Продукція > VISHAY > 2N7002K-T1-GE3

2N7002K-T1-GE3 Vishay

Name: 2N7002K-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 42013661-5
Price: 13939.84 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 222000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3788+	3.68 грн

Мінімальне замовлення: 3788

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2N7002K-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2N7002K-T1-GE3 за ціною від 2.05 грн до 28.77 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

на замовлення 525000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	4.27 грн
6000+	3.70 грн
9000+	3.49 грн
15000+	3.05 грн
21000+	2.92 грн
30000+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2913+	4.78 грн
3172+	4.39 грн

Мінімальне замовлення: 2913

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1080000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	5.98 грн
6000+	4.70 грн
9000+	3.44 грн
15000+	2.36 грн
21000+	2.16 грн
30000+	2.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 192000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.10 грн
6000+	4.79 грн
9000+	3.51 грн
15000+	2.42 грн
21000+	2.20 грн
30000+	2.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 192000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.11 грн
6000+	4.80 грн
9000+	3.51 грн
15000+	2.42 грн
21000+	2.20 грн
30000+	2.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 270000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.13 грн
6000+	4.82 грн
9000+	3.54 грн
15000+	2.48 грн
21000+	2.28 грн
30000+	2.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	7.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	7.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 34219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	9.31 грн
500+	6.41 грн
1500+	5.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
816+	17.08 грн
1308+	10.65 грн
1774+	7.85 грн
2006+	6.69 грн

Мінімальне замовлення: 816

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 3852 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
27+	17.09 грн
50+	8.44 грн
97+	4.34 грн
117+	3.60 грн
500+	2.86 грн
1000+	2.64 грн
3000+	2.42 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
798+	17.46 грн
1266+	11.00 грн
1279+	10.89 грн
1717+	7.82 грн
1834+	6.78 грн

Мінімальне замовлення: 798

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

на замовлення 525079 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
16+	20.29 грн
25+	12.10 грн
100+	7.57 грн
500+	5.24 грн
1000+	4.63 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23

на замовлення 269153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	21.61 грн
25+	13.01 грн
100+	7.08 грн
500+	5.27 грн
1000+	4.65 грн
3000+	3.82 грн
6000+	3.40 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 33574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
34+	24.45 грн
55+	14.98 грн
100+	9.31 грн
500+	6.41 грн
1500+	5.27 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
26+	28.77 грн
43+	17.46 грн
100+	10.61 грн
250+	9.72 грн
500+	6.95 грн
1000+	6.51 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

N-Channel 60V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.