Продукція > VISHAY > 2N7002E-T1-GE3
2N7002E-T1-GE3

2N7002E-T1-GE3 Vishay

2n7002e.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.86 грн
6000+10.31 грн
9000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002E-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V.

Інші пропозиції 2N7002E-T1-GE3 за ціною від 7.04 грн до 55.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.63 грн
6000+11.04 грн
9000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
685+18.51 грн
785+16.14 грн
1000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 685
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2N7002E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.3A
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.84 грн
19+22.01 грн
27+15.68 грн
100+11.76 грн
250+10.42 грн
500+9.42 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2N7002E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.40 грн
12+27.43 грн
25+18.81 грн
100+14.11 грн
250+12.51 грн
500+11.31 грн
1000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 2n7002e.pdf MOSFETs 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V
на замовлення 167667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+40.15 грн
13+28.44 грн
100+15.45 грн
500+10.65 грн
1000+8.72 грн
3000+7.60 грн
9000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 2n7002e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
на замовлення 5324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.55 грн
11+32.43 грн
100+20.82 грн
500+14.81 грн
1000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
460+55.59 грн
500+34.47 грн
1000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 460
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3
Код товару: 167495
Додати до обраних Обраний товар

2n7002e.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : Vishay 70860.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 2n7002e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.