НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N700MOTOROLA
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N700/18CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7000DIOTECTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO 2N7000 DIOTEC T2N7000 DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.5 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7000Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.48 грн
8000+ 3.11 грн
12000+ 2.58 грн
28000+ 2.38 грн
100000+ 1.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7000LUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7000Vishay / SiliconixMOSFET 60V 0.2A 0.4W
товар відсутній
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+8.03 грн
69+ 7.95 грн
100+ 7.87 грн
1000+ 7.51 грн
2500+ 6.89 грн
10000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 68
2N7000Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+62.4 грн
100+ 27.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000onsemiDescription: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 41168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.73 грн
12+ 23.72 грн
100+ 14.23 грн
500+ 12.37 грн
1000+ 8.41 грн
2000+ 7.74 грн
5000+ 7.3 грн
10000+ 6.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 42
2N7000
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2N7000Microchip TechnologyMOSFET 60V 5Ohm
товар відсутній
2N7000NTE Electronics, Inc.N-Ch, Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+40.74 грн
500+ 32.27 грн
1000+ 31.2 грн
2500+ 27.74 грн
Мінімальне замовлення: 250
2N7000onsemi / FairchildMOSFET FET 60V 5.0 OHM TO92
на замовлення 63991 шт:
термін постачання 465-474 дні (днів)
9+33.18 грн
11+ 26.77 грн
100+ 15.88 грн
1000+ 8.93 грн
2500+ 8.16 грн
10000+ 7.21 грн
30000+ 7.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000LUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000Fairchild SemiconductorТранз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
на замовлення 346 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
59+6.25 грн
70+ 4.84 грн
100+ 4.35 грн
Мінімальне замовлення: 59
2N7000
Код товару: 182880
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,32 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
Монтаж: THT
у наявності 849 шт:
713 шт - склад
32 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
94 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+3.5 грн
10+ 3 грн
100+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N7000DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
на замовлення 21800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.62 грн
110+ 3.12 грн
370+ 2.07 грн
1020+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7000STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 0.35 A
товар відсутній
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 135
2N7000LGEN-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 8320 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 300
2N7000Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 105993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.7 грн
20+ 13.68 грн
100+ 6.68 грн
500+ 5.23 грн
1000+ 3.63 грн
2000+ 3.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7000ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.88 грн
80+ 9.65 грн
220+ 9.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N7000ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 400
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
2N7000Diodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+7.24 грн
1417+ 7.17 грн
1430+ 7.1 грн
2500+ 6.78 грн
10000+ 5.83 грн
Мінімальне замовлення: 1402
2N7000DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 21800 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+6.75 грн
100+ 3.89 грн
370+ 2.48 грн
1020+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7000STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7000STMicroelectronics NVN-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92
на замовлення 650 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2N7000
Код товару: 20638
NXPТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
у наявності 1913 шт:
1913 шт - склад
очікується 400 шт:
400 шт - очікується
2+3.5 грн
10+ 3 грн
100+ 2.7 грн
1000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N7000Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 41580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3522+2.88 грн
4620+ 2.68 грн
10560+ 2.51 грн
40260+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3522
2N7000Diotec SemiconductorMOSFET MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.27 грн
12+ 25.59 грн
100+ 15.94 грн
500+ 11.61 грн
1000+ 11.16 грн
2500+ 7.14 грн
4000+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7000ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 535 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+20.77 грн
25+ 17.3 грн
80+ 11.57 грн
220+ 10.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7000STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
2N7000 AMONXP SemiconductorsMOSFET TRENCH 31V-99V G2
товар відсутній
2N7000,126NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000,126NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7000-APMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N7000-D26ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.9 грн
14+ 19.8 грн
100+ 11.86 грн
500+ 10.31 грн
1000+ 7.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7000-D26ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.32 грн
35+ 10.76 грн
100+ 7.77 грн
275+ 7.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7000-D26ZONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
MSL: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+31.83 грн
28+ 25.68 грн
100+ 15.6 грн
500+ 8.24 грн
Мінімальне замовлення: 23
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+10.28 грн
4000+ 9.39 грн
8000+ 8.74 грн
12000+ 7.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26Zonsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 53904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.35 грн
14+ 21.27 грн
100+ 10.39 грн
1000+ 7.08 грн
2000+ 6.19 грн
10000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7000-D26ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+26.78 грн
25+ 13.41 грн
100+ 9.32 грн
275+ 8.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000-D26ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N7000-D74Zonsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 57485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.17 грн
13+ 23.98 грн
100+ 11.42 грн
1000+ 7.97 грн
2000+ 6.95 грн
10000+ 6.25 грн
50000+ 6.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-D74ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
2N7000-D74ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8 грн
6000+ 7.38 грн
10000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-D74ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.66 грн
13+ 22.12 грн
100+ 13.29 грн
500+ 11.55 грн
1000+ 7.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000-D74ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-D75ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7000-D75ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.78 грн
6000+ 6.26 грн
10000+ 5.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D75Zonsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 4458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.26 грн
15+ 20.39 грн
100+ 9.82 грн
1000+ 6.7 грн
2000+ 5.87 грн
10000+ 5.29 грн
50000+ 5.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7000-D75ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-D75ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
2N7000-D75ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 15143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.83 грн
15+ 18.8 грн
100+ 11.27 грн
500+ 9.79 грн
1000+ 6.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7000-D75ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.3 грн
14+ 25.51 грн
15+ 23.72 грн
35+ 22.59 грн
94+ 21.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7000-G
Код товару: 182408
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7000-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.42 грн
25+ 26.41 грн
100+ 23.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000-GMicrochip TechnologyMOSFET 60V 5Ohm
на замовлення 12108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.6 грн
100+ 28.67 грн
500+ 21.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
2N7000-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+65.16 грн
8+ 31.79 грн
10+ 28.46 грн
35+ 27.1 грн
94+ 25.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+29.91 грн
Мінімальне замовлення: 340
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7000-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.12 грн
26+ 27.83 грн
100+ 24.54 грн
1000+ 22.32 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7000-TAVishayVishay USE 2N7000KL-TR1
товар відсутній
2N70002
Код товару: 53073
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N70002NXP
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7000; 190mA; 60V; 250mW; N-MOSFET; Корпус: TO-92; NXP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+312.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
товар відсутній
2N7000BUON-SemicoductorN-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000BU (bulk) 2N7000 FAIRCHILD T2N7000
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
товар відсутній
2N7000BUonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel Sm Sig
на замовлення 43784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+24.92 грн
14+ 22.07 грн
100+ 8.99 грн
1000+ 7.27 грн
2500+ 5.87 грн
10000+ 5.42 грн
30000+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7000BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 400
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.9
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
2N7000BUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7000BUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
2N7000BUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000BU_TonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000CSMSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin CLLCC-1
товар відсутній
2N7000CSM-JQR-ASemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin CLLCC-1
товар відсутній
2N7000CSM.01Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFET PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL
товар відсутній
2N7000GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N7000GonsemiMOSFET 60V 200mA N-Channel
товар відсутній
2N7000GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N7000KRectronTO-92
товар відсутній
2N7000KL-TR1-E3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.47A 3-Pin TO-226AA T/R
товар відсутній
2N7000L
Код товару: 175310
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,15 mA
Rds(on), Ohm: 1,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 20 /
Монтаж: THT
товар відсутній
2N7000PSTOADiodes IncTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin E-Line
товар відсутній
2N7000RLRAON05+06+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7000RLRAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000RLRAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000RLRAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N7000RLRAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000RLRAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N7000RLRMGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000RLRMGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товар відсутній
2N7000RLRMG
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7000RLRPGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товар відсутній
2N7000RLRPGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 400
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.9
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
2N7000TAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000TAONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.09 грн
50+ 9.3 грн
100+ 8.3 грн
120+ 6.94 грн
310+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7000TAonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel Sm Sig
на замовлення 65411 шт:
термін постачання 515-524 дні (днів)
13+24.25 грн
16+ 18.63 грн
100+ 8.99 грн
1000+ 6.12 грн
2000+ 5.48 грн
10000+ 5.23 грн
24000+ 5.17 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7000TAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000TAONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.31 грн
50+ 11.59 грн
100+ 9.96 грн
120+ 8.32 грн
310+ 7.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7000TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400
Bauform - Transistor: TO-226AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000TA
Код товару: 173012
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+23.02 грн
29+ 19.23 грн
31+ 17.77 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N7000TA+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7000_Qonsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
товар відсутній
2N7001
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.74 грн
6000+ 10.23 грн
9000+ 9.53 грн
30000+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7001TDCKRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 59649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.56 грн
10+ 30.09 грн
100+ 20.93 грн
500+ 15.34 грн
1000+ 12.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+18.54 грн
655+ 15.52 грн
662+ 15.36 грн
768+ 12.76 грн
1000+ 9.35 грн
Мінімальне замовлення: 548
2N7001TDCKRTexas InstrumentsTranslation - Voltage Levels 1-bit dual-supply buffered voltage signal converter 5-SC70 -40 to 125
на замовлення 29492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.01 грн
13+ 22.88 грн
100+ 12.5 грн
1000+ 10.14 грн
3000+ 9.31 грн
9000+ 8.93 грн
45000+ 7.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7001TDCKR
Код товару: 162137
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
товар відсутній
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+20.68 грн
29+ 18.73 грн
30+ 18.54 грн
100+ 14.96 грн
250+ 13.72 грн
500+ 11.35 грн
1000+ 8.98 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N7001TDCKRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.33 грн
6000+ 11.27 грн
9000+ 10.47 грн
30000+ 9.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.74 грн
6000+ 10.23 грн
9000+ 9.53 грн
30000+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7001TDPWRTexas InstrumentsTranslation - Voltage Levels 1-bit dual-supply buffered voltage signal converter 5-X2SON -40 to 125
на замовлення 8489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+29.76 грн
13+ 23.25 грн
100+ 11.86 грн
1000+ 8.29 грн
3000+ 7.21 грн
9000+ 6.5 грн
24000+ 6.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
товар відсутній
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+22.46 грн
719+ 14.14 грн
725+ 14.01 грн
786+ 12.47 грн
1000+ 10.42 грн
3000+ 8.93 грн
Мінімальне замовлення: 453
2N7001TDPWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR 5X2SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.42 грн
11+ 24.45 грн
100+ 14.67 грн
500+ 12.75 грн
1000+ 8.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+28.45 грн
24+ 22.65 грн
25+ 22.46 грн
100+ 13.64 грн
250+ 12.51 грн
500+ 11.08 грн
1000+ 10 грн
3000+ 8.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
товар відсутній
2N7001TDPWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR 5X2SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.83 грн
6000+ 8.15 грн
9000+ 7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
товар відсутній
2N7001TDPWR-STexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товар відсутній
2N7001TEVMTexas Instruments2N7001T Level Translator Evaluation Board
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7001TEVMTexas Instruments2N7001T Level Translator Evaluation Board
товар відсутній
2N7001TEVMTexas InstrumentsOther Development Tools 2N7001TEVM
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+920.33 грн
5+ 906.45 грн
2N7001TEVMTexas InstrumentsDescription: DEVELOPMENT INTERFACE
Packaging: Bulk
Function: Level Shifter
Type: Interface
Utilized IC / Part: 2N7001T
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+827.8 грн
2N7001TEVMTexas Instruments2N7001T Level Translator Evaluation Board
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+623.35 грн
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsTranslation - Voltage Levels Automotive 1-bit dual-supply buffered voltage signal translator 5-SC70 -40 to 125
на замовлення 37314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+43.6 грн
10+ 36.52 грн
100+ 22.13 грн
500+ 17.35 грн
1000+ 14.03 грн
3000+ 11.86 грн
9000+ 11.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.59 грн
6000+ 13.34 грн
9000+ 12.39 грн
30000+ 11.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive AEC-Q100 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive AEC-Q100 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 53186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.46 грн
10+ 35.61 грн
100+ 24.77 грн
500+ 18.15 грн
1000+ 14.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive AEC-Q100 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7002
Код товару: 179822
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.6 грн
6000+ 7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5155 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
45+5.79 грн
110+ 2.33 грн
500+ 2.02 грн
560+ 1.65 грн
1530+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 45
2N7002onsemiDescription: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.66 грн
13+ 21.72 грн
100+ 13.03 грн
500+ 11.32 грн
1000+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.6 грн
12000+ 7.86 грн
24000+ 7.31 грн
36000+ 6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002LGETrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002 LGE T2N7002 LGE
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 369000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+26.99 грн
1000+ 20.54 грн
2500+ 19.23 грн
5000+ 17.65 грн
Мінімальне замовлення: 377
2N7002YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+17.79 грн
655+ 15.52 грн
745+ 13.65 грн
936+ 10.47 грн
1111+ 8.17 грн
3000+ 6.99 грн
6000+ 6.53 грн
Мінімальне замовлення: 571
2N7002MLCCBASETransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002-TP; 2N7002 MLCCBASE T2N7002 MLC
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 716090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.27 грн
25+ 28.9 грн
100+ 17.67 грн
500+ 12.29 грн
1000+ 8.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+37.98 грн
21+ 27.03 грн
25+ 24.39 грн
50+ 17.15 грн
100+ 13.86 грн
250+ 11.7 грн
500+ 9.3 грн
1000+ 7.84 грн
3000+ 6.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 HXY MOSFET T2N7002 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.11 грн
9000+ 2.03 грн
30000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002Pan Jit InternationalMOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23
на замовлення 7 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2N7002DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 89650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
150+2.55 грн
275+ 1.29 грн
500+ 1.12 грн
825+ 0.93 грн
2275+ 0.88 грн
Мінімальне замовлення: 150
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 89650 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
100+3.06 грн
175+ 1.61 грн
500+ 1.35 грн
825+ 1.12 грн
2275+ 1.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002onsemiDescription: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002JUXINGTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JUXING T2N7002 JUX
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 4055
2N7002Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd.MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23
на замовлення 105278 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2N7002Yangjie Electronic TechnologyN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 990000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15307+0.66 грн
Мінімальне замовлення: 15307
2N7002YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 125910 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+18.03 грн
20+ 13.91 грн
25+ 11.96 грн
100+ 10.04 грн
135+ 6.84 грн
370+ 6.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.6 грн
9000+ 7.86 грн
18000+ 7.31 грн
27000+ 6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002LGETrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002 LGE T2N7002 LGE
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1755000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11905+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 11905
2N7002GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 125910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+15.02 грн
30+ 11.16 грн
35+ 9.96 грн
100+ 8.37 грн
135+ 5.7 грн
370+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N7002onsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL 60V 115mA
на замовлення 558692 шт:
термін постачання 310-319 дні (днів)
10+31.17 грн
13+ 23.54 грн
100+ 11.42 грн
1000+ 7.78 грн
3000+ 6.82 грн
9000+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002SLKORTransistor N-MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 SLKOR T2N7002 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
товар відсутній
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1056000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8621+1.18 грн
12000+ 1.08 грн
24000+ 1.04 грн
102000+ 0.97 грн
Мінімальне замовлення: 8621
2N7002Ningbo KLS electronic co.,ltdMOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2N7002LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+4.82 грн
180+ 1.87 грн
500+ 1.68 грн
560+ 1.38 грн
1530+ 1.3 грн
Мінімальне замовлення: 75
2N7002 (Hottech, SOT-23-3)
Код товару: 47271
HottechТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
Монтаж: SMD
очікується 8000 шт:
8000 шт - очікується 30.12.2023
4+1.5 грн
10+ 1.2 грн
100+ 0.9 грн
1000+ 0.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N7002 12WSHIKUESTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 SHIKUES T2N7002 SHK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002 BK PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 Box
товар відсутній
2N7002 BK PBFREECentral SemiconductorMOSFET N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs
товар відсутній
2N7002 BK PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Box
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
на замовлення 16901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.17 грн
20+ 14.96 грн
100+ 8.23 грн
1000+ 3.7 грн
3000+ 3.12 грн
9000+ 2.42 грн
24000+ 2.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7002 L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
товар відсутній
2N7002 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002 T/RPANJIT0604+
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.63 грн
6000+ 6.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002 TR PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.5 грн
6000+ 6 грн
9000+ 5.4 грн
30000+ 4.99 грн
75000+ 4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorMOSFET N-Ch 60V .2A
на замовлення 390068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.59 грн
15+ 20.02 грн
100+ 9.06 грн
1000+ 6.63 грн
3000+ 5.8 грн
9000+ 5.29 грн
24000+ 4.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.63 грн
6000+ 6.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002 TR PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 278772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.14 грн
15+ 18 грн
100+ 10.8 грн
500+ 9.39 грн
1000+ 6.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002 TR TIN/LEADCentral SemiconductorMOSFET N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 350mW
товар відсутній
2N7002 TR TIN/LEADCentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002 TR13 PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002 TR13 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002 TR13 PBFREECentral SemiconductorMOSFET N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs
на замовлення 96625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.59 грн
15+ 20.09 грн
100+ 9.76 грн
1000+ 6.63 грн
2500+ 6.31 грн
10000+ 5.48 грн
20000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002 TR13 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.21 грн
14+ 19.6 грн
100+ 11.78 грн
500+ 10.23 грн
1000+ 6.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002 TR13 TIN/LEADCentral SemiconductorMOSFET N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 115mA 350mW
товар відсутній
2N7002(12P)PHILIPSSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002(702)
на замовлення 548 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3438000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1042529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.96 грн
1000+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 804000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4386+2.32 грн
195000+ 2.11 грн
390000+ 1.97 грн
585000+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 4386
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+15.33 грн
50+ 10.85 грн
51+ 10.26 грн
100+ 6.16 грн
250+ 5.62 грн
500+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 36
2N7002,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+3.76 грн
120+ 3.14 грн
200+ 2.78 грн
340+ 2.38 грн
900+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 0,3 А; Ptot, Вт = 0,83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Rds = 5 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -65...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 8454 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
337+1.86 грн
361+ 1.73 грн
389+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 337
2N7002,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 828000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.1 грн
6000+ 2.77 грн
9000+ 2.3 грн
30000+ 2.12 грн
75000+ 1.9 грн
150000+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3438000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3827+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3827
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2538000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.5 грн
6000+ 1.95 грн
12000+ 1.93 грн
18000+ 1.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1113000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.78 грн
6000+ 2.17 грн
12000+ 2.15 грн
18000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1042529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+22.39 грн
42+ 17.24 грн
100+ 8.8 грн
500+ 4.96 грн
1000+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 32
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3659+2.78 грн
6000+ 2.17 грн
12000+ 2.15 грн
18000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3659
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3438000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.62 грн
6000+ 2.04 грн
12000+ 2.02 грн
18000+ 1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 191
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3582000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4262+2.38 грн
6000+ 1.86 грн
12000+ 1.84 грн
18000+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 4262
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1806+5.63 грн
1862+ 5.46 грн
3441+ 2.95 грн
3659+ 2.68 грн
6000+ 1.93 грн
15000+ 1.74 грн
Мінімальне замовлення: 1806
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+10.56 грн
60+ 9.17 грн
65+ 8.43 грн
100+ 5.88 грн
250+ 5.02 грн
500+ 4.68 грн
1000+ 2.53 грн
3000+ 2.38 грн
6000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 52
2N7002,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
60+4.51 грн
100+ 3.92 грн
200+ 3.33 грн
340+ 2.85 грн
900+ 2.69 грн
Мінімальне замовлення: 60
2N7002,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 828065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+18.63 грн
22+ 12.22 грн
100+ 5.95 грн
500+ 4.66 грн
1000+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.93 грн
9000+ 2.7 грн
24000+ 2.55 грн
45000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1113000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3659+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3659
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2550000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6330+1.6 грн
723000+ 1.46 грн
1446000+ 1.36 грн
2169000+ 1.24 грн
Мінімальне замовлення: 6330
2N7002,215NexperiaMOSFET 2N7002/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1449707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.34 грн
25+ 11.81 грн
100+ 4.66 грн
1000+ 2.87 грн
3000+ 2.68 грн
9000+ 2.17 грн
24000+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.86 грн
20000+ 1.74 грн
50000+ 1.6 грн
100000+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002,235NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002,235NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 0.83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
2N7002,235Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002,235NexperiaMOSFET 2N7002/SOT23/TO-236AB
на замовлення 28880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+16.59 грн
26+ 11.59 грн
100+ 4.66 грн
1000+ 2.87 грн
2500+ 2.42 грн
10000+ 1.66 грн
20000+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.04 грн
20000+ 1.92 грн
50000+ 1.77 грн
100000+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002,235NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 0.83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7002,235Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 9195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+18.63 грн
22+ 12.22 грн
100+ 5.97 грн
500+ 4.67 грн
1000+ 3.24 грн
2000+ 2.81 грн
5000+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002-13-01-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A T/R
товар відсутній
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.1 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 17960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+2.7 грн
200+ 1.76 грн
500+ 1.55 грн
600+ 1.29 грн
1640+ 1.22 грн
Мінімальне замовлення: 140
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+14.08 грн
52+ 10.54 грн
54+ 10.07 грн
100+ 6 грн
250+ 4.67 грн
500+ 3.86 грн
1000+ 2.91 грн
3000+ 2.45 грн
6000+ 2.23 грн
Мінімальне замовлення: 39
2N7002-13-FDiodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-13-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1944+5.23 грн
2256+ 4.5 грн
2995+ 3.39 грн
3547+ 2.76 грн
6000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 1944
2N7002-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 17960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+3.24 грн
120+ 2.19 грн
500+ 1.87 грн
600+ 1.54 грн
1640+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002-13-F-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.7 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V 200mW
товар відсутній
2N7002-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2142000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.77 грн
9000+ 1.4 грн
24000+ 1.28 грн
45000+ 1.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-FDiodes INC.N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,37; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 985 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
102+6.18 грн
109+ 5.76 грн
117+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 102
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-7-F
Код товару: 170068
DiodesТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
товар відсутній
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2142000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8876+1.14 грн
558000+ 1.05 грн
1116000+ 0.97 грн
1674000+ 0.89 грн
Мінімальне замовлення: 8876
2N7002-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 796304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.21 грн
6000+ 2.01 грн
9000+ 1.71 грн
30000+ 1.49 грн
75000+ 1.29 грн
150000+ 1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 396000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.86 грн
9000+ 1.47 грн
24000+ 1.34 грн
45000+ 1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.77 грн
9000+ 1.4 грн
24000+ 1.28 грн
45000+ 1.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-FDIODES/ZETEXN-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7002,215 2N7002-T1-E3 2N7002TA 2N7002-7-F DIODES T2N7002
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 238050 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+13.51 грн
55+ 9.93 грн
Мінімальне замовлення: 41
2N7002-7-FMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: 0
MSL: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFET N Channel Transistors
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+10.3 грн
83+ 8.66 грн
191+ 3.76 грн
266+ 2.5 грн
500+ 1.7 грн
1000+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8876+1.14 грн
21000+ 1.05 грн
42000+ 0.97 грн
63000+ 0.89 грн
Мінімальне замовлення: 8876
2N7002-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 60V 200mW
на замовлення 623757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+13.84 грн
30+ 10.05 грн
100+ 3.57 грн
1000+ 2.1 грн
3000+ 1.79 грн
9000+ 1.34 грн
24000+ 1.28 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7002-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+3.9 грн
100+ 2.67 грн
500+ 1.86 грн
1360+ 1.76 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-7-F
Код товару: 186256
CJТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності 4166 шт:
3831 шт - склад
83 шт - РАДІОМАГ-Київ
31 шт - РАДІОМАГ-Львів
73 шт - РАДІОМАГ-Одеса
148 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+6 грн
10+ 3.3 грн
100+ 3.1 грн
1000+ 2.4 грн
2N7002-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 802012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+13.11 грн
31+ 8.77 грн
100+ 4.72 грн
500+ 3.47 грн
1000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 396000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.69 грн
9000+ 1.33 грн
24000+ 1.22 грн
45000+ 0.99 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.25 грн
160+ 2.15 грн
500+ 1.55 грн
1360+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 120
2N7002-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 396000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002-7-F.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23, FULL REEL
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: 0
MSL: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.41 грн
6000+ 2.2 грн
9000+ 1.77 грн
15000+ 1.45 грн
30000+ 1.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-F; 210mA; 60V; 0,3W; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIODES Inc.
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+624.96 грн
2N7002-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23-3
товар відсутній
2N7002-D87ZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
товар відсутній
2N7002-D87ZON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 5087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2N7002-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-D87ZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
товар відсутній
2N7002-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-F169ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-F169onsemiDescription: 2N7002 - TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.01 грн
17+ 15.68 грн
100+ 8.32 грн
500+ 5.13 грн
1000+ 3.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7002-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
товар відсутній
2N7002-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.2N7002 N-кан. MOSFET 60V, 0.34A, 0.35Вт, SOT-23 (SMD)
на замовлення 104090 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2N7002-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
товар відсутній
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+35.65 грн
317+ 32.11 грн
329+ 30.91 грн
500+ 28.46 грн
1000+ 25.2 грн
Мінімальне замовлення: 285
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+21.7 грн
473+ 21.48 грн
485+ 20.97 грн
486+ 20.18 грн
500+ 18.64 грн
1000+ 17.86 грн
Мінімальне замовлення: 469
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.6 грн
9000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+35.04 грн
25+ 21.7 грн
26+ 21.48 грн
100+ 20.22 грн
250+ 18.69 грн
500+ 17.9 грн
1000+ 17.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.5A
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+58.63 грн
6+ 43.71 грн
10+ 37.7 грн
31+ 30.29 грн
83+ 28.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N7002-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.5A
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.86 грн
10+ 35.07 грн
11+ 31.42 грн
31+ 25.24 грн
83+ 23.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7002-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 8209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.08 грн
25+ 33.96 грн
100+ 30.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7002-GComchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.63 грн
12000+ 4.23 грн
24000+ 3.93 грн
36000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.25 грн
6000+ 29.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - 2N7002-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+35.84 грн
25+ 31.48 грн
100+ 26.76 грн
3000+ 23.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+54.21 грн
220+ 46.18 грн
257+ 39.53 грн
272+ 36.13 грн
500+ 31.29 грн
1000+ 28.26 грн
3000+ 25.89 грн
Мінімальне замовлення: 188
2N7002-GonsemiMOSFET FET 60V 5.0 OHM
на замовлення 234919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.84 грн
13+ 23.1 грн
100+ 11.42 грн
1000+ 5.1 грн
3000+ 4.27 грн
9000+ 3.89 грн
24000+ 3.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002-HFComchip TechnologyN-Channel MOSFET
товар відсутній
2N7002-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 5573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+23.45 грн
17+ 15.74 грн
100+ 7.69 грн
500+ 6.02 грн
1000+ 4.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002-HFComchip TechnologyMOSFET 0.25A 60V N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 8382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+24.92 грн
16+ 18.55 грн
100+ 6.19 грн
1000+ 4.21 грн
3000+ 3.25 грн
9000+ 2.81 грн
24000+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002-HFComchip TechnologyN-Channel MOSFET
товар відсутній
2N7002-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-L
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-L T/RDIODES0841+
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-LT/RPANJITSOT-23 08+
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-MTF
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-NLFIARCHILD07+
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-2N7002K-GE3
товар відсутній
2N7002-T1
Код товару: 15283
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Монтаж: SMD
товар відсутній
2N7002-T1VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.77 грн
10+ 35.14 грн
100+ 24.42 грн
500+ 17.89 грн
1000+ 14.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
65+5.61 грн
85+ 3.95 грн
100+ 3.49 грн
300+ 2.56 грн
825+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 65
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 335
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+29.87 грн
23+ 23.72 грн
26+ 21.61 грн
100+ 12.66 грн
Мінімальне замовлення: 19
2N7002-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 16050 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+6.73 грн
55+ 4.92 грн
100+ 4.19 грн
300+ 3.07 грн
825+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6913+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 6913
2N7002-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6881+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 6881
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 0.115A 0.2W
на замовлення 592268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.51 грн
12+ 24.49 грн
100+ 13.2 грн
1000+ 7.01 грн
3000+ 6.25 грн
9000+ 5.23 грн
24000+ 5.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.36 грн
6000+ 6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 5081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.21 грн
13+ 21.46 грн
100+ 16.04 грн
500+ 11.82 грн
1000+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V
на замовлення 619961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+27.68 грн
13+ 22.88 грн
100+ 10.97 грн
1000+ 6.76 грн
3000+ 5.74 грн
9000+ 5.23 грн
24000+ 4.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+28.84 грн
469+ 21.67 грн
514+ 19.77 грн
604+ 16.23 грн
1000+ 14.18 грн
2000+ 12.8 грн
Мінімальне замовлення: 353
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
521+19.51 грн
561+ 18.12 грн
673+ 15.1 грн
1000+ 13.9 грн
2000+ 12.17 грн
Мінімальне замовлення: 521
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.08 грн
6000+ 6.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+17.88 грн
50+ 9.5 грн
125+ 6.22 грн
340+ 5.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+22.32 грн
612+ 16.61 грн
618+ 16.44 грн
Мінімальне замовлення: 456
2N7002-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6875 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+21.46 грн
50+ 11.84 грн
125+ 7.46 грн
340+ 7.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+26.53 грн
24+ 22.59 грн
25+ 22.32 грн
100+ 16.01 грн
250+ 14.68 грн
500+ 11.11 грн
Мінімальне замовлення: 21
2N7002-T1/72VISHAY
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-T1/72KBLSI
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-T1/72NSILICONIX
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-T2VishayMOSFET
товар відсутній
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.65 грн
9000+ 1.46 грн
24000+ 0.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 513000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.72 грн
9000+ 1.52 грн
24000+ 1.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.82 грн
9000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 55570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.21 грн
100+ 3.48 грн
250+ 3.08 грн
280+ 2.74 грн
770+ 2.59 грн
3000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2538000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8772+1.16 грн
636000+ 1.06 грн
1272000+ 0.98 грн
1908000+ 0.89 грн
Мінімальне замовлення: 8772
2N7002-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 38723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.04 грн
35+ 7.77 грн
100+ 4.19 грн
500+ 3.09 грн
1000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N7002-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 55570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+6.25 грн
60+ 4.34 грн
250+ 3.7 грн
280+ 3.29 грн
770+ 3.11 грн
3000+ 3.1 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N7002-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET 60V, 115mA
на замовлення 398189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+11.76 грн
35+ 8.43 грн
100+ 3.12 грн
1000+ 2.17 грн
3000+ 1.59 грн
9000+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 26
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12500+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 12500
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11719+0.87 грн
252000+ 0.79 грн
504000+ 0.74 грн
756000+ 0.67 грн
Мінімальне замовлення: 11719
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 36090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.97 грн
6000+ 1.79 грн
9000+ 1.52 грн
30000+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 513000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5906+1.72 грн
9000+ 1.52 грн
24000+ 1.44 грн
Мінімальне замовлення: 5906
2N7002-TP (2N7002-7-F)
Код товару: 39940
MCCТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
товар відсутній
2N7002-TP-HFMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Channel MOSFET
товар відсутній
2N7002-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-TP-HFMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002.215n-канальний польовий транзистор SOT-23
на замовлення 16840 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+3.27 грн
2N7002.215
Код товару: 73129
NXPТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-236AB
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Монтаж: SMD
товар відсутній
2N7002/12PPHILIPS
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002/12WPHILIPS
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002/700207+ SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002/702
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002/GPHILIPSSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2122+4.79 грн
2266+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 2122
2N7002/HAMRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 54509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+16.56 грн
25+ 10.76 грн
100+ 5.25 грн
500+ 4.11 грн
1000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002/HAMRNEXPERIA60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
2N7002/HAMRNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002/HAMR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3560000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15625+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 15625
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+16.5 грн
49+ 11.17 грн
114+ 4.79 грн
500+ 4.32 грн
1000+ 2.74 грн
3000+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 33
2N7002/HAMRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.74 грн
6000+ 2.45 грн
9000+ 2.03 грн
30000+ 1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002/HAMRNexperiaMOSFET 2N7002/SOT23/TO-236AB
на замовлення 37705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.34 грн
26+ 11.66 грн
100+ 4.15 грн
1000+ 2.93 грн
3000+ 2.3 грн
9000+ 1.91 грн
24000+ 1.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002/S711215NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
товар відсутній
2N7002702FAIRCHILD00+ 23
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002; 280mA; 60V; 350mW; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIOTEC
на замовлення 688 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
480+1.3 грн
Мінімальне замовлення: 480
2N7002ADiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N
на замовлення 18210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18 грн
29+ 10.27 грн
100+ 6.38 грн
500+ 3.19 грн
1000+ 2.93 грн
3000+ 1.85 грн
6000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002ADiotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8876+1.14 грн
12000+ 1.06 грн
Мінімальне замовлення: 8876
2N7002ADIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
100+2.75 грн
150+ 1.74 грн
500+ 1.51 грн
850+ 1.1 грн
2325+ 1.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002ADiotec SemiconductorDescription: MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, N, 0
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7002A
Код товару: 161144
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7002AKECN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,88 В @ 115 мА; SOT-23-3
на замовлення 84 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
84+7.43 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 84
2N7002ADiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
2N7002ADIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
175+2.29 грн
250+ 1.4 грн
500+ 1.26 грн
850+ 0.91 грн
2325+ 0.86 грн
Мінімальне замовлення: 175
2N7002ADiotec Semiconductor2N7002A
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
2N7002A-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+24.11 грн
41+ 17.6 грн
111+ 6.45 грн
500+ 4.9 грн
1000+ 3.5 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3887+2.61 грн
9000+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3887
2N7002A-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.76 грн
110+ 3.21 грн
250+ 2.89 грн
370+ 2.1 грн
1010+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N7002A-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+6.91 грн
70+ 4 грн
250+ 3.47 грн
370+ 2.52 грн
1010+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.38 грн
24000+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 12000
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+12.68 грн
51+ 10.8 грн
63+ 8.67 грн
100+ 5.75 грн
250+ 4.49 грн
500+ 4.26 грн
1000+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 43
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.87 грн
9000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002A-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 128855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.76 грн
21+ 14.3 грн
100+ 5.04 грн
1000+ 3.51 грн
3000+ 2.68 грн
9000+ 2.3 грн
24000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002A-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002A-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002A-7 T2N7002A-7 Diodes
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002A-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 463339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.01 грн
21+ 13.22 грн
100+ 6.46 грн
500+ 5.05 грн
1000+ 3.51 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7002A-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.9 грн
1000+ 3.5 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+1.44 грн
15000+ 1.31 грн
30000+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 12000
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1705+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 1705
2N7002A-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 462000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.91 грн
6000+ 2.6 грн
9000+ 2.16 грн
30000+ 1.99 грн
75000+ 1.79 грн
150000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002A-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N, AEC-Q101
товар відсутній
2N7002A-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 T/R
товар відсутній
2N7002A-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002A-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
2N7002A-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
2N7002A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
товар відсутній
2N7002A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
товар відсутній
2N7002A-RTK/PKECSOT23
на замовлення 8770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+15.87 грн
26+ 10.23 грн
100+ 4.98 грн
500+ 3.9 грн
1000+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 60Vds 30Vgs 40Vgsm 115mA 300mW
товар відсутній
2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 573000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9317+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 9317
2N7002A/7002N/A08+ SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002AKDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.06 грн
27000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 18000
2N7002AKDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
товар відсутній
2N7002AKDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+3.6 грн
24000+ 3.53 грн
30000+ 2.87 грн
Мінімальне замовлення: 18000
2N7002AQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002AQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family
на замовлення 27244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.76 грн
22+ 13.93 грн
100+ 4.91 грн
1000+ 3 грн
2500+ 2.74 грн
10000+ 2.42 грн
20000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002AQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
на замовлення 11140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+6.02 грн
120+ 2.92 грн
350+ 2.19 грн
970+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 60
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.9 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002AQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 11140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.23 грн
100+ 3.63 грн
350+ 2.63 грн
970+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002AQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.32 грн
21+ 12.82 грн
100+ 6.26 грн
500+ 4.9 грн
1000+ 3.4 грн
2000+ 2.95 грн
5000+ 2.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002AQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002AQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
35+7.51 грн
65+ 3.84 грн
250+ 3.28 грн
345+ 2.7 грн
940+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 35
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 753000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.9 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 789000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.26 грн
6000+ 2.92 грн
9000+ 2.42 грн
30000+ 2.23 грн
75000+ 2 грн
150000+ 1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 534000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.9 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+17.25 грн
41+ 13.34 грн
46+ 12.02 грн
100+ 5.42 грн
250+ 4.68 грн
500+ 4.45 грн
1000+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 32
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 858000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.9 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 579000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.9 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family
на замовлення 106306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.09 грн
23+ 13.13 грн
100+ 4.91 грн
1000+ 3.19 грн
3000+ 2.36 грн
9000+ 1.98 грн
24000+ 1.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002AQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+6.26 грн
110+ 3.08 грн
250+ 2.73 грн
345+ 2.25 грн
940+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 60
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 789158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.32 грн
21+ 12.82 грн
100+ 6.26 грн
500+ 4.9 грн
1000+ 3.4 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1677000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.9 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
2N7002BKNexperiaMOSFET
товар відсутній
2N7002BK
Код товару: 73117
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
2N7002BK,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1003548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.94 грн
23+ 11.62 грн
100+ 5.67 грн
500+ 4.44 грн
1000+ 3.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5320+1.91 грн
117000+ 1.75 грн
234000+ 1.62 грн
351000+ 1.48 грн
Мінімальне замовлення: 5320
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1680+6.05 грн
1995+ 5.09 грн
3247+ 3.13 грн
3798+ 2.58 грн
6000+ 1.8 грн
15000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 1680
2N7002BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 164932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+21.96 грн
40+ 18.31 грн
100+ 9.09 грн
500+ 5.23 грн
1000+ 3.35 грн
3000+ 2.96 грн
6000+ 2.19 грн
12000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 33
2N7002BK,215NXPTrans MOSFET N-CH 60V 0.350A 2N7002BK T2N7002bk
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 300
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3319+3.06 грн
6000+ 2.84 грн
9000+ 2.36 грн
30000+ 2.23 грн
75000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3319
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4179+2.43 грн
21000+ 2.22 грн
42000+ 2.06 грн
63000+ 1.88 грн
Мінімальне замовлення: 4179
2N7002BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+3.88 грн
100+ 3.36 грн
380+ 2.48 грн
1020+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.23 грн
140+ 2.7 грн
380+ 2.07 грн
1020+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 120
2N7002BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 991000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.96 грн
6000+ 2.64 грн
9000+ 2.19 грн
30000+ 2.02 грн
75000+ 1.81 грн
150000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3615+2.81 грн
6000+ 2.63 грн
9000+ 1.98 грн
30000+ 1.89 грн
75000+ 1.51 грн
150000+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3615
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+15.77 грн
45+ 12.05 грн
51+ 10.68 грн
100+ 5.89 грн
250+ 5.4 грн
500+ 4.36 грн
1000+ 2.68 грн
3000+ 2.29 грн
6000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 35
2N7002BK,215NexperiaMOSFET 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1731712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18 грн
25+ 11.81 грн
100+ 4.53 грн
1000+ 3 грн
3000+ 2.17 грн
9000+ 1.98 грн
24000+ 1.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002BK,215NXPТранз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, 350 mA
на замовлення 314 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
128+2.86 грн
154+ 2.2 грн
170+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 128
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2773+3.66 грн
2858+ 3.55 грн
5000+ 3.46 грн
10000+ 3.25 грн
25000+ 2.94 грн
Мінімальне замовлення: 2773
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4179+2.43 грн
15000+ 2.22 грн
30000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 4179
2N7002BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 440mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 169475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.23 грн
1000+ 3.35 грн
3000+ 2.96 грн
6000+ 2.19 грн
12000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002BK,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 350 мА; Ptot, Вт = 0,37; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Qg, нКл = 0.6; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2.1 @ 250 мА; SOT-23-3
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
337+1.86 грн
361+ 1.73 грн
389+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 337
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.34 грн
6000+ 3.09 грн
9000+ 2.57 грн
30000+ 2.44 грн
75000+ 2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.62 грн
6000+ 2.45 грн
9000+ 1.84 грн
30000+ 1.7 грн
75000+ 1.36 грн
150000+ 1.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.81 грн
6000+ 2.63 грн
9000+ 1.98 грн
30000+ 1.89 грн
75000+ 1.51 грн
150000+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKM,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002BKM,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+23.75 грн
33+ 16.75 грн
35+ 15.48 грн
50+ 11.27 грн
100+ 6.92 грн
250+ 3.88 грн
Мінімальне замовлення: 23
2N7002BKM,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R
товар відсутній
2N7002BKM,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002BKM/V,315NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL SIGNA
Packaging: Bulk
товар відсутній
2N7002BKM/VYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN
товар відсутній
2N7002BKM315Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL S
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002BKMB,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002BKMB,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN-B T/R
товар відсутній
2N7002BKMB,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002BKMB,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+28.38 грн
28+ 19.35 грн
50+ 19 грн
100+ 10.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002BKSNexperiaMOSFET
товар відсутній
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 702000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.96 грн
135000+ 3.62 грн
270000+ 3.36 грн
405000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NXP2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002BKS,115 2N7002BKS,115 T2N7002bks
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002BKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+13.23 грн
57+ 5.91 грн
100+ 4.78 грн
182+ 4.2 грн
500+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 28
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.63 грн
6000+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.98 грн
6000+ 4.59 грн
9000+ 3.97 грн
30000+ 3.65 грн
75000+ 3.03 грн
150000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
2N7002BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 295mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 295mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 57244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.2 грн
27+ 26.54 грн
100+ 13.59 грн
500+ 8.37 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 4.89 грн
6000+ 4.38 грн
12000+ 4.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 583
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 702000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.6 грн
9000+ 4.06 грн
24000+ 3.78 грн
45000+ 3.26 грн
99000+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
17+15.88 грн
34+ 7.37 грн
100+ 5.74 грн
182+ 5.05 грн
500+ 4.77 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002BKS,115NexperiaMOSFET 2N7002BKS/SOT363/SC-88
на замовлення 153075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.01 грн
16+ 19.29 грн
100+ 7.14 грн
1000+ 5.17 грн
3000+ 4.02 грн
9000+ 3.57 грн
24000+ 3.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 404367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+27.59 грн
15+ 18.67 грн
100+ 9.43 грн
500+ 7.21 грн
1000+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002BKS,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 295mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 57244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.59 грн
500+ 8.37 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 4.89 грн
6000+ 4.38 грн
12000+ 4.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002BKS.115
Код товару: 109130
Транзистори > Польові N-канальні
очікується 350 шт:
350 шт - очікується 04.12.2023
2N7002BKS/DG/B2115Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002BKS/ZLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002BKSHNexperia USA Inc.Description: 2N7002BKS/SOT363/SC-88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002BKSHNexperiaMOSFET
товар відсутній
2N7002BKSHNexperia USA Inc.Description: 2N7002BKS/SOT363/SC-88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002BKT,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002BKT,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.29A Automotive 3-Pin SC-75 T/R
товар відсутній
2N7002BKT,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.01 грн
12000+ 7.32 грн
24000+ 6.81 грн
36000+ 6.2 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7002BKV,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
2N7002BKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.59 грн
500+ 7.97 грн
1000+ 5.15 грн
4000+ 4.72 грн
8000+ 4.66 грн
12000+ 4.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7002BKV,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.62 грн
30+ 9.77 грн
100+ 8.37 грн
130+ 7.08 грн
360+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+23.37 грн
31+ 18 грн
37+ 15 грн
50+ 12.06 грн
100+ 9.35 грн
250+ 7.61 грн
500+ 6.17 грн
1000+ 5.21 грн
3000+ 5.15 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N7002BKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+26.68 грн
36+ 20.1 грн
100+ 12.59 грн
500+ 7.97 грн
1000+ 5.15 грн
4000+ 4.72 грн
8000+ 4.66 грн
12000+ 4.54 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N7002BKV,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+27.59 грн
15+ 18.93 грн
100+ 9.56 грн
500+ 7.95 грн
1000+ 6.19 грн
2000+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+12.51 грн
971+ 10.47 грн
1144+ 8.88 грн
1412+ 6.94 грн
1673+ 5.42 грн
3000+ 5.15 грн
6000+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 812
2N7002BKV,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.02 грн
45+ 7.84 грн
100+ 6.98 грн
130+ 5.9 грн
360+ 5.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7002BKV,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.13 грн
8000+ 5.77 грн
12000+ 5.11 грн
28000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7002BKV,115NexperiaMOSFET NRND for Automotive Applications 2N7002BKV/SOT666/SOT6
на замовлення 69112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.09 грн
14+ 21.85 грн
100+ 8.1 грн
1000+ 6.25 грн
4000+ 5.8 грн
8000+ 5.17 грн
100000+ 3.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002BKV/DG/B2115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002BKVLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 22750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
125+3.23 грн
150+ 2.64 грн
400+ 1.99 грн
1075+ 1.89 грн
Мінімальне замовлення: 125
2N7002BKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 370mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товар відсутній
2N7002BKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.94 грн
23+ 11.62 грн
100+ 5.67 грн
500+ 4.44 грн
1000+ 3.08 грн
2000+ 2.67 грн
5000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 46200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2113+4.81 грн
3505+ 2.9 грн
3779+ 2.69 грн
10000+ 1.72 грн
20000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 2113
2N7002BKVLNexperiaMOSFET 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 231990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.34 грн
25+ 11.88 грн
100+ 4.53 грн
1000+ 2.74 грн
2500+ 2.49 грн
10000+ 1.98 грн
20000+ 1.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002BKVLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 46307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 207
2N7002BKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товар відсутній
2N7002BKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.28 грн
30000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002BKVLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 22750 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
75+3.88 грн
100+ 3.29 грн
400+ 2.39 грн
1075+ 2.26 грн
Мінімальне замовлення: 75
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 46307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+17.56 грн
46+ 11.98 грн
103+ 5.29 грн
1000+ 3.07 грн
2500+ 2.64 грн
10000+ 1.68 грн
20000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 31
2N7002BKWNexperiaMOSFET
товар відсутній
2N7002BKW,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21217 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
30+8.76 грн
50+ 5.17 грн
250+ 3.99 грн
256+ 3.6 грн
703+ 3.4 грн
3000+ 3.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.05 грн
9000+ 2.74 грн
24000+ 2.56 грн
45000+ 2.29 грн
99000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+20.32 грн
38+ 14.37 грн
47+ 11.68 грн
100+ 6.53 грн
250+ 5.39 грн
500+ 5.01 грн
1000+ 3.53 грн
3000+ 2.79 грн
6000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N7002BKW,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3497+2.9 грн
9000+ 2.61 грн
24000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3497
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+6.77 грн
1682+ 6.04 грн
1739+ 5.84 грн
2464+ 3.98 грн
3125+ 2.9 грн
6000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500
2N7002BKW,115NXPN-MOSFET 60V 310mA 275mW 1.6Ω 2N7002BKW NXP T2N7002bkw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 300
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3043+3.34 грн
9000+ 3.02 грн
24000+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3043
2N7002BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+30.76 грн
30+ 24.54 грн
100+ 11.73 грн
500+ 7.11 грн
1000+ 4.51 грн
3000+ 3.93 грн
6000+ 3.42 грн
12000+ 3.35 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N7002BKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 58673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.76 грн
18+ 15.21 грн
100+ 7.42 грн
500+ 5.81 грн
1000+ 4.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3659+2.78 грн
105000+ 2.54 грн
210000+ 2.36 грн
315000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3659
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.34 грн
9000+ 3.02 грн
24000+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKW,115NexperiaMOSFET 2N7002BKW/SOT323/SC-70
на замовлення 96115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+23.51 грн
19+ 15.62 грн
100+ 5.8 грн
1000+ 3.95 грн
3000+ 3 грн
9000+ 2.68 грн
24000+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002BKW,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 21217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+7.3 грн
81+ 4.15 грн
250+ 3.33 грн
256+ 3 грн
703+ 2.84 грн
3000+ 2.79 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3132+3.24 грн
12000+ 2.96 грн
24000+ 2.76 грн
36000+ 2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3132
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.2 грн
9000+ 2.87 грн
24000+ 2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 275mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.73 грн
500+ 7.11 грн
1000+ 4.51 грн
3000+ 3.93 грн
6000+ 3.42 грн
12000+ 3.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002BKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.87 грн
6000+ 3.46 грн
9000+ 2.87 грн
30000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002CKNexperia USA Inc.Description: 2N7002 - SMALL SIGNAL FIELD-EFFE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002CKNXPN-MOSFET 60V 300mA 350mW 2N7002CK,215 T2N7002ck
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002CKNexperiaMOSFET
товар відсутній
2N7002CKNexperia Inc.MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2N7002CK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002CK,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 300 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 55 @ 25; Qg, нКл = 1,3 @ 4,5 В; Rds = 1,6 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 10284 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
354+1.76 грн
378+ 1.65 грн
409+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 354
2N7002CK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+13.34 грн
60+ 9.09 грн
130+ 4.02 грн
250+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 41
2N7002CK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002CK,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002CK,215NXPТранз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
167+2.19 грн
195+ 1.74 грн
213+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 167
2N7002CK,215NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin
товар відсутній
2N7002CKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002CKVLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002CKVLNexperiaMOSFET 60V N-CHANNEL 0.3A
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2N7002CKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002CSMSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin CLLCC-1
товар відсутній
2N7002CSM-QR-EBCSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin LCC-1
товар відсутній
2N7002D87ZFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002DS6Rectron USADescription: MOSFET 2 N-CH 60V 250MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363-6L
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002DWONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+10.35 грн
100+ 8.77 грн
120+ 7.8 грн
325+ 7.37 грн
3000+ 7.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.47 грн
6000+ 4.96 грн
12000+ 4.91 грн
18000+ 4.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 14057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.65 грн
6000+ 6.26 грн
9000+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 246107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.2 грн
26+ 28.54 грн
100+ 15.81 грн
500+ 9.76 грн
1000+ 6.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002DWonsemi / FairchildMOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 134422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.84 грн
14+ 21.93 грн
100+ 8.74 грн
1000+ 6.7 грн
3000+ 5.87 грн
9000+ 5.23 грн
24000+ 4.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.74 грн
6000+ 5.21 грн
12000+ 5.15 грн
18000+ 4.62 грн
30000+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
2N7002DWONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+8.3 грн
100+ 7.31 грн
120+ 6.5 грн
325+ 6.14 грн
3000+ 6.09 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002DW
Код товару: 174754
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.35 грн
12000+ 7.64 грн
24000+ 7.1 грн
36000+ 6.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.01 грн
6000+ 5.46 грн
12000+ 5.4 грн
18000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 14486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.35 грн
13+ 20.59 грн
100+ 10.37 грн
500+ 8.62 грн
1000+ 6.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DWONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 246107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.81 грн
500+ 9.76 грн
1000+ 6.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
2N7002DW H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
на замовлення 298993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.17 грн
13+ 23.1 грн
100+ 11.42 грн
1000+ 5.74 грн
3000+ 4.97 грн
9000+ 3.95 грн
24000+ 3.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DW K72..DIODES/ZETEX2x N-MOSFET 115mA 60V 200mW 7.5Ω 2N7002DW-7-F 2N7002DW T2N7002dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002DW L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DW L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
товар відсутній
2N7002DW-13-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
2N7002DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
2N7002DW-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V 200mW
товар відсутній
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1965000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4871+2.09 грн
561000+ 1.91 грн
1122000+ 1.77 грн
1683000+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 4871
2N7002DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+5.11 грн
90+ 3.77 грн
250+ 3.33 грн
280+ 2.74 грн
770+ 2.59 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 411000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.88 грн
6000+ 2.06 грн
9000+ 2.04 грн
15000+ 1.95 грн
24000+ 1.79 грн
30000+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-7-F
Код товару: 143738
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7002DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+6.13 грн
60+ 4.69 грн
250+ 3.99 грн
280+ 3.29 грн
770+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4871+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 4871
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 411000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3530+2.88 грн
6000+ 2.06 грн
9000+ 2.04 грн
15000+ 1.95 грн
24000+ 1.79 грн
30000+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3530
2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 248998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.07 грн
18+ 15.01 грн
100+ 7.6 грн
500+ 5.82 грн
1000+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 218604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+26.4 грн
44+ 16.6 грн
100+ 9.44 грн
500+ 6 грн
1000+ 4.25 грн
3000+ 3.22 грн
6000+ 2.9 грн
12000+ 2.85 грн
Мінімальне замовлення: 28
2N7002DW-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+16.25 грн
47+ 11.71 грн
49+ 11.18 грн
100+ 6.07 грн
Мінімальне замовлення: 34
2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 60V 200mW
на замовлення 484562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18 грн
23+ 13.13 грн
100+ 5.87 грн
1000+ 4.34 грн
3000+ 2.93 грн
9000+ 2.49 грн
24000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1965000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.68 грн
6000+ 1.92 грн
9000+ 1.9 грн
15000+ 1.82 грн
24000+ 1.67 грн
30000+ 1.46 грн
75000+ 1.34 грн
150000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.27 грн
9000+ 3.05 грн
24000+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 247450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.02 грн
6000+ 3.7 грн
9000+ 3.2 грн
30000+ 2.95 грн
75000+ 2.44 грн
150000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.68 грн
6000+ 1.92 грн
9000+ 1.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3417+2.97 грн
9000+ 2.77 грн
24000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3417
2N7002DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 218604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.44 грн
500+ 6 грн
1000+ 4.25 грн
3000+ 3.22 грн
6000+ 2.9 грн
12000+ 2.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002DW-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DW-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002DW-7-F.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002DW-7-F. - MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 4.4OHM, 115mA, SOT-363-6
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET, N Channel
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.24 грн
53+ 13.66 грн
100+ 8.08 грн
1000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 45
2N7002DW-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002DW-GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
2N7002DW-GonsemiMOSFET FET 60V 2.0 MOHM
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.68 грн
11+ 29.04 грн
100+ 12.95 грн
1000+ 9.76 грн
3000+ 8.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7002DW-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88
товар відсутній
2N7002DW-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002DW-GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 5256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+34.49 грн
11+ 25.71 грн
100+ 15.43 грн
500+ 13.41 грн
1000+ 9.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7002DW-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DW-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1224000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.47 грн
6000+ 4.11 грн
9000+ 3.56 грн
30000+ 3.27 грн
75000+ 2.71 грн
150000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.38 грн
45+ 7.64 грн
100+ 6.72 грн
135+ 5.74 грн
370+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 35
2N7002DW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET Dual N-CH 60V 115mA
на замовлення 64863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.26 грн
17+ 18.11 грн
100+ 6.5 грн
1000+ 4.85 грн
3000+ 3.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002DW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.66 грн
30+ 9.51 грн
100+ 8.06 грн
135+ 6.89 грн
370+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002DW-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1228323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.83 грн
16+ 16.74 грн
100+ 8.44 грн
500+ 6.47 грн
1000+ 4.8 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002DW-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
2N7002DW-TPQ2Micro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002DW-TPQ2Micro Commercial ComponentsDual N-Channel MOSFET
товар відсутній
2N7002DW1T1GLRCSOT363
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002DW1T1GONSOT-363 05+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002DWA-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DWA-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DWA-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWAQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002DWAQ-7Diodes IncDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
2N7002DWAQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWAQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
товар відсутній
2N7002DWH6327XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.84 грн
13+ 23.17 грн
100+ 11.42 грн
1000+ 5.8 грн
3000+ 4.97 грн
9000+ 3.95 грн
24000+ 3.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
на замовлення 135279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.17 грн
14+ 21.78 грн
100+ 7.84 грн
1000+ 5.74 грн
3000+ 4.53 грн
9000+ 3.95 грн
24000+ 3.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, BRT, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 139756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+38.85 грн
26+ 27.9 грн
100+ 14.16 грн
500+ 8.77 грн
1000+ 6.19 грн
3000+ 6.06 грн
6000+ 5.94 грн
12000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 19
2N7002DWH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 12955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
78+4.62 грн
100+ 3.79 грн
239+ 3.21 грн
655+ 3.03 грн
3000+ 2.96 грн
Мінімальне замовлення: 78
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 115685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.35 грн
14+ 20.06 грн
100+ 10.14 грн
500+ 7.76 грн
1000+ 5.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DWH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12955 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
47+5.55 грн
100+ 4.73 грн
239+ 3.85 грн
655+ 3.63 грн
3000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 47
2N7002DWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, BRT, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 139756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.16 грн
500+ 8.77 грн
1000+ 6.19 грн
3000+ 6.06 грн
6000+ 5.94 грн
12000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.36 грн
6000+ 4.93 грн
9000+ 4.27 грн
30000+ 3.93 грн
75000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 162400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1558+6.52 грн
1566+ 6.49 грн
1924+ 5.28 грн
2058+ 4.76 грн
15000+ 3.79 грн
30000+ 3.5 грн
60000+ 3.41 грн
Мінімальне замовлення: 1558
2N7002DWK-13Diodes Inc2N7002 Family SOT363 T&R 10K
товар відсутній
2N7002DWK-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 10K
товар відсутній
2N7002DWK-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002DWK-7Diodes Inc2N7002 Family SOT363 T&R 3K
товар відсутній
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.25 грн
19+ 16.21 грн
100+ 8.93 грн
1000+ 4.02 грн
3000+ 3.44 грн
9000+ 2.61 грн
24000+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002DWK-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.8 грн
6000+ 3.4 грн
9000+ 2.82 грн
30000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWKX-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DWKX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DWL-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT23-6L
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DWL-TPMicro Commercial ComponentsDual N-Channel MOSFET
товар відсутній
2N7002DWL-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET Dual N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
2N7002DWL6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWQ-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWQ-13-FDiodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 10K
на замовлення 9863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.35 грн
13+ 22.73 грн
100+ 13.46 грн
1000+ 7.59 грн
2500+ 6.95 грн
10000+ 5.8 грн
20000+ 5.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002DWQ-13-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWQ-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A
на замовлення 220808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.26 грн
20+ 15.25 грн
100+ 5.68 грн
1000+ 4.46 грн
3000+ 3.51 грн
9000+ 3.32 грн
24000+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 62387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.83 грн
16+ 16.61 грн
100+ 8.39 грн
500+ 6.42 грн
1000+ 4.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002DWQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
2N7002DWQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.31 грн
1000+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.47 грн
6000+ 3.43 грн
9000+ 3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWQ-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.51 грн
6000+ 3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.44 грн
6000+ 4.09 грн
9000+ 3.53 грн
30000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7002DWQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.11 грн
50+ 14.45 грн
100+ 8.37 грн
500+ 5.31 грн
1000+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 33
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.67 грн
6000+ 3.64 грн
9000+ 3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWS-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWS-7Diodes IncDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товар відсутній
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.46 грн
6000+ 5.03 грн
9000+ 4.35 грн
30000+ 4 грн
75000+ 3.32 грн
150000+ 3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWT/RPANJITSOT-363 09+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002EonsemiMOSFET NFET SOT23 60V 115MA 7MO
товар відсутній
2N7002EDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
2N7002EANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.54 грн
6000+ 1.4 грн