на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 15152+ | 2.04 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1162S-GR,LF(D Toshiba
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW. 
Інші пропозиції 2SA1162S-GR,LF(D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | 
|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        2SA1162S-GR,LF(D | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage | 
            
                         Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINIPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |
| 2SA1162S-GR,LF(D | Виробник : Toshiba | 
            
                         Bipolar Transistors - BJT         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        

