Продукція > TOSHIBA > 2SA1163-BL,LF(T
2SA1163-BL,LF(T

2SA1163-BL,LF(T Toshiba

2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+10.81 грн
106+7.17 грн
500+5.95 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1163-BL,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-346, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SA1163-BL,LF(T за ціною від 4.16 грн до 4.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA1163-BL,LF(T 2SA1163-BL,LF(T TOSHIBA 4163496.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF(T 2SA1163-BL,LF(T Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF(T 2SA1163-BL,LF(T TOSHIBA 4163496.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF(T TOSHIBA Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 100mA
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 0.1A
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF(T 4163496.pdf
2SA1163-BL,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF(T 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf
2SA1163-BL,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF(T 4163496.pdf
2SA1163-BL,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 100mA
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 0.1A
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.