Продукція > VISHAY > 2N7002K-T1-GE3
2N7002K-T1-GE3

2N7002K-T1-GE3 Vishay

2n7002k.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002K-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції 2N7002K-T1-GE3 за ціною від 2.18 грн до 22.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3847+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.12 грн
36000+3.76 грн
54000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2896+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 2896
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2238516.pdf Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 29584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.60 грн
1500+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1774+6.88 грн
1834+6.65 грн
2500+6.46 грн
5000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 1774
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
на замовлення 9339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.55 грн
48+8.12 грн
67+5.78 грн
389+2.31 грн
1070+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.86 грн
29+10.12 грн
50+6.93 грн
389+2.77 грн
1070+2.62 грн
30000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+16.37 грн
60+10.17 грн
62+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 433547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
31+10.12 грн
100+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2238516.pdf Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 29584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.31 грн
70+11.88 грн
134+6.19 грн
500+5.60 грн
1500+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 2n7002k.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 715332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.83 грн
26+13.45 грн
100+6.11 грн
1000+5.89 грн
3000+5.52 грн
9000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.