
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.92 грн |
45000+ | 5.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002E-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V.
Інші пропозиції 2N7002E-T1-GE3 за ціною від 6.21 грн до 52.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.22W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.3A |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.22W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.3A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 174019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
на замовлення 5324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N7002E-T1-GE3 Код товару: 167495
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
товару немає в наявності |