Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA1162-O,LF
2SA1162-O,LF

2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.43 грн
48+6.60 грн
100+4.10 грн
500+2.79 грн
1000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SA1162-O,LF за ціною від 1.96 грн до 12.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Виробник : Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 14863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.68 грн
48+7.29 грн
100+3.92 грн
500+2.87 грн
1000+2.11 грн
3000+2.04 грн
6000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Виробник : Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20211006.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.