Продукція > VISHAY SILICONIX > 2N7002K-T1-GE3
2N7002K-T1-GE3

2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix

2n7002k.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 511990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.40 грн
9000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

Інші пропозиції 2N7002K-T1-GE3 за ціною від 2.98 грн до 28.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.73 грн
9000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2359+5.98 грн
3000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 2359 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1139+12.40 грн
1346+10.49 грн
1987+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 1139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1102+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 1102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+12.83 грн
100+10.86 грн
500+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4552 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.22 грн
42+10.04 грн
100+5.58 грн
500+3.46 грн
1000+3.29 грн
3000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 512703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.12 грн
25+12.50 грн
50+8.96 грн
100+7.32 грн
500+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.19 грн
44+17.40 грн
59+12.81 грн
100+10.38 грн
250+9.52 грн
500+6.70 грн
1000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Semiconductors 2n7002k.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 296426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 42179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 42179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.73 грн
9000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2359+5.98 грн
3000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 2359 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1139+12.40 грн
1346+10.49 грн
1987+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 1139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1102+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 1102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+12.83 грн
100+10.86 грн
500+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4552 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.22 грн
42+10.04 грн
100+5.58 грн
500+3.46 грн
1000+3.29 грн
3000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 512703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.12 грн
25+12.50 грн
50+8.96 грн
100+7.32 грн
500+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+28.19 грн
44+17.40 грн
59+12.81 грн
100+10.38 грн
250+9.52 грн
500+6.70 грн
1000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 296426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 42179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 42179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.