Продукція > VISHAY > 2N7002K-T1-GE3
2N7002K-T1-GE3

2N7002K-T1-GE3 Vishay

2n7002k.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.58 грн
9000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002K-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

Інші пропозиції 2N7002K-T1-GE3 за ціною від 2.42 грн до 29.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3185+4.60 грн
9000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1324+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 1324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.14W
Gate charge: 0.6nC
Version: ESD
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+21.03 грн
45+9.59 грн
55+7.74 грн
100+6.98 грн
378+2.56 грн
1040+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Semiconductors 2n7002k.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 93296 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
11+28.70 грн
17+19.21 грн
100+10.53 грн
500+6.70 грн
1000+5.94 грн
3000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 503 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.26 грн
44+18.06 грн
59+13.30 грн
100+10.77 грн
250+9.88 грн
500+6.96 грн
1000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 34300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 34300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3185+4.60 грн
9000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1324+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 1324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.14W
Gate charge: 0.6nC
Version: ESD
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+21.03 грн
45+9.59 грн
55+7.74 грн
100+6.98 грн
378+2.56 грн
1040+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 93296 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.70 грн
17+19.21 грн
100+10.53 грн
500+6.70 грн
1000+5.94 грн
3000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
503+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 503 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+29.26 грн
44+18.06 грн
59+13.30 грн
100+10.77 грн
250+9.88 грн
500+6.96 грн
1000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 34300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 34300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.