Продукція > TOSHIBA > 2SA1162S-Y,LF(D

2SA1162S-Y,LF(D Toshiba

2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Виробник: Toshiba
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
788+31.36 грн
1000+28.93 грн
10000+25.79 грн
100000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 788
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1162S-Y,LF(D Toshiba

Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SA1162S-Y,LF(D

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1162S-Y, LF(D 2SA1162S-Y, LF(D Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-Y, LF(D 2SA1162S-Y, LF(D Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-Y,LF(D Виробник : Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-708086.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.