на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7143+ | 1.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002KT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2N7002KT1G за ціною від 1.25 грн до 15.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 217475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
2N7002KT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
на замовлення 326475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
2N7002KT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 97669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
2N7002KT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N7002KT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4758 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N7002KT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
на замовлення 326845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
2N7002KT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET SOT23 60V 380mA 2.5Ohms |
на замовлення 113128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| 2N7002KT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G T2N7002kt1ge3 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| 2N7002KT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - MOSFET, N-KANAL, 60V, 380MA, SOT-23-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 97669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| 2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 320 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5; Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
2N7002KT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |