2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 11.60 грн |
| 46+ | 6.55 грн |
| 100+ | 4.02 грн |
| 500+ | 2.74 грн |
| 1000+ | 2.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції 2SA1162-O,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1162-O,LF | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor |
на замовлення 14188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA1162-O,LF |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 14188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)