| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1188+ | 11.91 грн |
| 1654+ | 8.55 грн |
| 1690+ | 8.37 грн |
| 1830+ | 7.46 грн |
| 3000+ | 5.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002K-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 0.5A, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2N7002K-T1-E3 за ціною від 3.88 грн до 20.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002K-T1-E3 | VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.14W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N7002K-T1-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 317526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| 2N7002K-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 17.36 грн |
| 43+ | 9.93 грн |
| 59+ | 7.26 грн |
| 100+ | 6.35 грн |
| 2N7002K-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 317526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 20.48 грн |
| 29+ | 11.27 грн |
| 100+ | 5.71 грн |
| 500+ | 5.57 грн |
| 1000+ | 5.15 грн |
| 3000+ | 4.58 грн |
| 6000+ | 3.88 грн |