на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.08 грн |
| 6000+ | 8.99 грн |
| 9000+ | 8.48 грн |
| 24000+ | 7.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002E-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V.
Інші пропозиції 2N7002E-T1-GE3 за ціною від 6.04 грн до 56.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V |
на замовлення 167667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
на замовлення 5324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
2N7002E-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2731 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
2N7002E-T1-GE3 Код товару: 167495
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
товару немає в наявності |