Продукція > 2N7
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N700 | MOTOROLA | на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N700/18 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 127976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 35535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 26500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ZEHUA | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Microchip Technology | MOSFETs 60V 5Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: bulk | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Vishay | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ONS/FAI | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 5576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 Код товару: 20638
2
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/- Монтаж: THT | у наявності 1845 шт: 1845 шт - склад |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 60 Volt 0.35 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | NXP | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 Код товару: 200238
3
Додати до обраних
Обраний товар
| CJ | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/ Монтаж: THT | у наявності 1812 шт: 1532 шт - склад180 шт - РАДІОМАГ-Київ 100 шт - РАДІОМАГ-Львів |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 21725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 27168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | LGE | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N | на замовлення 17982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: Ammo Pack | на замовлення 6244 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | JSCJ | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2000 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 6244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | LGE | N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 4080 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | onsemi | MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92 | на замовлення 66313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | On Semiconductor | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | STM | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 Код товару: 182880
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,32 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 Монтаж: THT | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 21736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 92409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 0.2A 0.4W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 92409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | DIOTEC | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk | на замовлення 1365 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000 | LGE | N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2N7000 AMO | NXP Semiconductors | MOSFETs TRENCH 31V-99V G2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000,126 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | onsemi | MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA | на замовлення 37753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 72968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 4955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 4955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: reel; tape | на замовлення 775 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-D74Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D74Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: Ammo Pack | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-D74Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D74Z | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA | на замовлення 21686 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D74Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 1261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D75Z | onsemi | MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA | на замовлення 3155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D75Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D75Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D75Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-D75Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: reel; tape | на замовлення 1929 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-D75Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 20363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 1409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: bulk | на замовлення 2021 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | MOSFETs 60V 5Ohm | на замовлення 2505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 4137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000-G Код товару: 182408
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7000-TA | Vishay | USE 2N7000KL-TR1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000-TR1 | Vishay | Vishay USE 2N7000KL-TR1-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N70002 | NXP | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N70002 Код товару: 53073
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7000BU | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000BU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 5524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000BU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 8805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000BU | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000BU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000BU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 29842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000BU | onsemi | MOSFETs 60V N-Channel Sm Sig | на замовлення 36567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000BU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 5524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000BU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 18093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000BU | ON-Semiconductor | Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU (bulk); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA; 2N7000 T2N7000 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000BU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 8805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000BU_T | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000CSM.01 | Welwyn Components / TT Electronics | MOSFETs PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000CSM.01DA | Semelab (TT electronics) | 2N7000CSM.01DA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000G | onsemi | MOSFETs 60V 200mA N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000K | Rectron | TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000L Код товару: 175310
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,15 mA Rds(on), Ohm: 1,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 20 / Монтаж: THT | товару немає в наявності |
| |||||||||||||||||||
| 2N7000RLRA | ON | 05+06+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000RLRA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000RLRAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000RLRMG | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2N7000RLRMG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000RLRPG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000TA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000TA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000TA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000TA | onsemi | MOSFETs 60V N-Channel Sm Sig | на замовлення 10929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000TA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000TA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000TA | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: Ammo Pack | на замовлення 859 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000TA Код товару: 173012
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7000TA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000TA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7000TA+ | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2N7000_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7001 | на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2N7001 | Vishay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7001TDCKR | Texas Instruments | Description: IC XLTR VL UNIDIR SC-70-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: SC-70-5 Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7001TDCKR | Texas Instruments | Translation - Voltage Levels 1-bit dual-supply bu ffered voltage sign | на замовлення 9059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7001TDCKR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7001TDCKR Код товару: 162137
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7001TDCKR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R | на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7001TDCKR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R | на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7001TDCKR | Texas Instruments | Description: IC XLTR VL UNIDIR SC-70-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: SC-70-5 Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 13361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7001TDCKR | Texas Instruments | VOLTAGE TRANSLATOR Група товару: Мікропроцесори, мікроконтролери Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7001TDCKR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7001TDPWR | Texas Instruments | Description: IC XLTR VL UNIDIR 5-X2SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8) Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7001TDPWR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7001TDPWR | Texas Instruments | Translation - Voltage Levels 1-bit dual-supply bu ffered voltage sign | на замовлення 6160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7001TDPWR | Texas Instruments | Description: IC XLTR VL UNIDIR 5-X2SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8) Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 29424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7001TDPWR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7001TDPWR-S | Texas Instruments | Description: IC XLTR VL UNIDIR 5-X2SON Packaging: Bulk Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8) Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7001TDPWRG4 | Texas Instruments | Translation - Voltage Levels 1-bit dual-supply bu ffered voltage signa | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7001TEVM | Texas Instruments | Description: EVAL BOARD FOR 2N7001T Packaging: Bulk Function: Level Shifter Type: Interface Utilized IC / Part: 2N7001T Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active Contents: Board(s) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7001TEVM | Texas Instruments | 2N7001T Level Translator Evaluation Board | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7001TEVM | Texas Instruments | 2N7001T Level Translator Evaluation Board | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7001TEVM | Texas Instruments | 2N7001T Level Translator Evaluation Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7001TEVM | Texas Instruments | Other Development Tools 2N7001TEVM | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Description: IC XLTR VL UNIDIR SC-70-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: SC-70-5 Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 32090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | AUTOMOTIVE 1-BIT DUAL-SUPPLY BUF Група товару: Мікропроцесори, мікроконтролери Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Translation - Voltage Levels Automotive 1-bit dua l-supply buffered v | на замовлення 27201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Description: IC XLTR VL UNIDIR SC-70-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: SC-70-5 Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 366000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | SLKOR | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SLKOR T2N7002 SLK кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 8460 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 483000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 1150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 60 Volt 0.20 A 1.8 Ohm STripFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 458999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | DIOTEC | Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N | на замовлення 116225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | JSMSEMI | N-кан. MOSFET 60V, 0.115A, 0.20Вт, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 357000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | PANJIT | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | на замовлення 7 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 162699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 540000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 366000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.8A | на замовлення 48318 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | JUXING | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JUXING T2N7002 JUX кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | DIOTEC | Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 9000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Microchip Technology | MOSFETs 60V 7.5Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 146500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | NTE Electronics, Inc. | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | STM | N-кан. MOSFET 60V, 0.115A, 0.20Вт, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | DC Components | N-кан. MOSFET 60V, 0.115A, 0.20Вт, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2265000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 75336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A | на замовлення 333835 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 603000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | SHIKUES | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SHIKUES T2N7002 SHK кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 HXY MOSFET T2N7002 HXY кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | onsemi | MOSFETs N-CHANNEL 60V 115mA | на замовлення 554469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2766000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 41999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | MIC | N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 c кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 750000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | KLS | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 300 мА, Ptot, Вт = 0,83, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | onsemi | Description: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 349558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 23190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 UMW T2N7002 UMW кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 288000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT 2N70 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | DIOTEC | Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 945 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | на замовлення 1755000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1221000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Yangjie Electronic Technology | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | на замовлення 990000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ONS/FAI | N-кан. MOSFET 60V, 0.115A, 0.20Вт, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | NTE Electronics, Inc. | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | LGE | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | на замовлення 32 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 237000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 942000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 On-state resistance: 3.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 5413 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 333877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | MLCCBASE | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002 MLCCBASE T2N7002 MLC кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | на замовлення 1755000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | GALAXY | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 60V .115A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2265000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 Код товару: 179822
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | MIC | N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 c кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 8475 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec | N-кан. MOSFET 60V, 0.115A, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1020000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | Diotec Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 280 мА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | onsemi | Description: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 345000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 (Hottech, SOT-23-3) Код товару: 47271
Додати до обраних
Обраний товар
| Hottech | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 Монтаж: SMD | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 BK PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Box Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 BK PBFREE | Central Semiconductor | MOSFETs N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 BK PBFREE | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3 | на замовлення 25327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 L6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 T/R | PANJIT | 0604+ | на замовлення 1399 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor | MOSFETs N-Ch 60V .2A | на замовлення 237562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 152167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 TR TIN/LEAD | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 TR TIN/LEAD | Central Semiconductor | MOSFETs N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 350mW | на замовлення 20697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 TR13 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 TR13 PBFREE | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002 TR13 PBFREE | Central Semiconductor | MOSFETs N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs | на замовлення 35876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 TR13 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002 TR13 TIN/LEAD | Central Semiconductor | MOSFETs N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 115mA 350mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002(12P) | PHILIPS | SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002(702) | на замовлення 548 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2N7002,215 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 0,3 А, Ptot, Вт = 0,83, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Rds = 5 Ом @ 500 мА, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 845324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002,215 | Nexperia | MOSFETs 2N7002/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 845324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002,215 | NXP | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | на замовлення 1100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 172903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002,235 | Nexperia | MOSFETs 2N7002/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002,235 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 300 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,83, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 10000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 220000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002,235 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002,235 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-01-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 670000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 10K | на замовлення 616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 880000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2290 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 880000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F 2N7002 | Diodes | N-кан. MOSFET 60V, 0.115A, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-13-F-79 | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V 200mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F Код товару: 170068
Додати до обраних
Обраний товар
| Diodes | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,115 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 23227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | DIODES/ZETEX | Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 5980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 23227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1149000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 MSL: - productTraceability: No rohsCompliant: NO Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 3212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes INC. | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 665 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1134000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | DIODES/ZETEX | Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2328000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F Код товару: 186256
1
Додати до обраних
Обраний товар
| CJ | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,115 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Монтаж: SMD | у наявності 1913 шт: 1669 шт - склад244 шт - РАДІОМАГ-Київ |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | DIODES/ZETEX | Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 36000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V 200mW | на замовлення 300680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2244000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 912000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 175362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F-50 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F-79 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F-W | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F-W | Diodes Incorporated | 2N7002 Family SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F-W | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 27635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-F. | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23, FULL REEL tariffCode: 85412900 MSL: - productTraceability: No rohsCompliant: NO Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-7-G | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-CT | Analog Power Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 0.6A SOT-23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 15 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-D87Z | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-D87Z | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-D87Z | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect | на замовлення 5087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-F169 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-F2-0000HF | YY | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002 SOT23 YANGJIE T2N7002 YY кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-F2-0000HF 2N7002 | Yangzhou Yangjie Electronic | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | на замовлення 193693 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - 2N7002-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 4453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Comchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | onsemi | MOSFETs FET 60V 5.0 OHM | на замовлення 151425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 9649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | MOSFETs 60V 7.5Ohm | на замовлення 7775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-HF | Comchip Technology | N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-HF | Comchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-HF | Comchip Technology | N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-HF | Comchip Technology | MOSFETs 0.25A 60V N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 4658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-HF | Comchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-L | на замовлення 87000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2N7002-L T/R | DIODES | 0841+ | на замовлення 87000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-LT/R | PANJIT | SOT-23 08+ | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-MTF | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2N7002-NL | FIARCHILD | 07+ | на замовлення 3010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1 Код товару: 15283
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Монтаж: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-2N7002K-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 2235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 0.115A 0.2W | на замовлення 331577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-E3-L | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 0.115A 0.2W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-ER | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 5928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 80mW Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.8A | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1-JIT | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-T1/72 | VISHAY | на замовлення 102000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002-T1/72KBL | SI | на замовлення 2918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002-T1/72N | SILICONIX | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002-T2 | Vishay | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 96688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2N7002-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 27390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-TP | Micro Commercial Components Corp. | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs 60V, 115mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 29963 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2N7002-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 25179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-TP | Micro Commercial Components Corp. | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-TP (2N7002-7-F) Код товару: 39940
Додати до обраних
Обраний товар
| MCC | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,115 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002-TP-B014 | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-TP-HF | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-TP-HF | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-TP-HF | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002-TR | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002.215 | MOSFET 60V 0.3A (1.2A pulse), N Channel SOT-23-3 | на замовлення 6638 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||||||
| 2N7002.215 Код товару: 73129
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-236AB Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm Монтаж: SMD | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002/12P | PHILIPS | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002/12W | PHILIPS | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002/7002 | 07+ SOT-23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002/702 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2N7002/G | PHILIPS | SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3578830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 34164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002/HAMR | Nexperia | MOSFETs 2N7002/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002/HAMR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 34164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1786491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002/HAMR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002/HAMR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002/HAMR - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3579000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002/S711,215 | NXP Semiconductors | 2N7002/S711,215 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002/S711215 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002702 | FAIRCHILD | 00+ 23 | на замовлення 5300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A Код товару: 161144
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002A | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A | DIOTEC | Description: DIOTEC - 2N7002A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A | на замовлення 35821 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A | KEC | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ptot, Вт = 0,2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,88 В @ 115 мА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 78 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N | на замовлення 13239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A | DIOTEC | Description: DIOTEC - 2N7002A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A | DIOTEC | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 2N7002A DIOTEC T2N7002a DIOTEC кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 35821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | на замовлення 81980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 370mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002A-7 T2N7002A-7 Diodes кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.18A, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.8A Version: ESD | на замовлення 1485 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V | на замовлення 29126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A-AQ | Diotec Semiconductor | Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N, AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A-RTK/P | KEC | SOT23 | на замовлення 8770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Ch 60Vds 30Vgs 40Vgsm 115mA 300mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 115A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002A-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002A/7002 | N/A | 08+ SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AK | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AK | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AK,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AK-QR | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA Power Dissipation (Max): 320mW Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AK-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002AK-QR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AK-QR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AK-QR | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA Power Dissipation (Max): 320mW Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AK-QR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 60V .24A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AK-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002AK-QR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AK-QR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AKM-QYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AKM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: 2N7002AKM-Q/SOT883/XQFN3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.2 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AKM-QYL | Nexperia | MOSFETs 2N7002AKM-Q/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AKQB-QZ | Nexperia | MOSFETs 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D- | на замовлення 4454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AKQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D- Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AKQB-QZ | Nexperia | N-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AKQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D- Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AKRA-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 420mW (Ta), 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.2pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1412-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AKRA-QZ | Nexperia | Dual N-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AKRA-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 420mW (Ta), 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.2pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1412-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AKRA-QZ | Nexperia | MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AKS-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002AKS-QX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AKS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW (Ta), 1.3W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.2pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AKS-QX | Nexperia | MOSFETs SOT363 N-CH 60V .22A | на замовлення 6710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AKS-QX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin TSSOP Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AKS-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002AKS-QX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AKS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW (Ta), 1.3W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.2pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AKS-QX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin TSSOP Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AKW-QX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SC-70 Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AKW-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002AKW-QX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AKW-QX | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), 1.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.2 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AKW-QX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SC-70 Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AKW-QX | Nexperia | MOSFETs SOT323 N-CH 60V .22A | на замовлення 15091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AKW-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002AKW-QX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AKW-QX | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), 1.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.2 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 570000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Version: ESD | на замовлення 131 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 590000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 Код товару: 208052
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 570000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 560000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1269000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1011000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 76789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 891000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1236000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1011000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 891000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002B | UMW | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002B | UMW | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002B-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BK | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002BK,215; 2N7002BK JGSEMI T2N7002bk JGS кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BK Код товару: 73117
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002BK | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BK,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 59700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BK,215 | NXP | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BK,215 | Nexperia | MOSFETs 2N7002BK/SOT23/TO-236AB | на замовлення 160281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BK,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 48741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BK,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A Technology: Trench Version: ESD | на замовлення 7219 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BK,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BK,215 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 350 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 0.6, Ugs(th) = 2.1 @ 250 мА, Р, Вт = 0,37 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3749 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BK,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 47741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BK,215 | Nexperia | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 1,6Ohm; 350mA; 440mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002BK,215; 2N7002BK.215; 2N7002BK T2N7002bk кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 18000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BK-MS | MSKSEMI | 60V 300mA 2.2Ohm@10V,0.3A 350mW One N-channel SOT-23 Single FETs, MOSFETs 2N7002BK-MS SOT-23 MSKSEMI T2N7002bk MSK кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKM,315 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKM,315 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKM/V,315 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL SIGNA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKM/VYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin DFN Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKM315 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL S Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKMB,315 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS | --- | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT-363 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 295mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 49033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A Technology: Trench Version: ESD | на замовлення 16735 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 295mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 42762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS,115 | Nexperia | MOSFETs 2N7002BKS/SOT363/SC-88 | на замовлення 240782 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 295mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 49033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS,115 | NXP | 2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002BKS,115 2N7002BKS,115 T2N7002bks кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1720 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS.115 Код товару: 109130
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002BKS/DG/B2115 | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS/ZLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.04W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKSH | Nexperia | MOSFETs SOT363 2NCH 60V .3A | на замовлення 6609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKSH | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKSH | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKSH | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKT,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 188000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 1786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV,115 | Nexperia | MOSFETs 2N7002BKV/SOT666/SOT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 188000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.525W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A Technology: Trench Version: ESD | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 1786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV/DG/B2115 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 29410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKVL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A Technology: Trench Version: ESD | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKVL Код товару: 215733
Додати до обраних
Обраний товар
| Nexperia | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,35 A Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 33/0,5 Примітка: 60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET Монтаж: SMD | товару немає в наявності очікується 50 шт: 50 шт - очікується |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 29642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKVL | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 60V .35A | на замовлення 84127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 275mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 Код товару: 216103
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW; 2N7002BKW,115 T2N7002bkw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 690 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | Nexperia | MOSFETs 2N7002BKW/SOT323/SC-70 | на замовлення 43487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 310 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 0,6, Rds = 1.6 @ 500mA, 10V Ом, Ugs(th) = 2,1 @ 250µA В, Р, Вт = 0,275 (Ta), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: 1 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 275mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 275mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW; 2N7002BKW,115 T2N7002bkw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 275mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A Technology: Trench Version: ESD | на замовлення 8202 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | NXP | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002CK | Nexperia USA Inc. | Description: 2N7002 - SMALL SIGNAL FIELD-EFFE Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002CK | Nexperia | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002CK | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002CK,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002CK,215 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 300 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 55 @ 25, Qg, нКл = 1,3 @ 4,5 В, Rds = 1,6 Ом @ 500 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 6864 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002CK,215 | Nexperia | MOSFETs Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002CK,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002CK,215 | NXP | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002CK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002CKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002CKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 280000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002CKVL | Nexperia | MOSFET 60V N-CHANNEL 0.3A | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002D87Z | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DS6 | Rectron USA | Description: MOSFET 2 N-CH 60V 250MA SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363-6L Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW | onsemi | MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect | на замовлення 90570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.2W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.8A Technology: PowerTrench® | на замовлення 1910 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 183781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW Код товару: 174754
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 1097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 54879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 | на замовлення 38300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW K72.. | DIODES/ZETEX | Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002DW-7-F 2N7002DW T2N7002dw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 295 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW L6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-13-G | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-13-G | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V 200mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-F | Diodes | N-кан. MOSFET 60V, 0.14A, 0.12Вт, SOT-363 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Power dissipation: 0.12W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1380 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.115A, SOT-363 tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 157435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-F Код товару: 143738
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V 200mW | на замовлення 302009 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 7.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 157435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-F-79 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-F. | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N7002DW-7-F. - MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 4.4OHM, 115mA, SOT-363-6 tariffCode: 85412100 MSL: MSL 1 - Unlimited productTraceability: No rohsCompliant: NO Anzahl der Pins: 6Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 5795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-G | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-G | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Last Time Buy | на замовлення 3573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 | на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-G | onsemi | MOSFETs FET 60V 2.0 MOHM | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs Dual N-CH 60V 115mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 502272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2N7002DW-TP - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 4.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 501000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 3659 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2N7002DW-TP - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 4.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-TPQ2 | Micro Commercial Components | Dual N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-TPQ2 | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-TPQ2 | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW1T1G | ON | SOT-363 05+ | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWA-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWAQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWAQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWAQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 | на замовлення 11102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 99143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active | на замовлення 60900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon | Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1; 2N7002DWH6327 T2N7002dwh6327 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ | на замовлення 13789 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 | на замовлення 3290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 175885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 99143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWK-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWK-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 3256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 3K | на замовлення 3197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWK-7 | Diodes Zetex | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 261mA; Idm: 1.1A; 450mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 261mA Pulsed drain current: 1.1A Power dissipation: 0.45W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.04nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWKX-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWKX-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWKX-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWKX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWL-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET Dual N-CHANNEL MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWL-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT23-6L Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 225mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6L Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWQ-13-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3139375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWQ-13-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 10K | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWQ-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWQ-13-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 1889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWQ-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Power dissipation: 0.31W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Pulsed drain current: 0.8A | на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A | на замовлення 2218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWQ-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWS-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 247mA; Idm: 1.8A; 370mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 247mA Pulsed drain current: 1.8A Power dissipation: 0.37W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.4nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002DWS-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWS-7 | Diodes Zetex | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWS-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWS-7 | Diodes Zetex | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWS-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002DWT/R | PANJIT | SOT-363 09+ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E | Panasonic | MOSFETs Nch MOSFET 60V 0.3A RDS(on)=3ohms SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E | SILICONIX | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002E | onsemi | MOSFETs NFET SOT23 60V 115MA 7MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 60V 300MA 3@10V,500MA 225MW N CH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | на замовлення 1881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT 2N70 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 60V 300MA 3@10V,500MA 225MW N CH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E,215 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 385 мА, Ptot, Вт = 0,83, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 0,69 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E,215 | Nexperia | MOSFETs TAPE7 MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1365000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 370mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2N7002E productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1473000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1950000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2361000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 906000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1344000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 753000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 297000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1938000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2277000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1887000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1173000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 267000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1809000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.25A, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2N7002E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2079000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2004000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2409000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Channel | на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1317000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1353000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1722000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1437000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1950000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2292000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1665000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1071000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 339000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1938000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2148000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2052000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2004000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 969000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 4238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F-79 | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F-W | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-F-W | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-G | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-G | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1 SOT23-7E | VISHAY | на замовлення 1698 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 1394018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 0.24A | на замовлення 354286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V | на замовлення 5215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - 2N7002E-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236 tariffCode: 85412900 MSL: MSL 1 - Unlimited productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3-L | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 0.24A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3-S | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V | на замовлення 167667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.22W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.3A | на замовлення 2701 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V | на замовлення 5324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-GE3 Код товару: 167495
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-GE3 | LRC | N-кан. MOSFET 60V 240MA SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002E-T3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002EDWT/R | PANJIT | SOT-363 09+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002EHT1G | ON Semiconductor | 2N7002EHT1G | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002EPT | 06+ SOT-323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002EQ-13-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002EQ-13-F | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 292mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002EQ-7-F | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002EQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 292mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002EQ-7-F | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002EQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 292mA; Idm: 1A; 700mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 292mA Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.5nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002EQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002EQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 292mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002EQ-7-F | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1 | на замовлення 5580315 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 573000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 13138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V | на замовлення 35900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 260 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25, Qg, нКл = 0,81 @ 5 В, Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 1597 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 79998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 237000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | onsemi | MOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms | на замовлення 227834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V | на замовлення 36251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | On Semiconductor | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 79998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 573000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002ET3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002ET7G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|