Продукція > TOSHIBA > 2SA1162-O,LF
2SA1162-O,LF

2SA1162-O,LF Toshiba

E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 14190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.23 грн
49+6.66 грн
100+3.63 грн
500+2.58 грн
1000+2.30 грн
3000+1.74 грн
6000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1162-O,LF Toshiba

Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SA1162-O,LF за ціною від 2.44 грн до 11.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.77 грн
46+6.65 грн
100+4.08 грн
500+2.78 грн
1000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.