Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002WT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 330mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.
Інші пропозиції 2N7002WT1G за ціною від 0.81 грн до 20.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N7002WT1G | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1gкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002WT1G | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1gкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 79632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 31529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 31606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 31606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5868 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 31529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | onsemi |
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C |
на замовлення 149779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 21892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N7002WT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 21892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002WT1G | ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5, Rds = 1,6@ 500 mA, Ugs(th) = 2.5V @ 250µA, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g
кількість в упаковці: 100 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 1.78 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g
кількість в упаковці: 100 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 1.78 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.04 грн |
| 6000+ | 2.01 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6945+ | 2.04 грн |
| 7043+ | 2.01 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6277+ | 2.26 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 79632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15229+ | 2.32 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.60 грн |
| 6000+ | 2.24 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3876+ | 3.66 грн |
| 9000+ | 3.48 грн |
| 27000+ | 3.37 грн |
| 51000+ | 3.17 грн |
| 102000+ | 2.89 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.92 грн |
| 6000+ | 3.50 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 31529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3212+ | 4.41 грн |
| 4361+ | 3.25 грн |
| 4967+ | 2.85 грн |
| 5339+ | 2.56 грн |
| 6000+ | 2.19 грн |
| 15000+ | 1.94 грн |
| 30000+ | 1.77 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 31606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 106+ | 7.27 грн |
| 500+ | 5.30 грн |
| 1000+ | 4.66 грн |
| 3000+ | 1.88 грн |
| 6000+ | 1.72 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 31606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1938+ | 7.31 грн |
| 2660+ | 5.33 грн |
| 3025+ | 4.69 грн |
| 7247+ | 1.89 грн |
| 7318+ | 1.73 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5868 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 9.84 грн |
| 61+ | 6.81 грн |
| 85+ | 4.90 грн |
| 100+ | 4.30 грн |
| 500+ | 3.26 грн |
| 1000+ | 2.83 грн |
| 1500+ | 2.62 грн |
| 3000+ | 2.29 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 31529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 11.71 грн |
| 106+ | 7.19 грн |
| 107+ | 7.12 грн |
| 170+ | 4.29 грн |
| 250+ | 3.94 грн |
| 500+ | 2.79 грн |
| 1000+ | 2.45 грн |
| 3000+ | 2.28 грн |
| 6000+ | 2.11 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.98 грн |
| 36+ | 8.45 грн |
| 50+ | 6.01 грн |
| 100+ | 4.91 грн |
| 500+ | 3.58 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 20.81 грн |
| 60+ | 12.78 грн |
| 100+ | 7.91 грн |
| 500+ | 5.57 грн |
| 1000+ | 4.54 грн |
| 3000+ | 3.36 грн |
| 6000+ | 3.00 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
на замовлення 149779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 21892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 21892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5, Rds = 1,6@ 500 mA, Ugs(th) = 2.5V @ 250µA, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5, Rds = 1,6@ 500 mA, Ugs(th) = 2.5V @ 250µA, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.81 грн |







