Продукція > 2N7
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N700 | MOTOROLA | на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N700/18 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7000 | ZEHUA | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | onsemi | MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92 | на замовлення 104516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | On Semiconductor | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | STM | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | DIOTEC | Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm | на замовлення 3256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 145860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 Код товару: 182880
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 0,32 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 43/1,4 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 22750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: Ammo Pack | на замовлення 14025 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 0.2A 0.4W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | DIOTEC | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | LGE | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | LGE | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Microchip Technology | MOSFETs 60V 5Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Vishay | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 8770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ONS/FAI | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | DIOTEC | Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm | на замовлення 3825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3825 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 90006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 Код товару: 20638
3
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 0,3 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/- Монтаж: THT | у наявності: 1420 шт
на замовлення: 50 шт
|
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 8770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A | на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: bulk | на замовлення 6822 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | LGE | N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1678 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 60 Volt 0.35 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | NXP | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 145868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 Код товару: 200238
4
Додати до обраних
Обраний товар
| CJ | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 0,2 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/ Монтаж: THT | у наявності: 1421 шт
|
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 127476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | onsemi | Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C | на замовлення 78768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk | на замовлення 714 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | DIOTEC | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N | на замовлення 5133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 14049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | JSCJ | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 90006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3 | на замовлення 3017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2000 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm | на замовлення 46655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 25664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 AMO | NXP Semiconductors | MOSFETs TRENCH 31V-99V G2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000,126 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: reel; tape | на замовлення 862 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | onsemi | MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA | на замовлення 33009 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm | на замовлення 5584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 13071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D74Z | onsemi | MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA | на замовлення 15520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-D74Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D74Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 1202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D74Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D74Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: Ammo Pack | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-D75Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-D75Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D75Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D75Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: reel; tape | на замовлення 1809 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D75Z | onsemi | MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA | на замовлення 4096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-D75Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | 2N7000-G | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | 2N7000-G | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | MOSFETs 60V 5Ohm | на замовлення 3556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm | на замовлення 3859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-G Код товару: 182408
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | 2N7000-G | на замовлення 1978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | 2N7000-G | на замовлення 1894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | 2N7000-G | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | 2N7000-G | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 1652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | 2N7000-G | на замовлення 1894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-TA | Vishay | USE 2N7000KL-TR1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-TR1 | Vishay | Vishay USE 2N7000KL-TR1-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N70002 | NXP | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N70002 Код товару: 53073
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7000BU | onsemi | MOSFETs 60V N-Channel Sm Sig | на замовлення 24926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000BU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 5524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000BU | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000BU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

