Інші пропозиції 2N7002E-T1-GE3 за ціною від 13.03 грн до 46.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002E-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
2N7002E-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
2N7002E-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236 Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
2N7002E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V |
на замовлення 161483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N7002E-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 39.32 грн |
| 100+ | 37.15 грн |
| 500+ | 17.74 грн |
| 1000+ | 13.03 грн |
| 2N7002E-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 358+ | 39.32 грн |
| 379+ | 37.15 грн |
| 792+ | 17.74 грн |
| 1040+ | 13.03 грн |
| 2N7002E-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.95 грн |
| 11+ | 27.80 грн |
| 2N7002E-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V
MOSFETs 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V
на замовлення 161483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)