Продукція > VISHAY > 2N7002E-T1-GE3
2N7002E-T1-GE3

2N7002E-T1-GE3 Vishay


2n7002e.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.57 грн
9000+ 7.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002E-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V.

Інші пропозиції 2N7002E-T1-GE3 за ціною від 6.48 грн до 29.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1484+7.83 грн
1615+ 7.19 грн
1665+ 6.98 грн
2000+ 6.48 грн
Мінімальне замовлення: 1484
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.15 грн
9000+ 7.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 2n7002e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.87 грн
6000+ 8.11 грн
9000+ 7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2N7002E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+24.53 грн
18+ 19.67 грн
25+ 13.94 грн
100+ 10.49 грн
101+ 8.08 грн
276+ 7.66 грн
3000+ 7.32 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 2n7002e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
на замовлення 15495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.52 грн
13+ 21.67 грн
100+ 15.06 грн
500+ 11.04 грн
1000+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 2n7002e.pdf MOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V
на замовлення 175466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.76 грн
13+ 24.08 грн
100+ 11.4 грн
1000+ 7.02 грн
3000+ 6.89 грн
99000+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2N7002E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.43 грн
11+ 24.51 грн
25+ 16.73 грн
100+ 12.59 грн
101+ 9.69 грн
276+ 9.19 грн
3000+ 8.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002E-T1-GE3
Код товару: 167495
2n7002e.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : Vishay 70860.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній