
2N7002K Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.86 грн |
6000+ | 1.58 грн |
9000+ | 1.47 грн |
15000+ | 1.26 грн |
21000+ | 1.19 грн |
30000+ | 1.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002K Good-Ark Semiconductor
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції 2N7002K за ціною від 0.85 грн до 24.70 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002K | Виробник : MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 7588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : MDD |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.8 pF @ 10 V |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
на замовлення 201000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : Good-Ark |
![]() |
на замовлення 17438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : Good-Ark |
![]() |
на замовлення 17438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() ![]() ![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 7588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 106370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 60 V |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 11794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Power Dissipation (Max): 430mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V |
на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() ![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 5A Version: ESD |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K Код товару: 36754
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Fairchild |
![]() ![]() ![]() ![]() Корпус: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
на замовлення 202829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 64720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 106370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() ![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 5A Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : MDD(Microdiode Electronics) |
![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : JSMicro Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : Microdiode Electronics |
![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 8208000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : HT Jinyu Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 7488000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 967 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2N7002K | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 60 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : Rectron |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K | Виробник : Rectron |
![]() |
товару немає в наявності |