
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8109+ | 1.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002WT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.19 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N7002WT1G за ціною від 1.15 грн до 156.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 37569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 258000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 342000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1233000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1056000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1056000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 110900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 49974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3620 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 119583 шт: термін постачання 154-163 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 43266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 43266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 49974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
2N7002WT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002WT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |