НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2N700MOTOROLA
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N700/18CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
на замовлення 5201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.23 грн
17+22.87 грн
25+17.98 грн
94+9.69 грн
259+9.15 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000LGETransistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 3203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+15.60 грн
62+9.83 грн
102+5.93 грн
500+4.48 грн
1000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5201 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.07 грн
11+28.50 грн
25+21.58 грн
94+11.63 грн
259+10.98 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000
Код товару: 200238
Додати до обраних Обраний товар

CJТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності 258 шт:
39 шт - РАДІОМАГ-Київ
46 шт - РАДІОМАГ-Львів
173 шт - РАДІОМАГ-Харків
4+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000DIOTECDescription: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+17.36 грн
75+11.19 грн
125+6.71 грн
500+4.77 грн
1000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 6750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+13.10 грн
2500+12.02 грн
5000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 932
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 82800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+25.74 грн
1085+11.25 грн
1119+10.91 грн
1284+9.17 грн
5000+7.90 грн
10000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 475
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Fairchild SemiconductorТранз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
на замовлення 291 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
42+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000onsemi / FairchildMOSFETs FET 60V 50 OHM TO92
на замовлення 99106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.46 грн
13+27.04 грн
100+12.06 грн
500+10.42 грн
1000+9.23 грн
5000+8.41 грн
10000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 132226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2573+11.86 грн
10000+10.57 грн
100000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 2573
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 13821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.49 грн
34+9.38 грн
100+5.63 грн
500+4.37 грн
1000+3.35 грн
2000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000LUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
90+4.67 грн
140+2.84 грн
250+2.56 грн
955+2.49 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 81201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
542+22.54 грн
1239+9.85 грн
1277+9.56 грн
1465+8.03 грн
5000+6.92 грн
10000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 542
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000DIOTECTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Microchip TechnologyMOSFETs 60V 5Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.33 грн
8000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000LUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
55+5.61 грн
85+3.54 грн
250+3.07 грн
955+2.99 грн
1000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000
Код товару: 20638
Додати до обраних Обраний товар

NXPТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
у наявності 322 шт:
254 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
3+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000DIOTECDescription: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.61 грн
8000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 13186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.03 грн
70+5.58 грн
93+4.19 грн
378+2.41 грн
1039+2.28 грн
4000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000LGEN-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 0.2A 0.4W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 82844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+35.51 грн
26+23.91 грн
100+10.45 грн
500+9.77 грн
1000+7.89 грн
5000+7.05 грн
10000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000EDU-2N7000 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
на замовлення 48146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+17.36 грн
32+10.95 грн
100+5.73 грн
500+4.39 грн
1000+3.42 грн
4000+3.13 грн
8000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 27168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2573+11.86 грн
10000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 2573
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 81201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+31.09 грн
29+20.93 грн
100+9.15 грн
500+8.56 грн
1000+6.91 грн
5000+6.17 грн
10000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000onsemiDescription: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 47922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.42 грн
14+23.18 грн
100+11.82 грн
500+10.19 грн
1000+8.93 грн
2000+8.47 грн
5000+7.88 грн
10000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.59 грн
8000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000DIOTECTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 0.35 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 13186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2995+4.08 грн
3297+3.70 грн
4000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 2995
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+18.03 грн
42+6.95 грн
56+5.02 грн
378+2.89 грн
1039+2.73 грн
4000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 80010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.18 грн
8000+2.50 грн
12000+2.40 грн
20000+2.11 грн
40000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000
Код товару: 182880
Додати до обраних Обраний товар

STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,32 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+10.00 грн
10+3.00 грн
100+2.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.74 грн
31+26.96 грн
100+13.69 грн
500+12.40 грн
1000+9.73 грн
5000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000 AMONXP SemiconductorsMOSFETs TRENCH 31V-99V G2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000,126NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000,126NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-APMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+10.02 грн
4000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.22 грн
22+18.06 грн
100+13.18 грн
114+7.98 грн
313+7.60 грн
2000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.06 грн
13+22.51 грн
100+15.81 грн
114+9.58 грн
313+9.12 грн
2000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.44 грн
4000+6.60 грн
6000+6.50 грн
10000+5.97 грн
14000+5.75 грн
50000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.64 грн
4000+5.86 грн
10000+5.57 грн
24000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.22 грн
4000+6.30 грн
10000+6.00 грн
24000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26ZONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.06 грн
50+22.46 грн
100+16.95 грн
500+11.94 грн
1000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
637+19.16 грн
766+15.94 грн
780+15.65 грн
808+14.57 грн
1000+13.00 грн
3000+12.01 грн
6000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 637
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+29.73 грн
31+19.89 грн
34+17.79 грн
100+14.28 грн
250+12.97 грн
500+12.02 грн
1000+11.59 грн
3000+11.15 грн
6000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26Zonsemi / FairchildMOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 16289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.64 грн
16+22.51 грн
100+15.11 грн
500+11.46 грн
1000+9.82 грн
2000+6.85 грн
4000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 53629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
17+19.30 грн
100+14.53 грн
500+10.36 грн
1000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D74ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.80 грн
4000+8.57 грн
6000+8.13 грн
10000+7.16 грн
14000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
998+12.23 грн
2000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 998
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D74Zonsemi / FairchildMOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 8506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.19 грн
13+27.64 грн
100+9.52 грн
1000+9.30 грн
2000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D74ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.25 грн
14+23.64 грн
100+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D74ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D74ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D75ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.23 грн
4000+8.92 грн
6000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D75Zonsemi / FairchildMOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.24 грн
14+25.24 грн
100+10.57 грн
1000+9.38 грн
2000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D75ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.21 грн
4000+5.84 грн
6000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D75ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+35.90 грн
18+21.63 грн
25+16.90 грн
100+11.63 грн
113+8.06 грн
310+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D75ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.07 грн
11+26.95 грн
25+20.28 грн
100+13.95 грн
113+9.67 грн
310+9.21 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D75ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D75ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.22 грн
15+21.63 грн
100+10.36 грн
500+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D75ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.60 грн
15+26.90 грн
16+25.11 грн
100+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.12 грн
9+33.52 грн
10+30.14 грн
100+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+29.21 грн
25+25.87 грн
100+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.65 грн
25+34.06 грн
100+30.05 грн
1000+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+18.87 грн
650+18.79 грн
656+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 647
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+27.86 грн
479+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 438
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-GMicrochip TechnologyMOSFETs 60V 5Ohm
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.24 грн
25+34.14 грн
100+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G
Код товару: 182408
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+27.20 грн
25+24.61 грн
100+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.42 грн
25+28.62 грн
100+25.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-TAVishay USE 2N7000KL-TR1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-TR1VishayVishay USE 2N7000KL-TR1-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N70002
Код товару: 53073
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N70002NXP
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000; 190mA; 60V; 250mW; N-MOSFET; Корпус: TO-92; NXP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+348.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 6024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+15.37 грн
64+9.47 грн
115+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 31942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3513+8.69 грн
10000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3513
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000BUON-SemicoductorTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU (bulk); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA; 2N7000 T2N7000
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000BUonsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel Sm Sig
на замовлення 11359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.26 грн
21+16.43 грн
100+7.89 грн
1000+6.85 грн
2500+6.40 грн
10000+5.80 грн
30000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000BUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 102421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.56 грн
20+15.89 грн
100+8.55 грн
500+7.66 грн
1000+6.69 грн
2000+6.39 грн
5000+5.72 грн
10000+5.41 грн
50000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000BUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
995+12.27 грн
2500+9.44 грн
5000+9.33 грн
7500+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 995
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000BUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.05 грн
46+18.53 грн
100+9.93 грн
500+8.29 грн
1000+6.76 грн
5000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 6024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2146+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 2146
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000BU_TonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000CSMSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin CLLCC-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000CSM-JQR-ASemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin CLLCC-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000CSM.01Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFETs PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000GonsemiMOSFETs 60V 200mA N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000KRectronTO-92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000KL-TR1-E3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.47A 3-Pin TO-226AA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000L
Код товару: 175310
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,15 mA
Rds(on), Ohm: 1,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 20 /
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+10.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000PSTOADiodes IncTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin E-Line
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000RLRAON05+06+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000RLRAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000RLRAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000RLRAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000RLRAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000RLRAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000RLRMGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000RLRMGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000RLRMG
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000RLRPGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000RLRPGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.67 грн
4000+5.85 грн
6000+5.31 грн
10000+5.08 грн
14000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TAONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+28.38 грн
20+20.31 грн
25+16.51 грн
50+13.80 грн
100+11.47 грн
118+7.75 грн
323+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TAONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.06 грн
12+25.31 грн
25+19.81 грн
50+16.56 грн
100+13.77 грн
118+9.30 грн
323+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.35 грн
4000+5.70 грн
6000+5.46 грн
10000+5.04 грн
14000+5.02 грн
20000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TAonsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel Sm Sig
на замовлення 17268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.21 грн
15+23.62 грн
100+10.64 грн
500+10.12 грн
1000+8.56 грн
2000+6.33 грн
4000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.47 грн
4000+5.62 грн
6000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.97 грн
4000+6.05 грн
6000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA
Код товару: 173012
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.47 грн
37+23.12 грн
100+11.69 грн
500+10.46 грн
1000+8.44 грн
5000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.59 грн
16+20.15 грн
100+10.57 грн
500+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.18 грн
4000+6.30 грн
6000+5.71 грн
10000+5.46 грн
14000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001VishayArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDCKRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 27962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.71 грн
10+32.09 грн
100+17.26 грн
500+16.03 грн
1000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDCKRTexas InstrumentsTranslation - Voltage Levels 1-bit dual-supply bu ffered voltage signa
на замовлення 17449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.65 грн
10+34.57 грн
100+16.22 грн
1000+14.14 грн
3000+11.46 грн
9000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.17 грн
25+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDCKR
Код товару: 162137
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDCKRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.68 грн
6000+11.76 грн
9000+11.31 грн
15000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDPWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR 5X2SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 7891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.86 грн
13+23.95 грн
100+13.50 грн
500+11.91 грн
1000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
965+12.65 грн
1051+11.62 грн
1153+10.58 грн
1277+9.22 грн
1432+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 965
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+20.42 грн
51+11.86 грн
52+11.74 грн
100+10.40 грн
250+8.77 грн
500+7.61 грн
1000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDPWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR 5X2SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.79 грн
6000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDPWRTexas InstrumentsTranslation - Voltage Levels 1-bit dual-supply bu ffered voltage signa
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.84 грн
12+28.58 грн
100+13.02 грн
1000+11.01 грн
3000+9.00 грн
9000+7.81 грн
24000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.92 грн
15000+7.63 грн
21000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TDPWR-STexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TEVMTexas Instruments2N7001T Level Translator Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TEVMTexas InstrumentsOther Development Tools 2N7001TEVM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1072.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TEVMTexas InstrumentsDescription: EVAL BOARD FOR 2N7001T
Packaging: Bulk
Function: Level Shifter
Type: Interface
Utilized IC / Part: 2N7001T
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+920.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TEVMTexas Instruments2N7001T Level Translator Evaluation Board
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+403.50 грн
4+195.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TEVMTexas Instruments2N7001T Level Translator Evaluation Board
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.86 грн
6000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 37155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.10 грн
10+35.50 грн
100+24.27 грн
500+18.93 грн
1000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsTranslation - Voltage Levels Automotive 1-bit dua l-supply buffered vo
на замовлення 33516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.43 грн
10+40.65 грн
100+24.26 грн
250+20.17 грн
1000+18.16 грн
3000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 196774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
103+4.07 грн
139+2.79 грн
171+2.28 грн
500+1.93 грн
908+1.00 грн
2496+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.39 грн
6000+8.17 грн
9000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PanJit InternationalMOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
на замовлення 7 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N
на замовлення 130976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+9.90 грн
48+7.19 грн
100+5.21 грн
500+3.87 грн
1000+3.42 грн
3000+2.08 грн
9000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+1.69 грн
9000+1.43 грн
24000+1.42 грн
45000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 942000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5906+2.07 грн
9000+1.54 грн
24000+1.19 грн
45000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 5906
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 196774 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
62+4.89 грн
84+3.48 грн
103+2.73 грн
500+2.32 грн
908+1.20 грн
2496+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.35 грн
6000+7.28 грн
9000+6.87 грн
30000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 197024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5245+2.33 грн
6025+2.03 грн
9000+1.73 грн
24000+1.42 грн
30000+1.26 грн
45000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 5245
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.33 грн
6000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2757000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
6000+6.91 грн
9000+6.04 грн
24000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002SHIKUESTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SHIKUES T2N7002 SHK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1755000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11905+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 11905
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 489000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.93 грн
9000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 HXY MOSFET T2N7002 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 924000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5929+2.06 грн
9000+1.55 грн
24000+1.19 грн
45000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 5929
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DIOTECTransistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002onsemiDescription: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.08 грн
6000+7.65 грн
9000+6.74 грн
15000+6.31 грн
21000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74823 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.05 грн
18+16.42 грн
50+12.19 грн
100+11.07 грн
162+6.70 грн
444+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.96 грн
18000+5.45 грн
36000+5.08 грн
54000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 924000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.92 грн
9000+1.44 грн
24000+1.10 грн
45000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7247+1.68 грн
9000+1.46 грн
45000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 7247
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3897+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3897
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002UMWTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 UMW T2N7002 UMW
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 526995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.61 грн
500+12.94 грн
1000+10.59 грн
5000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+312.35 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002JUXINGTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JUXING T2N7002 JUX
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3650+3.34 грн
6000+3.29 грн
9000+3.00 грн
27000+2.78 грн
51000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3650
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DIOTECTransistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 445 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.01 грн
6000+1.69 грн
9000+1.39 грн
15000+1.19 грн
30000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7143+1.71 грн
9000+1.55 грн
24000+1.41 грн
45000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 7143
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
на замовлення 64507 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002onsemi / FairchildMOSFETs N-CHANNEL 60V 115mA
на замовлення 103751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.94 грн
17+20.54 грн
100+12.50 грн
500+11.39 грн
1000+10.64 грн
3000+8.04 грн
6000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 162699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7895+1.55 грн
12000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 7895
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 540000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.25 грн
9000+7.53 грн
24000+5.51 грн
45000+5.15 грн
99000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.33 грн
6000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.33 грн
12000+9.44 грн
24000+8.78 грн
36000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.96 грн
6000+9.81 грн
9000+9.57 грн
12000+8.99 грн
27000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002MLCCBASETransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002 MLCCBASE T2N7002 MLC
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+34.89 грн
1000+27.07 грн
2500+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.35 грн
97+4.03 грн
151+2.57 грн
250+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2757000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.65 грн
6000+7.44 грн
9000+6.51 грн
24000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd.MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
на замовлення 32 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.41 грн
9000+7.52 грн
24000+5.51 грн
45000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+10.02 грн
58+5.02 грн
100+3.09 грн
250+2.42 грн
500+2.03 грн
579+1.89 грн
1000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 603000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7390+1.65 грн
9434+1.29 грн
45000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 7390
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1398+8.73 грн
1400+8.72 грн
1401+8.71 грн
1402+8.39 грн
3000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 1398
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2766000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.81 грн
6000+7.57 грн
9000+6.65 грн
24000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SLKOR T2N7002 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+15.70 грн
55+11.03 грн
69+8.79 грн
100+8.39 грн
250+7.32 грн
500+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002
Код товару: 179822
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 526995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.98 грн
33+25.54 грн
100+17.61 грн
500+12.94 грн
1000+10.59 грн
5000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.49 грн
6000+5.02 грн
12000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.53 грн
9000+2.44 грн
30000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DIOTECTransistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002onsemiDescription: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 87673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.61 грн
17+18.37 грн
100+11.75 грн
500+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.96 грн
6000+5.45 грн
12000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.48 грн
6000+8.24 грн
9000+7.23 грн
24000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.12 грн
9000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.21 грн
30+13.18 грн
50+10.15 грн
100+9.22 грн
162+5.58 грн
444+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.25 грн
9000+7.54 грн
24000+5.51 грн
45000+5.15 грн
99000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.96 грн
6000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7247+1.68 грн
9000+1.46 грн
45000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 7247
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.80 грн
6000+7.58 грн
9000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7143+1.71 грн
9000+1.55 грн
24000+1.42 грн
45000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 7143
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1755000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+3.29 грн
60000+3.11 грн
300000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LGETrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002 LGE T2N7002 LGE
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 34121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.85 грн
52+5.97 грн
100+4.94 грн
500+3.18 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Yangjie Electronic TechnologyN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 990000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15307+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 15307
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 (Hottech, SOT-23-3)
Код товару: 47271
Додати до обраних Обраний товар

HottechТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+10.00 грн
10+1.20 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 BK PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Box
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 BK PBFREECentral SemiconductorMOSFETs N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 BK PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
на замовлення 7039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.44 грн
24+14.38 грн
100+7.89 грн
500+4.99 грн
1000+3.57 грн
3000+3.05 грн
6000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 T/RPANJIT0604+
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 TR PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.99 грн
6000+5.63 грн
9000+5.42 грн
15000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 TR PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 198845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.88 грн
31+10.08 грн
100+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorMOSFETs N-Ch 60V .2A
на замовлення 321474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+14.06 грн
29+11.81 грн
100+8.26 грн
500+7.96 грн
1000+7.44 грн
3000+5.88 грн
6000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.21 грн
12000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 TR TIN/LEADCentral SemiconductorMOSFETs N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 350mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 TR TIN/LEADCentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 TR13 PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 TR13 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 TR13 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.37 грн
16+20.39 грн
100+12.26 грн
500+10.64 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 TR13 PBFREECentral SemiconductorMOSFETs N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs
на замовлення 45834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.74 грн
21+16.52 грн
100+10.64 грн
1000+7.81 грн
2500+7.52 грн
10000+6.25 грн
20000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 TR13 TIN/LEADCentral SemiconductorMOSFET N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 115mA 350mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002(12P)PHILIPSSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002(702)
на замовлення 548 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6727+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 6727
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5640+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 5640
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 256100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaMOSFETs 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET
на замовлення 357283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+15.71 грн
38+9.07 грн
100+4.02 грн
500+2.98 грн
3000+1.79 грн
6000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4935+2.47 грн
18000+2.26 грн
27000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 4935
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1212000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6579+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 6579
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42616 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+14.02 грн
31+9.47 грн
100+5.59 грн
250+4.45 грн
500+2.19 грн
555+1.97 грн
1000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5814+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 5814
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1098+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 1098
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1590000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6608+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 6608
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7615+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 7615
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1212000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6727+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 6727
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2787000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 0,3 А; Ptot, Вт = 0,83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Rds = 5 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -65...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1862858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15152+2.02 грн
100000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 256122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.68 грн
34+9.15 грн
100+3.96 грн
500+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+10.32 грн
129+4.69 грн
500+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.69 грн
52+7.60 грн
100+4.66 грн
250+3.71 грн
500+1.82 грн
555+1.64 грн
1525+1.55 грн
3000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1908000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6727+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 6727
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2787000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6727+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 6727
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NXPTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 30V; 5Ohm; 300mA; 830mW; -65°C~150°C; 2N7002.215; 2N7002,215 T2N7002 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1686000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6522+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 6522
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 895801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.87 грн
71+11.85 грн
153+5.47 грн
500+4.39 грн
1500+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,235NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.32 грн
20000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,235Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,235NEXPERIA2N7002.235 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3191+2.75 грн
10000+1.68 грн
20000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3191
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.24 грн
20000+2.09 грн
50000+1.93 грн
100000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,235NexperiaMOSFETs 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET
на замовлення 23340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+17.36 грн
30+11.72 грн
100+4.99 грн
500+3.94 грн
1000+3.27 грн
5000+3.13 грн
10000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.51 грн
20000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002,235Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.49 грн
32+9.84 грн
100+4.87 грн
500+3.61 грн
1000+3.01 грн
2000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-01-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.03 грн
100+2.90 грн
500+2.06 грн
600+1.83 грн
1640+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.58 грн
20000+2.37 грн
30000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1944+6.28 грн
2256+5.41 грн
2995+4.08 грн
3547+3.32 грн
6000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 1944
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDiodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.44 грн
20000+2.25 грн
30000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 340000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 670000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13-F-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.20 грн
20000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.20 грн
20000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V 200mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1545000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.82 грн
6000+1.66 грн
9000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDIODES/ZETEXTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
MSL: -
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+13.69 грн
72+11.60 грн
162+5.18 грн
218+3.57 грн
500+2.50 грн
1000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.02 грн
41+7.15 грн
58+4.89 грн
75+4.46 грн
100+4.17 грн
711+1.53 грн
1952+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 832100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.80 грн
6000+1.60 грн
9000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1545000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3639000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.92 грн
6000+1.77 грн
9000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDIODES/ZETEXTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 61210 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-F
Код товару: 186256
Додати до обраних Обраний товар

CJТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності 7125 шт:
6631 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
275 шт - РАДІОМАГ-Львів
189 шт - РАДІОМАГ-Харків
22 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 30 шт:
30 шт - очікується
2+6.00 грн
10+3.30 грн
100+3.10 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 342000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6494+1.88 грн
7143+1.71 грн
10274+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 6494
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 342000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.74 грн
6000+1.59 грн
9000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDiodes INC.N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,37; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 685 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.82 грн
6000+1.66 грн
9000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3639000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5906+2.07 грн
6411+1.90 грн
9000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 5906
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDIODES/ZETEXTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 38500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 832227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.27 грн
48+6.51 грн
100+3.34 грн
500+3.00 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-F
Код товару: 170068
Додати до обраних Обраний товар

DiodesТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+10.00 грн
10+3.30 грн
100+3.10 грн
1000+2.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 60V 200mW
на замовлення 297443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+13.20 грн
46+7.53 грн
100+3.42 грн
500+3.35 грн
1000+2.46 грн
3000+1.79 грн
6000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.18 грн
68+5.74 грн
96+4.08 грн
105+3.72 грн
112+3.47 грн
711+1.28 грн
1952+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-F.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23, FULL REEL
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.42 грн
6000+3.17 грн
9000+2.67 грн
15000+2.25 грн
30000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-F; 210mA; 60V; 0,3W; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIODES Inc.
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+697.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-CTAnalog Power Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 0.6A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.81 грн
13+25.04 грн
100+15.05 грн
500+13.07 грн
1000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-D87ZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-D87ZON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 5087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-D87ZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-F169ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002 SOT23 YANGJIE T2N7002 YY
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.34 грн
17+18.29 грн
100+9.70 грн
500+5.99 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+11.91 грн
75+8.11 грн
146+4.15 грн
1000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GonsemiMOSFETs FET 60V 5.0 OHM
на замовлення 191514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.31 грн
23+15.06 грн
100+6.77 грн
1000+6.10 грн
3000+4.76 грн
9000+4.02 грн
45000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GComchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.56 грн
12000+5.08 грн
24000+4.73 грн
36000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.75 грн
6000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+28.49 грн
439+27.80 грн
451+27.11 грн
462+25.48 грн
500+22.97 грн
1000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - 2N7002-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.92 грн
25+44.08 грн
100+38.23 грн
3000+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyMOSFETs 60V 7.5Ohm
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.78 грн
25+43.90 грн
100+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+65.13 грн
220+55.48 грн
257+47.49 грн
272+43.41 грн
500+37.60 грн
1000+33.95 грн
3000+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.08 грн
25+36.80 грн
100+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GComchip TechnologyMOSFETs BVDD=60V ID=200mA
на замовлення 60435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.56 грн
17+20.37 грн
100+11.24 грн
1000+4.99 грн
3000+4.32 грн
9000+3.35 грн
24000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+33.32 грн
370+32.98 грн
437+27.96 грн
454+25.97 грн
500+23.81 грн
1000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 367
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMICROCHIP TECHNOLOGY2N7002-G SMD N channel transistors
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.62 грн
29+38.14 грн
79+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.13 грн
9000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.46 грн
25+25.82 грн
100+24.28 грн
250+21.90 грн
500+20.48 грн
1000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-HFComchip TechnologyN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 5544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.12 грн
27+11.86 грн
100+5.08 грн
500+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-HFComchip TechnologyN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-HFComchip TechnologyMOSFETs 0.25A 60V N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 6099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.79 грн
27+12.75 грн
100+4.91 грн
1000+4.39 грн
3000+3.94 грн
9000+2.83 грн
24000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-L
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-L T/RDIODES0841+
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-LT/RPANJITSOT-23 08+
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-MTF
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-NLFIARCHILD07+
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1
Код товару: 15283
Додати до обраних Обраний товар

VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-2N7002K-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 0.115A 0.2W
на замовлення 491834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.64 грн
15+24.39 грн
100+15.33 грн
500+10.64 грн
1000+8.04 грн
3000+5.73 грн
6000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.35 грн
23+26.82 грн
27+22.58 грн
100+15.89 грн
250+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.02 грн
32+9.27 грн
100+6.32 грн
305+3.58 грн
838+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.02 грн
53+7.44 грн
100+5.26 грн
305+2.98 грн
838+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+17.46 грн
725+16.84 грн
1000+16.28 грн
2500+15.24 грн
5000+13.73 грн
10000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 699
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.03 грн
10+41.70 грн
100+27.08 грн
500+19.50 грн
1000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-E3-LVishay / SiliconixMOSFETs 60V 0.115A 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-ERVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1713+7.13 грн
1959+6.23 грн
2047+5.96 грн
2162+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 1713
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+18.11 грн
50+9.53 грн
140+6.59 грн
380+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.71 грн
11+30.15 грн
100+19.36 грн
500+13.77 грн
1000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+8.64 грн
75+8.06 грн
81+7.47 грн
100+6.64 грн
250+5.63 грн
500+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.74 грн
50+11.88 грн
140+7.91 грн
380+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-JITVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1/72VISHAY
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1/72KBLSI
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1/72NSILICONIX
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T2VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.59 грн
9000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TPMicro Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 30215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.85 грн
49+6.43 грн
102+3.05 грн
500+2.74 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7143+1.71 грн
10345+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 7143
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2N7002-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 29455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+10.35 грн
113+7.41 грн
239+3.51 грн
500+2.89 грн
1000+2.33 грн
5000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs 60V, 115mA
на замовлення 119892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
33+10.77 грн
46+7.53 грн
100+3.13 грн
1000+2.38 грн
3000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 52807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
250+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.65 грн
6000+1.56 грн
9000+1.52 грн
15000+1.37 грн
21000+1.34 грн
30000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1704000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9317+1.31 грн
852000+1.20 грн
1278000+1.11 грн
1704000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 9317
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2N7002-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 29455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.89 грн
1000+2.33 грн
5000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
150+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TP (2N7002-7-F)
Код товару: 39940
Додати до обраних Обраний товар

MCCТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+10.00 грн
10+1.30 грн
100+1.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TP-B014Micro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TP-HFMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TP-HFMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-TRCentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002.215
Код товару: 73129
Додати до обраних Обраний товар

NXPТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-236AB
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
10+1.00 грн
100+0.60 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002.215MOSFET 60V 0.3A (1.2A pulse), N Channel SOT-23-3
на замовлення 9956 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/12PPHILIPS
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/12WPHILIPS
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/700207+ SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/702
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/GPHILIPSSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/HAMRNexperiaMOSFETs 60 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 14021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+18.14 грн
32+10.78 грн
100+5.88 грн
500+3.87 грн
1000+3.27 грн
3000+2.38 грн
9000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/HAMRNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002/HAMR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3579000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/HAMRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 47319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.29 грн
35+9.07 грн
100+5.60 грн
500+3.84 грн
1000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3578830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15152+2.02 грн
100000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 48000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3019+4.04 грн
6000+3.61 грн
9000+3.40 грн
15000+3.04 грн
21000+2.69 грн
30000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 3019
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/HAMRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.09 грн
6000+2.66 грн
9000+2.50 грн
15000+2.18 грн
21000+2.08 грн
30000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 34164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3530+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 3530
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/HAMRNEXPERIA60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2630+3.38 грн
3000+2.60 грн
6000+2.58 грн
9000+1.92 грн
15000+1.77 грн
21000+1.57 грн
30000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 2630
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 48000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3387+3.60 грн
4399+2.77 грн
6000+2.75 грн
9000+2.05 грн
15000+1.88 грн
21000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3387
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 34164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2353+3.21 грн
3000+2.57 грн
6000+1.93 грн
15000+1.75 грн
30000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 2353
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/S711215NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002702FAIRCHILD00+ 23
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002; 280mA; 60V; 350mW; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIOTEC
на замовлення 688 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
480+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 480
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ADIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+10.02 грн
50+5.80 грн
100+3.66 грн
500+2.71 грн
854+1.27 грн
2347+1.21 грн
24000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.40 грн
9000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ADiotec Semiconductor2N7002A
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ADiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4088+2.99 грн
4935+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 4088
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ADiotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ADIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
на замовлення 19645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.35 грн
84+4.65 грн
127+3.05 грн
500+2.26 грн
854+1.06 грн
2347+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8153+1.50 грн
9000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 8153
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKECN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,88 В @ 115 мА; SOT-23-3
на замовлення 84 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ADiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N
на замовлення 6399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+9.90 грн
60+5.73 грн
100+3.35 грн
500+2.60 грн
1000+2.23 грн
3000+1.49 грн
9000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.5A
Gate charge: 2.4nC
Technology: TRENCH POWER MV
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A
Код товару: 161144
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3268+3.73 грн
6000+3.18 грн
9000+2.31 грн
27000+1.85 грн
51000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3268
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ADiotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.85 грн
65+4.81 грн
100+3.26 грн
500+2.31 грн
1000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.5A
Gate charge: 2.4nC
Technology: TRENCH POWER MV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5339+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 5339
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 73061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.88 грн
39+8.14 грн
100+4.31 грн
1000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
24+13.02 грн
34+8.69 грн
50+5.64 грн
100+5.05 грн
371+2.94 грн
1020+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.10 грн
1500+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.17 грн
6000+2.02 грн
9000+1.92 грн
15000+1.67 грн
21000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+10.85 грн
56+6.98 грн
83+4.70 грн
100+4.21 грн
371+2.45 грн
1020+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4902+2.49 грн
6000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 4902
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
416+3.78 грн
3000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 416
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.37 грн
63+13.44 грн
126+6.67 грн
500+5.10 грн
1500+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 65018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+14.85 грн
37+9.50 грн
100+4.09 грн
1000+4.02 грн
3000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002A-7 T2N7002A-7 Diodes
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-AQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-RTK/PKECSOT23
на замовлення 8770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 60Vds 30Vgs 40Vgsm 115mA 300mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.49 грн
36+8.68 грн
100+5.38 грн
500+3.69 грн
1000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 759000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9147+1.33 грн
189000+1.22 грн
378000+1.14 грн
567000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 9147
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A/7002N/A08+ SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.28 грн
27000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+4.02 грн
24000+3.94 грн
30000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AK-QRNEXPERIAN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AK-QRNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Power Dissipation (Max): 320mW
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.66 грн
55+5.74 грн
100+3.52 грн
500+2.39 грн
1000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AK-QRNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AK-QRNexperiaMOSFETs 60 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 34126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+12.41 грн
47+7.36 грн
100+4.02 грн
500+2.83 грн
1000+2.46 грн
3000+2.08 грн
6000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AK-QRNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Power Dissipation (Max): 320mW
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AK-QRNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKM-QYLNexperiaMOSFETs 60 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+19.01 грн
27+13.09 грн
100+6.40 грн
1000+3.20 грн
2500+2.75 грн
10000+2.16 грн
30000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKM-QYLNexperia USA Inc.Description: 2N7002AKM-Q/SOT883/XQFN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.2 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKQB-QZNexperia USA Inc.Description: 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.98 грн
19+17.13 грн
100+10.79 грн
500+7.53 грн
1000+6.69 грн
2000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKQB-QZNexperia USA Inc.Description: 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKQB-QZNexperiaMOSFETs 60 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 4347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.29 грн
13+26.87 грн
100+13.32 грн
500+8.93 грн
1000+6.70 грн
2500+5.88 грн
5000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKRA-QZNexperiaMOSFETs 60 V, dual N-channel Trench MOSFET
на замовлення 3711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.56 грн
17+20.79 грн
100+11.46 грн
500+7.07 грн
1000+5.06 грн
2500+4.39 грн
5000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKS-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.98 грн
17+18.76 грн
100+9.13 грн
500+7.14 грн
1000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKS-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002AKS-QX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.19 грн
1000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKS-QXNexperiaN-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKS-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKS-QXNEXPERIAN-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKS-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002AKS-QX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+22.37 грн
61+13.77 грн
130+6.43 грн
500+5.19 грн
1000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKS-QXNexperiaN-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKS-QXNexperiaMOSFETs 60 V, dual N-channel Trench MOSFET
на замовлення 7208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.96 грн
24+14.46 грн
100+7.81 грн
500+5.28 грн
1000+4.46 грн
3000+3.57 грн
6000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKW-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002AKW-QX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+22.29 грн
57+14.86 грн
122+6.87 грн
500+4.67 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKW-QXNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKW-QXNEXPERIAN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKW-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.71 грн
27+11.63 грн
100+5.69 грн
500+4.45 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKW-QXNexperiaMOSFETs 60 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 7463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+17.36 грн
33+10.53 грн
100+5.21 грн
500+3.65 грн
1000+3.13 грн
3000+2.46 грн
6000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKW-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002AKW-QX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.01 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKW-QXNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKW-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 530000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.97 грн
20000+2.22 грн
30000+2.21 грн
50000+2.00 грн
70000+1.96 грн
100000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+19.59 грн
20000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.94 грн
79+10.69 грн
178+4.70 грн
500+4.22 грн
1000+3.21 грн
5000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+17.03 грн
29+10.34 грн
100+4.59 грн
368+2.97 грн
1000+2.90 грн
1011+2.81 грн
2500+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 530000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13
Код товару: 208052
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 560000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 535260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.49 грн
34+9.30 грн
100+4.09 грн
500+3.66 грн
1000+3.13 грн
2000+3.03 грн
5000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 560000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.19 грн
47+8.29 грн
102+3.82 грн
368+2.47 грн
1000+2.42 грн
1011+2.34 грн
2500+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family
на замовлення 11847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+16.50 грн
32+10.87 грн
100+4.17 грн
500+3.65 грн
1000+3.20 грн
5000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.22 грн
1000+3.21 грн
5000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 560000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+18.20 грн
20000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.31 грн
6000+2.15 грн
9000+1.95 грн
15000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+13.36 грн
49+8.06 грн
71+5.49 грн
100+4.67 грн
362+2.52 грн
994+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family
на замовлення 34470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.79 грн
29+12.15 грн
100+6.55 грн
500+4.91 грн
1000+4.09 грн
3000+2.23 грн
6000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+19.12 грн
72+11.60 грн
116+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
991+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 991
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 207573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.90 грн
31+10.23 грн
100+6.36 грн
500+4.38 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+16.03 грн
29+10.05 грн
50+6.59 грн
100+5.61 грн
362+3.02 грн
994+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002B-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK
Код товару: 73117
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NXP SemiconductorsMOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
на замовлення 14625 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4033+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 4033
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 414000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6148+1.98 грн
6697+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 6148
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NXPTrans MOSFET N-CH 60V 0.350A 2N7002BK T2N7002bk
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 414000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.85 грн
6000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NexperiaMOSFETs 60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
на замовлення 1180725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
43+8.25 грн
60+5.73 грн
100+3.87 грн
1000+3.27 грн
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1029000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.81 грн
6000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14088 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+17.03 грн
25+11.98 грн
100+6.86 грн
425+2.57 грн
1169+2.43 грн
6000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2688+2.81 грн
3000+2.31 грн
6000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 2688
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 365925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.24 грн
64+4.88 грн
100+3.82 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 43880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15152+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.35A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 116205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+18.20 грн
65+13.02 грн
102+8.21 грн
500+4.69 грн
1500+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NXPТранз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, 350 mA
на замовлення 366 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
91+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 606000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4167+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 4167
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1029000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6277+1.94 грн
6850+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 6277
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 14088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.19 грн
41+9.61 грн
100+5.72 грн
425+2.14 грн
1169+2.02 грн
6000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.80 грн
6000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 31070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4886+2.50 грн
5034+2.42 грн
5173+2.36 грн
10000+2.22 грн
25000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 4886
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKM,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKM,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.50 грн
33+18.69 грн
35+17.27 грн
50+12.58 грн
100+7.71 грн
250+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKM,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKM,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKM/V,315NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL SIGNA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKM/VYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKM315Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL S
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKMB,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKMB,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKMB,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKMB,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3857+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3857
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 576000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.47 грн
6000+3.18 грн
9000+3.05 грн
24000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.62 грн
6000+3.39 грн
9000+3.32 грн
24000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 295mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+22.37 грн
50+17.86 грн
110+7.62 грн
500+6.46 грн
1500+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3233+3.77 грн
6000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3233
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 166292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.12 грн
21+15.27 грн
100+6.53 грн
500+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 119750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7264+4.20 грн
10000+3.74 грн
100000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 7264
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 295mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.91 грн
9000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NXP2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002BKS,115 2N7002BKS,115 T2N7002bks
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NexperiaMOSFETs 60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET
на замовлення 61048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.96 грн
19+18.23 грн
100+6.77 грн
500+5.66 грн
1000+5.13 грн
3000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3240+3.77 грн
6000+3.44 грн
9000+3.21 грн
24000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 3240
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+19.20 грн
28+13.95 грн
35+11.29 грн
50+9.43 грн
100+7.79 грн
191+4.77 грн
525+4.51 грн
1000+4.36 грн
1500+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 576000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3261+3.74 грн
6000+3.42 грн
9000+3.29 грн
24000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3261
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.51 грн
6000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.47 грн
6000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 295mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.46 грн
1500+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+23.04 грн
17+17.39 грн
25+13.54 грн
50+11.31 грн
100+9.35 грн
191+5.72 грн
525+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3481+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3481
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS.115
Код товару: 109130
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS/DG/B2115Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKS/ZLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKSHNexperiaMOSFETs SOT363 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKSHNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKSHNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.15 грн
19+16.82 грн
100+7.22 грн
500+6.10 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKT,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKT,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.29A Automotive 3-Pin SC-75 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKT,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.47 грн
8000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
15+20.85 грн
100+12.96 грн
500+8.70 грн
1000+7.02 грн
2000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.56 грн
18+21.70 грн
22+18.37 грн
27+14.50 грн
50+12.17 грн
100+10.23 грн
152+5.97 грн
419+5.66 грн
1600+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.87 грн
250+9.68 грн
1000+7.18 грн
2000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2660+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 2660
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 6068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+16.44 грн
500+16.31 грн
1000+16.19 грн
3000+15.49 грн
6000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 448
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.13 грн
8000+5.47 грн
12000+5.03 грн
20000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1773+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 1773
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115NexperiaMOSFETs 60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET
на замовлення 53457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.34 грн
16+22.34 грн
100+8.86 грн
500+7.44 грн
1000+6.62 грн
2000+5.95 грн
4000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.89 грн
8000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 6068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
690+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 690
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.64 грн
50+21.87 грн
250+9.68 грн
1000+7.18 грн
2000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.07 грн
11+27.05 грн
13+22.05 грн
25+17.39 грн
50+14.60 грн
100+12.28 грн
152+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV/DG/B2115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 179232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7463+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 7463
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVLNexperiaMOSFETs 60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
на замовлення 28044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+16.50 грн
31+11.38 грн
100+6.25 грн
500+3.80 грн
1000+2.75 грн
2500+2.38 грн
5000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.89 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 182382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5601+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 5601
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+17.03 грн
24+12.17 грн
29+9.67 грн
50+6.05 грн
100+4.99 грн
391+2.80 грн
500+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 192482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 11646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.19 грн
40+9.77 грн
49+8.06 грн
77+5.04 грн
100+4.15 грн
391+2.33 грн
1074+2.20 грн
2500+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.53 грн
67+12.52 грн
250+7.89 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.68 грн
44+7.13 грн
100+4.24 грн
500+3.09 грн
1000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKWNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.90 грн
30+10.46 грн
100+5.22 грн
500+4.12 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3441+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 3441
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4616+2.64 грн
6000+2.38 грн
9000+2.24 грн
15000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 4616
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 29975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6303+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 6303
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 310 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Qg, нКл = 0,6; Rds = 1.6 @ 500mA, 10V Ом; Ugs(th) = 2,1 @ 250µA В; Р, Вт = 0,275 (Ta); Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-323
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.36 грн
33+11.94 грн
39+10.08 грн
58+6.70 грн
100+5.62 грн
274+3.33 грн
752+3.14 грн
1500+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 7360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+11.88 грн
2084+5.86 грн
6000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 1069
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NXPTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW; 2N7002BKW,115 T2N7002bkw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NexperiaMOSFETs 60 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 18729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.79 грн
28+12.41 грн
100+5.28 грн
500+4.61 грн
1000+3.57 грн
3000+2.46 грн
6000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.53 грн
6000+2.29 грн
9000+2.09 грн
15000+1.91 грн
21000+1.77 грн
30000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.79 грн
66+12.77 грн
138+6.05 грн
500+5.31 грн
1500+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4519+2.70 грн
6000+2.44 грн
9000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 4519
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 29975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4202+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 4202
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.45 грн
6000+2.21 грн
9000+2.08 грн
15000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.04 грн
20+14.88 грн
24+12.09 грн
50+8.04 грн
100+6.74 грн
274+3.99 грн
752+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.31 грн
1500+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.52 грн
6000+2.27 грн
9000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002CKNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002CKNexperia USA Inc.Description: 2N7002 - SMALL SIGNAL FIELD-EFFE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002CKNexperia Inc.MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002CK,215NXPТранз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
120+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002CK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002CK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9260+3.29 грн
10381+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 9260
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002CK,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002CK,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 300 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 55 @ 25; Qg, нКл = 1,3 @ 4,5 В; Rds = 1,6 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002CK,215NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002CKVLNexperiaMOSFET 60V N-CHANNEL 0.3A
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002CKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002CKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002CKVLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002CSMSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin CLLCC-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002CSM-QR-EBCSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin LCC-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002D87ZFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DS6Rectron USADescription: MOSFET 2 N-CH 60V 250MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363-6L
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.52 грн
24000+8.70 грн
36000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 54036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.56 грн
21+15.35 грн
100+11.12 грн
500+8.83 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.92 грн
6000+5.55 грн
9000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW
Код товару: 174754
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 205408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.27 грн
500+10.23 грн
1500+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.38 грн
6000+5.98 грн
9000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.14 грн
6000+5.77 грн
9000+5.42 грн
15000+5.05 грн
21000+5.04 грн
30000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.38 грн
6000+7.27 грн
9000+7.09 грн
12000+6.74 грн
27000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 205408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.55 грн
50+18.62 грн
100+13.27 грн
500+10.23 грн
1500+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.05 грн
17+17.10 грн
50+12.65 грн
100+11.26 грн
118+9.30 грн
324+8.74 грн
500+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+25.03 грн
41+14.83 грн
100+11.30 грн
500+9.15 грн
1000+7.67 грн
3000+5.28 грн
6000+4.92 грн
9000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWonsemi / FairchildMOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 83087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.26 грн
22+16.00 грн
100+10.57 грн
500+9.15 грн
1000+8.33 грн
3000+6.03 грн
6000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.21 грн
29+13.72 грн
50+10.54 грн
100+9.38 грн
118+7.75 грн
324+7.29 грн
500+7.05 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
на замовлення 168900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.26 грн
18+20.02 грн
100+9.90 грн
1000+4.99 грн
3000+4.32 грн
9000+3.50 грн
24000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW K72..DIODES/ZETEXTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002DW-7-F 2N7002DW T2N7002dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW L6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-13-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-13-GDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V 200mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.15 грн
6000+3.29 грн
24000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 50680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.17 грн
6000+3.33 грн
9000+3.17 грн
15000+2.96 грн
21000+2.95 грн
30000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.15 грн
6000+3.29 грн
24000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.47 грн
6000+3.54 грн
24000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.70 грн
47+8.37 грн
100+5.67 грн
285+3.20 грн
782+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 166298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.43 грн
1500+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.47 грн
6000+3.54 грн
24000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FMulticompN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 12112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7043+1.73 грн
7247+1.68 грн
10000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 7043
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 50911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.73 грн
24+13.10 грн
100+8.17 грн
500+5.66 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.25 грн
6000+3.37 грн
24000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 60V 200mW
на замовлення 155654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.44 грн
25+14.21 грн
100+8.48 грн
500+6.33 грн
1000+5.21 грн
3000+3.87 грн
6000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-F
Код товару: 143738
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 166298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+14.02 грн
81+10.35 грн
137+6.13 грн
500+5.43 грн
1500+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.03 грн
28+10.43 грн
100+6.81 грн
285+3.84 грн
782+3.63 грн
12000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.58 грн
6000+3.62 грн
24000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.58 грн
6000+3.62 грн
24000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-F.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002DW-7-F. - MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 4.4OHM, 115mA, SOT-363-6
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 9112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+22.20 грн
44+19.03 грн
100+11.69 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-GDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.08 грн
12+26.98 грн
100+17.30 грн
500+12.31 грн
1000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+19.41 грн
51+11.89 грн
100+7.55 грн
500+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-GonsemiMOSFETs FET 60V 2.0 MOHM
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.65 грн
11+33.12 грн
100+13.99 грн
1000+12.35 грн
3000+12.20 грн
9000+12.06 грн
45000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.37 грн
32+12.48 грн
42+9.38 грн
100+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2N7002DW-TP - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 4.4 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.10 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 557407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.15 грн
22+14.11 грн
100+8.83 грн
500+6.14 грн
1000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.05 грн
19+15.55 грн
25+11.26 грн
100+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs Dual N-CH 60V 115mA
на замовлення 12484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.04 грн
21+16.86 грн
100+9.23 грн
500+6.77 грн
1000+6.10 грн
3000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2N7002DW-TP - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 4.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+27.13 грн
51+16.53 грн
100+9.02 грн
500+7.10 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 555000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.39 грн
6000+4.19 грн
9000+4.13 грн
15000+3.62 грн
21000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-TPQ2Micro Commercial ComponentsDual N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW-TPQ2MCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW1T1GLRCSOT363
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW1T1GONSOT-363 05+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWA-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWA-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWA-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWAQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWAQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWAQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWAQ-7Diodes IncDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
на замовлення 12714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.26 грн
18+20.02 грн
100+9.90 грн
500+6.62 грн
1000+4.99 грн
3000+4.32 грн
6000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.94 грн
6000+3.36 грн
9000+3.10 грн
24000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.25 грн
6000+3.61 грн
9000+3.34 грн
24000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.61 грн
6000+3.90 грн
9000+3.53 грн
15000+3.03 грн
21000+3.02 грн
30000+2.74 грн
75000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-363
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.64 грн
20+14.97 грн
50+9.64 грн
100+8.25 грн
342+3.20 грн
938+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 108780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.94 грн
250+7.72 грн
1000+5.36 грн
7500+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1417+8.61 грн
1878+6.50 грн
2280+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 1417
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-363
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.20 грн
33+12.01 грн
50+8.03 грн
100+6.88 грн
342+2.67 грн
938+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.21 грн
6000+3.61 грн
9000+3.33 грн
24000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+21.15 грн
51+12.06 грн
100+8.00 грн
500+5.82 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 119231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.73 грн
24+13.02 грн
100+7.58 грн
500+5.64 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 108780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.95 грн
65+12.94 грн
250+7.72 грн
1000+5.36 грн
7500+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 175885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
899+13.58 грн
1200+10.17 грн
2000+9.11 грн
15000+8.00 грн
30000+6.43 грн
60000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 899
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
на замовлення 164541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.96 грн
25+13.86 грн
100+7.89 грн
500+5.95 грн
1000+4.99 грн
3000+4.09 грн
6000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWK-13Diodes Inc2N7002 Family SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWK-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWK-13Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+16.50 грн
32+10.78 грн
100+6.62 грн
500+5.28 грн
1000+4.84 грн
3000+4.54 грн
6000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWK-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 261mA; Idm: 1.1A; 450mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 261mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.04nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWK-7Diodes Inc2N7002 Family SOT363 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.49 грн
35+8.99 грн
100+7.08 грн
500+4.89 грн
1000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWK-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWK-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 261mA; Idm: 1.1A; 450mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 261mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.04nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.1A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWKX-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWKX-13Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWKX-7Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWKX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWL-TPMicro Commercial ComponentsDual N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWL-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT23-6L
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWL-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET Dual N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWL6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5830000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.19 грн
20000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-13-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-13-FDiodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 10K
на замовлення 9546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.64 грн
15+23.53 грн
100+13.92 грн
500+11.46 грн
1000+8.93 грн
2500+8.56 грн
5000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5839570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
16+19.61 грн
100+14.77 грн
500+10.43 грн
1000+8.63 грн
2000+8.38 грн
5000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2698+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 2698
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.33 грн
1500+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A
на замовлення 157662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.69 грн
16+22.25 грн
100+10.94 грн
500+6.92 грн
1000+5.66 грн
3000+4.84 грн
6000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.85 грн
6000+4.21 грн
9000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.28 грн
6000+3.97 грн
9000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.47 грн
53+15.86 грн
110+7.65 грн
500+6.33 грн
1500+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 14311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.76 грн
17+18.68 грн
100+10.55 грн
500+6.22 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.60 грн
6000+4.26 грн
9000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWQ-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.37 грн
20+16.20 грн
100+8.70 грн
500+6.82 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 247mA; Idm: 1.8A; 370mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 247mA
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.8A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.24 грн
9000+3.94 грн
15000+3.68 грн
21000+3.66 грн
30000+3.65 грн
75000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 247mA; Idm: 1.8A; 370mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 247mA
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7Diodes IncDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.21 грн
18+19.43 грн
100+7.81 грн
500+6.92 грн
1000+6.47 грн
3000+4.46 грн
6000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWT/RPANJITSOT-363 09+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EonsemiMOSFETs NFET SOT23 60V 115MA 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EVishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 60V 300MA 3@10V,500MA 225MW N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ENXPSOT23/SOT323
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EPanasonicMOSFETs Nch MOSFET 60V 0.3A RDS(on)=3ohms SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 60V 300MA 3@10V,500MA 225MW N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 32623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.49 грн
6000+1.27 грн
9000+1.18 грн
15000+1.02 грн
21000+0.96 грн
30000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ESILICONIX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT 2N70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E,215NexperiaMOSFETs TAPE7 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.385A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 339000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+13.36 грн
46+8.53 грн
55+7.05 грн
88+4.43 грн
107+3.63 грн
577+1.57 грн
1586+1.49 грн
3000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1938000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2052000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 969000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.21 грн
6000+1.41 грн
9000+1.40 грн
15000+1.33 грн
21000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2N7002E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.53 грн
63+13.44 грн
166+5.04 грн
500+4.27 грн
1500+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1950000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 906000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1344000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+16.03 грн
28+10.63 грн
33+8.46 грн
53+5.32 грн
100+4.35 грн
577+1.89 грн
1586+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1938000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1173000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.68 грн
46+6.74 грн
100+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1809000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2004000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5320+2.29 грн
7693+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 5320
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1317000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1722000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2N7002E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.27 грн
1500+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
на замовлення 10898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+15.71 грн
44+7.87 грн
100+3.65 грн
1000+3.57 грн
3000+2.38 грн
6000+2.23 грн
9000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1950000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1665000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1071000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5120+2.38 грн
8022+1.52 грн
9000+1.50 грн
15000+1.44 грн
21000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 5120
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5173+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 5173
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-GDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.