2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.15 грн |
| 6000+ | 1.84 грн |
| 9000+ | 1.73 грн |
| 15000+ | 1.50 грн |
| 21000+ | 1.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції 2SA1162-Y,LF за ціною від 1.58 грн до 12.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SA1162-Y,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 31663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA1162-Y,LF | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V |
на замовлення 31152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA1162-Y,LF | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
2SA1162-Y,LF | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R |
товару немає в наявності |