Продукція > VISHAY > 2N7002K-T1-GE3

2N7002K-T1-GE3 Vishay

Name: 2N7002K-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 23660-7
Price: 5490.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	1.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2N7002K-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2N7002K-T1-GE3 за ціною від 2.30 грн до 19.64 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3125+	3.90 грн
36000+	3.57 грн
54000+	3.32 грн

Мінімальне замовлення: 3125

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

на замовлення 285000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	5.37 грн
6000+	5.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 912000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	5.98 грн
6000+	5.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.22 грн
6000+	5.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.62 грн
6000+	5.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 8582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1774+	6.88 грн
1834+	6.65 грн
2500+	6.46 грн
5000+	6.06 грн

Мінімальне замовлення: 1774

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	7.11 грн
1500+	6.33 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1041+	11.72 грн
1680+	7.26 грн
1715+	7.12 грн
1733+	6.79 грн
1862+	5.85 грн

Мінімальне замовлення: 1041

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B372BE79E0A0C7&compId=2n7002k.pdf?ci_sign=2b3768eb8c0afdb1821adcf458f5f71283255059

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD

на замовлення 5031 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
28+	15.38 грн
37+	10.95 грн
42+	9.52 грн
59+	6.74 грн
100+	6.11 грн
388+	2.38 грн
1066+	2.30 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

на замовлення 290726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	16.48 грн
31+	10.31 грн
100+	6.42 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23

на замовлення 621902 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
21+	17.59 грн
32+	11.30 грн
100+	6.09 грн
1000+	5.71 грн
3000+	4.95 грн
6000+	4.57 грн
24000+	4.42 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 5031 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
17+	18.46 грн
22+	13.64 грн
25+	11.42 грн
50+	8.09 грн
100+	7.33 грн
388+	2.86 грн
1066+	2.76 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
44+	19.57 грн
69+	12.56 грн
108+	7.91 грн
500+	7.11 грн
1500+	6.33 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
36+	19.64 грн
55+	12.68 грн
56+	12.56 грн
100+	7.50 грн
250+	6.81 грн
500+	6.47 грн
1000+	6.02 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.