2N7002KT1G ON-Semiconductor
Виробник: ON-Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G T2N7002kt1ge3
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002KT1G ON-Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 420mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.
Інші пропозиції 2N7002KT1G за ціною від 2.01 грн до 42.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002KT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 217475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2N7002KT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2N7002KT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2N7002KT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2N7002KT1G | onsemi |
MOSFETs NFET SOT23 60V 380mA 2.5Ohms |
на замовлення 158162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
2N7002KT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 420mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 63684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
2N7002KT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 420mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 63684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
2N7002KT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 420mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N7002KT1G | ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 320 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5, Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| 2N7002KT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 217475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14635+ | 2.40 грн |
| 100000+ | 2.01 грн |
| 2N7002KT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4886+ | 2.88 грн |
| 9000+ | 2.74 грн |
| 27000+ | 2.60 грн |
| 51000+ | 2.46 грн |
| 2N7002KT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 97+ | 10.88 грн |
| 112+ | 6.72 грн |
| 500+ | 4.90 грн |
| 1000+ | 4.20 грн |
| 2N7002KT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1291+ | 10.88 грн |
| 2N7002KT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SOT23 60V 380mA 2.5Ohms
MOSFETs NFET SOT23 60V 380mA 2.5Ohms
на замовлення 158162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N7002KT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 63684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002KT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 63684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002KT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002KT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 320 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5, Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 320 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5, Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 42.12 грн |




