Продукція > 2N7
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N700 | MOTOROLA | на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N700/18 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7000 | DIOTEC | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO 2N7000 DIOTEC T2N7000 DIOTEC кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 145 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 0.2A 0.4W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 19871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3 | на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | onsemi | Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 41168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 19871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7000 | Microchip Technology | MOSFET 60V 5Ohm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | NTE Electronics, Inc. | N-Ch, Enhancement Mode Field Effect Transistor | на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | onsemi / Fairchild | MOSFET FET 60V 5.0 OHM TO92 | на замовлення 63991 шт: термін постачання 465-474 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | Fairchild Semiconductor | Транз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92 | на замовлення 346 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 Код товару: 182880 | ST | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,32 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 Монтаж: THT | у наявності 849 шт: 713 шт - склад32 шт - РАДІОМАГ-Київ 9 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 94 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced | на замовлення 21800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 60 Volt 0.35 A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 3925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | LGE | N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 8320 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 105993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | на замовлення 535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 200 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 400 Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 19871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 21800 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | STMicroelectronics NV | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 | на замовлення 650 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7000 Код товару: 20638 | NXP | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/- Монтаж: THT | у наявності 1913 шт: 1913 шт - складочікується 400 шт: 400 шт - очікується |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 41580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N | на замовлення 15903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 535 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 AMO | NXP Semiconductors | MOSFET TRENCH 31V-99V G2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000,126 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000,126 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-AP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 2929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 MSL: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm | на замовлення 1937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA | на замовлення 53904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 1350 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA | на замовлення 57485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 1929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D75Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D75Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D75Z | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA | на замовлення 4458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D75Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D75Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D75Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 15143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D75Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 0.2A Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | на замовлення 1071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-G Код товару: 182408 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7000-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 4332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-G | Microchip Technology | MOSFET 60V 5Ohm | на замовлення 12108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 0.2A Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1071 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7000-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-TA | Vishay | Vishay USE 2N7000KL-TR1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N70002 Код товару: 53073 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N70002 | NXP | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7000; 190mA; 60V; 250mW; N-MOSFET; Корпус: TO-92; NXP | на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||||
2N7000BU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000BU | ON-Semicoductor | N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000BU (bulk) 2N7000 FAIRCHILD T2N7000 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000BU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000BU | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Channel Sm Sig | на замовлення 43784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000BU | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 200 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 400 Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.9 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000BU | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000BU | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000BU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000BU_T | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000CSM | Semelab | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin CLLCC-1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000CSM-JQR-A | Semelab | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin CLLCC-1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000CSM.01 | Welwyn Components / TT Electronics | MOSFET PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000G | onsemi | MOSFET 60V 200mA N-Channel | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000K | Rectron | TO-92 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000KL-TR1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.47A 3-Pin TO-226AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000L Код товару: 175310 | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,15 mA Rds(on), Ohm: 1,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 20 / Монтаж: THT | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7000PSTOA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRA | ON | 05+06+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7000RLRA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRMG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRMG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRMG | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7000RLRPG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRPG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000TA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000TA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 200 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 400 Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.9 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000TA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000TA | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000TA | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Channel Sm Sig | на замовлення 65411 шт: термін постачання 515-524 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000TA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000TA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7000TA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000TA | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 1490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000TA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 200 hazardous: false Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9 euEccn: NLR Verlustleistung: 400 Bauform - Transistor: TO-226AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000TA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 3401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000TA Код товару: 173012 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7000TA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000TA+ | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7000_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001 | на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Description: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: SC-70-5 Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 59649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R | на замовлення 2507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Translation - Voltage Levels 1-bit dual-supply buffered voltage signal converter 5-SC70 -40 to 125 | на замовлення 29492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDCKR Код товару: 162137 | Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R | на замовлення 2507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Description: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: SC-70-5 Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Translation - Voltage Levels 1-bit dual-supply buffered voltage signal converter 5-X2SON -40 to 125 | на замовлення 8489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Description: IC TRANSLATOR UNIDIR 5X2SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8) Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Description: IC TRANSLATOR UNIDIR 5X2SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8) Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TDPWR-S | Texas Instruments | Description: PROTOTYPE Packaging: Bulk Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8) Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TEVM | Texas Instruments | 2N7001T Level Translator Evaluation Board | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7001TEVM | Texas Instruments | 2N7001T Level Translator Evaluation Board | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TEVM | Texas Instruments | Other Development Tools 2N7001TEVM | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TEVM | Texas Instruments | Description: DEVELOPMENT INTERFACE Packaging: Bulk Function: Level Shifter Type: Interface Utilized IC / Part: 2N7001T Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TEVM | Texas Instruments | 2N7001T Level Translator Evaluation Board | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Translation - Voltage Levels Automotive 1-bit dual-supply buffered voltage signal translator 5-SC70 -40 to 125 | на замовлення 37314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Description: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: SC-70-5 Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive AEC-Q100 5-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive AEC-Q100 5-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Description: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: SC-70-5 Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 53186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive AEC-Q100 5-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 Код товару: 179822 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 On-state resistance: 3.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5155 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | onsemi | Description: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 3849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | LGE | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002 LGE T2N7002 LGE кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 369000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | GALAXY | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | NTE Electronics, Inc. | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 6300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | MLCCBASE | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002-TP; 2N7002 MLCCBASE T2N7002 MLC кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm | на замовлення 716090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 HXY MOSFET T2N7002 HXY кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 41999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Pan Jit International | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23 | на замовлення 7 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 89650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 89650 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | onsemi | Description: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 3849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | JUXING | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JUXING T2N7002 JUX кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd. | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23 | на замовлення 105278 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002 | Yangjie Electronic Technology | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | на замовлення 990000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 125910 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | LGE | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002 LGE T2N7002 LGE кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | на замовлення 1755000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | GALAXY | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 850 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 125910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CHANNEL 60V 115mA | на замовлення 558692 шт: термін постачання 310-319 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | SLKOR | Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 SLKOR T2N7002 SLK кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 8950 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 7850 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1056000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Ningbo KLS electronic co.,ltd | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23 | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 On-state resistance: 3.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 5155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 (Hottech, SOT-23-3) Код товару: 47271 | Hottech | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 Монтаж: SMD | очікується 8000 шт: 8000 шт - очікується 30.12.2023 |
| ||||||||||||||||||
2N7002 12W | SHIKUES | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 SHIKUES T2N7002 SHK кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 BK PBFREE | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 Box | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 BK PBFREE | Central Semiconductor | MOSFET N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 BK PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Box Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3 | на замовлення 16901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 T/R | PANJIT | 0604+ | на замовлення 1399 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 273000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor | MOSFET N-Ch 60V .2A | на замовлення 390068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 278772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 TR TIN/LEAD | Central Semiconductor | MOSFET N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 350mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 TR TIN/LEAD | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 TR13 PBFREE | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 TR13 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 TR13 PBFREE | Central Semiconductor | MOSFET N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs | на замовлення 96625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 TR13 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 TR13 TIN/LEAD | Central Semiconductor | MOSFET N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 115mA 350mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002(12P) | PHILIPS | SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002(702) | на замовлення 548 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7002,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3438000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1042529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 804000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 0,3 А; Ptot, Вт = 0,83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Rds = 5 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -65...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3 | на замовлення 8454 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 828000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3438000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2538000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1113000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 830mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1042529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1116000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3438000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3582000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 25101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 25101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 30000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 828065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 830mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1113000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2550000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | MOSFET 2N7002/SOT23/TO-236AB | на замовлення 1449707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,235 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,235 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 0.83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002,235 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002,235 | Nexperia | MOSFET 2N7002/SOT23/TO-236AB | на замовлення 28880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,235 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 0.83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002,235 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 9195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13-01-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-13-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 17960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 17960 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13-F-79 | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V 200mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2142000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes INC. | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,37; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 | на замовлення 985 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F Код товару: 170068 | Diodes | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 0,115 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2142000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 796304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 396000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7002,215 2N7002-T1-E3 2N7002TA 2N7002-7-F DIODES T2N7002 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 238050 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: 0 MSL: 0 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-23 Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFET N Channel Transistors productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET 60V 200mW | на замовлення 623757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 5480 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F Код товару: 186256 | CJ | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,115 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Монтаж: SMD | у наявності 4166 шт: 3831 шт - склад83 шт - РАДІОМАГ-Київ 31 шт - РАДІОМАГ-Львів 73 шт - РАДІОМАГ-Одеса 148 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 802012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 396000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 5480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 396000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F-50 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F-79 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F. | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23, FULL REEL tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: 0 MSL: 0 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-23 Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F; 210mA; 60V; 0,3W; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIODES Inc. | на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||||
2N7002-7-G | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-D87Z | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-D87Z | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect | на замовлення 5087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-D87Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-D87Z | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-F169 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-F169 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-F169 | onsemi | Description: 2N7002 - TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 2N7002 N-кан. MOSFET 60V, 0.34A, 0.35Вт, SOT-23 (SMD) | на замовлення 104090 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 0.5A Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3883 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 0.5A Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | на замовлення 3883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 8209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Comchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - 2N7002-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 360mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 7.5ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 14101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | onsemi | MOSFET FET 60V 5.0 OHM | на замовлення 234919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-HF | Comchip Technology | N-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-HF | Comchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | на замовлення 5573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-HF | Comchip Technology | MOSFET 0.25A 60V N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 8382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-HF | Comchip Technology | N-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-HF | Comchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-L | на замовлення 87000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7002-L T/R | DIODES | 0841+ | на замовлення 87000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-LT/R | PANJIT | SOT-23 08+ | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-MTF | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7002-NL | FIARCHILD | 07+ | на замовлення 3010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-T1 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-2N7002K-GE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-T1 Код товару: 15283 | Vishay | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Монтаж: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-T1 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 16050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 16050 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 0.115A 0.2W | на замовлення 592268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 5081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V | на замовлення 619961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 80mW Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 6875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 80mW Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 6875 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1/72 | VISHAY | на замовлення 102000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002-T1/72KBL | SI | на замовлення 2918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002-T1/72N | SILICONIX | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002-T2 | Vishay | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 999000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 513000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components Corp. | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 55570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2538000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 38723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 55570 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET 60V, 115mA | на замовлення 398189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 999000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 36090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components Corp. | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 513000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP (2N7002-7-F) Код товару: 39940 | MCC | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 0,115 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-TP-HF | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-TP-HF | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-TP-HF | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-TP-HF | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002.215 | n-канальний польовий транзистор SOT-23 | на замовлення 16840 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||||||
2N7002.215 Код товару: 73129 | NXP | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-236AB Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm Монтаж: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002/12P | PHILIPS | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002/12W | PHILIPS | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002/7002 | 07+ SOT-23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002/702 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7002/G | PHILIPS | SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 54509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | NEXPERIA | 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002/HAMR - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3560000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia | MOSFET 2N7002/SOT23/TO-236AB | на замовлення 37705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002/S711215 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002702 | FAIRCHILD | 00+ 23 | на замовлення 5300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002; 280mA; 60V; 350mW; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIOTEC | на замовлення 688 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||||
2N7002A | Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N | на замовлення 18210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 9600 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, N, 0 Packaging: Strip Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A Код товару: 161144 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7002A | KEC | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,88 В @ 115 мА; SOT-23-3 | на замовлення 84 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | Diotec Semiconductor | 2N7002A | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 370mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 11273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 1170 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | на замовлення 128855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002A-7 T2N7002A-7 Diodes кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2720 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V | на замовлення 463339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 370mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 11273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V | на замовлення 462000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N, AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-AQ | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-RTK/P | KEC | SOT23 | на замовлення 8770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-TP | Micro Commercial Co | Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 1601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Ch 60Vds 30Vgs 40Vgsm 115mA 300mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-TP | Micro Commercial Co | Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 573000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A/7002 | N/A | 08+ SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002AK | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AK | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AK | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family | на замовлення 27244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry | на замовлення 11140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 11140 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2270 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 753000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 789000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 534000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 858000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 579000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family | на замовлення 106306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry | на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 789158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1677000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BK | Nexperia | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BK Код товару: 73117 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1003548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm | на замовлення 164932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NXP | Trans MOSFET N-CH 60V 0.350A 2N7002BK T2N7002bk кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 5500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 5080 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 5080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 991000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | MOSFET 2N7002BK/SOT23/TO-236AB | на замовлення 1731712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NXP | Транз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, 350 mA | на замовлення 314 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 440mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 169475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 350 мА; Ptot, Вт = 0,37; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Qg, нКл = 0.6; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2.1 @ 250 мА; SOT-23-3 | на замовлення 1078 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKM,315 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKM,315 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKM/V,315 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL SIGNA Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKM/VYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKM315 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL S Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKMB,315 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKMB,315 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS | Nexperia | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 702000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | NXP | 2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002BKS,115 2N7002BKS,115 T2N7002bks кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1720 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 3995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 295mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 295mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 57244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 702000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3995 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia | MOSFET 2N7002BKS/SOT363/SC-88 | на замовлення 153075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 404367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 295mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 57244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS.115 Код товару: 109130 | Транзистори > Польові N-канальні | очікується 350 шт: 350 шт - очікується 04.12.2023 | ||||||||||||||||||||
2N7002BKS/DG/B2115 | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKS/ZLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.04W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKSH | Nexperia USA Inc. | Description: 2N7002BKS/SOT363/SC-88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKSH | Nexperia | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKSH | Nexperia USA Inc. | Description: 2N7002BKS/SOT363/SC-88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKT,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKT,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.29A Automotive 3-Pin SC-75 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKT,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 29605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.525W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 3565 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 29605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 28699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.525W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 3565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia | MOSFET NRND for Automotive Applications 2N7002BKV/SOT666/SOT6 | на замовлення 69112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV/DG/B2115 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKVL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 22750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 370mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 41329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 46200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | Nexperia | MOSFET 2N7002BK/SOT23/TO-236AB | на замовлення 231990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 46307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 370mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 22750 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 46307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW | Nexperia | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 21217 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 426000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 8674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 8674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | NXP | N-MOSFET 60V 310mA 275mW 1.6Ω 2N7002BKW NXP T2N7002bkw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2840 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 275mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 14585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 275mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 58673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 426000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | MOSFET 2N7002BKW/SOT323/SC-70 | на замовлення 96115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 21217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 275mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 275mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002CK | Nexperia USA Inc. | Description: 2N7002 - SMALL SIGNAL FIELD-EFFE Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CK | NXP | N-MOSFET 60V 300mA 350mW 2N7002CK,215 T2N7002ck кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002CK | Nexperia | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CK | Nexperia Inc. | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23 | на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002CK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CK,215 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 300 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 55 @ 25; Qg, нКл = 1,3 @ 4,5 В; Rds = 1,6 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3 | на замовлення 10284 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002CK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002CK,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CK,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CK,215 | NXP | Транз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 | на замовлення 2935 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002CK,215 | Nexperia | MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CKVL | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CKVL | Nexperia | MOSFET 60V N-CHANNEL 0.3A | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002CKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 280000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002CSM | Semelab | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin CLLCC-1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CSM-QR-EBC | Semelab | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin LCC-1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002D87Z | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DS6 | Rectron USA | Description: MOSFET 2 N-CH 60V 250MA SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363-6L Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SC70-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 6150 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 14057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 246107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect | на замовлення 134422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 384000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SC70-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 6150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW Код товару: 174754 | Мікросхеми > Інші мікросхеми | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 14486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 246107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 | на замовлення 298993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW K72.. | DIODES/ZETEX | 2x N-MOSFET 115mA 60V 200mW 7.5Ω 2N7002DW-7-F 2N7002DW T2N7002dw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-13-G | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Discontinued at Digi-Key | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Discontinued at Digi-Key | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V 200mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 1965000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Power dissipation: 0.12W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 5700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 411000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F Код товару: 143738 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Power dissipation: 0.12W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 5700 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 411000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 248998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 218604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET 60V 200mW | на замовлення 484562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 1965000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 247450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 218604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F-79 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F. | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N7002DW-7-F. - MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 4.4OHM, 115mA, SOT-363-6 tariffCode: 85412100 rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET, N Channel Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 14668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-G | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-G | onsemi | MOSFET FET 60V 2.0 MOHM | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002DW-G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Last Time Buy | на замовлення 5256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 1224000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 4135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET Dual N-CH 60V 115mA | на замовлення 64863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 4135 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 1228323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TPQ2 | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-TPQ2 | Micro Commercial Co | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-TPQ2 | Micro Commercial Components | Dual N-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW1T1G | LRC | SOT363 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002DW1T1G | ON | SOT-363 05+ | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002DWA-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWA-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWA-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWAQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWAQ-7 | Diodes Inc | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWAQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWAQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XT | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 | на замовлення 14974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 | на замовлення 135279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, BRT, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 139756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | на замовлення 12955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active | на замовлення 115685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 12955 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, BRT, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 139756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 162400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWK-13 | Diodes Inc | 2N7002 Family SOT363 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWK-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWK-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWK-7 | Diodes Inc | 2N7002 Family SOT363 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 3K | на замовлення 2402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWK-7 | Diodes Zetex | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWKX-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWKX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWL-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT23-6L Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 225mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6L Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWL-TP | Micro Commercial Components | Dual N-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWL-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET Dual N-CHANNEL MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWL6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWQ-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWQ-13-F | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 10K | на замовлення 9863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-13-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWQ-13-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A | на замовлення 220808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 62387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.31W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.31W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWS-7 | Diodes Zetex | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWS-7 | Diodes Inc | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWS-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWS-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWT/R | PANJIT | SOT-363 09+ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002E | onsemi | MOSFET NFET SOT23 60V 115MA 7MO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|