2SA1163-BL,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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Технічний опис 2SA1163-BL,LF(T TOSHIBA
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Інші пропозиції 2SA1163-BL,LF(T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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2SA1163-BL,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SA1163-BL,LF(T |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)