Продукція > VISHAY > 2N7002K-T1-GE3

2N7002K-T1-GE3 Vishay

Name: 2N7002K-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 23660-7
Price: 5760.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	1.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2N7002K-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2N7002K-T1-GE3 за ціною від 1.59 грн до 35.47 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	4.27 грн
6000+	3.84 грн
9000+	2.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 348000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	4.27 грн
6000+	3.84 грн
9000+	2.82 грн
15000+	1.96 грн
21000+	1.79 грн
30000+	1.70 грн
75000+	1.69 грн
150000+	1.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

на замовлення 154354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	4.42 грн
6000+	3.83 грн
9000+	3.61 грн
15000+	3.15 грн
21000+	3.02 грн
30000+	2.88 грн
75000+	2.55 грн
150000+	2.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 348000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	4.58 грн
6000+	4.12 грн
9000+	3.02 грн
15000+	2.09 грн
21000+	1.92 грн
30000+	1.82 грн
75000+	1.81 грн
150000+	1.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 8532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1774+	7.15 грн
1834+	6.91 грн
2500+	6.71 грн
5000+	6.30 грн

Мінімальне замовлення: 1774

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1690+	7.50 грн
3000+	5.84 грн

Мінімальне замовлення: 1690

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 10139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	9.09 грн
1500+	5.84 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1032+	12.28 грн
1680+	7.54 грн
1697+	7.47 грн
1776+	6.88 грн
1862+	6.08 грн

Мінімальне замовлення: 1032

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 4911 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
30+	15.26 грн
39+	10.84 грн
44+	9.59 грн
57+	7.40 грн
100+	6.68 грн
500+	5.29 грн
3000+	4.11 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 4911 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна
18+	18.32 грн
24+	13.51 грн
27+	11.51 грн
50+	8.88 грн
100+	8.01 грн
500+	6.34 грн
3000+	4.93 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
826+	18.58 грн

Мінімальне замовлення: 826

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
37+	19.98 грн
55+	13.30 грн
56+	13.16 грн
100+	7.79 грн
250+	7.14 грн
500+	6.56 грн
1000+	6.25 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

на замовлення 154730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
16+	21.65 грн
27+	12.59 грн
100+	7.84 грн
500+	5.42 грн
1000+	4.79 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23

на замовлення 408303 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	31.28 грн
19+	20.43 грн
100+	11.21 грн
500+	8.48 грн
1000+	6.00 грн
3000+	4.64 грн
6000+	4.00 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 10139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
26+	35.47 грн
50+	23.44 грн
100+	14.73 грн
500+	9.09 грн
1500+	5.84 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.