2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.02 грн
6000+4.36 грн
9000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції 2SA1162-Y,LXHF за ціною від 5.42 грн до 23.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.97 грн
22+14.00 грн
100+8.80 грн
500+6.12 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 7689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+23.97 грн
22+14.00 грн
100+8.80 грн
500+6.12 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 7689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.