Продукція > VISHAY > 2N7002K-T1-GE3
2N7002K-T1-GE3

2N7002K-T1-GE3 Vishay

2n7002k.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002K-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2N7002K-T1-GE3 за ціною від 3.91 грн до 20.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.40 грн
6000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 837000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.80 грн
6000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1774+6.96 грн
1834+6.73 грн
2500+6.54 грн
5000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 1774
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.11 грн
1500+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
983+12.57 грн
1584+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 983
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B372BE79E0A0C7&compId=2n7002k.pdf?ci_sign=2b3768eb8c0afdb1821adcf458f5f71283255059 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.53 грн
39+10.32 грн
44+9.13 грн
57+7.05 грн
100+6.36 грн
500+5.03 грн
3000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 275430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.48 грн
31+10.40 грн
100+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B372BE79E0A0C7&compId=2n7002k.pdf?ci_sign=2b3768eb8c0afdb1821adcf458f5f71283255059 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.43 грн
24+12.86 грн
27+10.95 грн
50+8.46 грн
100+7.63 грн
500+6.04 грн
3000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 2n7002k.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 603669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.60 грн
31+11.57 грн
100+6.09 грн
1000+5.71 грн
3000+4.95 грн
6000+4.57 грн
24000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
820+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 820
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+19.57 грн
69+12.56 грн
108+7.91 грн
500+7.11 грн
1500+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+20.24 грн
53+13.47 грн
100+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Виробник : Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.