Інші пропозиції 2N7002E-T1-GE3 за ціною від 6.11 грн до 61.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.22W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.3A |
на замовлення 2701 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V |
на замовлення 167667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
на замовлення 5324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-GE3 | Виробник : LRC |
N-кан. MOSFET 60V 240MA SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
2N7002E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
товару немає в наявності |