 грн
75+ 7.35 грн
112+ 4.53 грн
250+ 4.31 грн
500+ 3.63 грн
1000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 39
2N7002HRNexperia USA Inc.Description: 2N7002H/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 15051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.02 грн
28+ 9.92 грн
100+ 4.85 грн
500+ 3.79 грн
1000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002HRNexperiaMOSFET 2N7002H/SOT23/TO-236AB
на замовлення 71545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.98 грн
26+ 12.09 грн
100+ 6.68 грн
1000+ 3.04 грн
3000+ 2.51 грн
9000+ 1.98 грн
24000+ 1.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002HSNexperiaMOSFET 2N7002HS/SOT363/SC-88
товар відсутній
2N7002HSXNexperiaMOSFET 2N7002HS/SOT363/SC-88
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.15 грн
17+ 18.18 грн
100+ 8.99 грн
1000+ 4.56 грн
3000+ 3.97 грн
9000+ 3.11 грн
24000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.39 грн
500+ 6.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002HSXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
2N7002HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
2N7002HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+27.75 грн
38+ 20.03 грн
100+ 10.39 грн
500+ 6.89 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N7002HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
2N7002HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.32 грн
17+ 16.53 грн
100+ 8.32 грн
500+ 6.37 грн
1000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002HV-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002HV-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+15.74 грн
28+ 10.2 грн
100+ 4.98 грн
500+ 3.9 грн
1000+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 19
2N7002HV-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002HV-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Channel MOSFET
товар відсутній
2N7002HWXNexperiaMOSFET 2N7002HW/SOT323/SC-70
на замовлення 15749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.83 грн
22+ 13.84 грн
100+ 7.6 грн
1000+ 3.44 грн
3000+ 2.91 грн
9000+ 2.18 грн
24000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002HWXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7002HWXNexperia USA Inc.Description: 2N7002HW/SOT323/SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 17107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.31 грн
23+ 12.33 грн
100+ 6.03 грн
500+ 4.72 грн
1000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002HWXNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002HWX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 260mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002HWXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7002HWXNexperia USA Inc.Description: 2N7002HW/SOT323/SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.15 грн
6000+ 2.81 грн
9000+ 2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002HWXNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002HWX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002HWXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7002KONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 17610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.37 грн
40+ 18.77 грн
101+ 7.37 грн
500+ 6.7 грн
Мінімальне замовлення: 28
2N7002KVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin SOT-23
товар відсутній
2N7002KGood-ArkTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3049+3.76 грн
3081+ 3.72 грн
3106+ 3.69 грн
3555+ 3.11 грн
6000+ 2.71 грн
15000+ 1.22 грн
Мінімальне замовлення: 3049
2N7002KRectronTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002KONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.53 грн
40+ 6.85 грн
100+ 5.94 грн
225+ 4.32 грн
615+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 20