Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA1163-BL,LF
2SA1163-BL,LF

2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.58 грн
6000+3.09 грн
9000+2.91 грн
15000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SA1163-BL,LF за ціною від 3.00 грн до 19.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.87 грн
30+10.64 грн
100+6.60 грн
500+4.55 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Виробник : Toshiba 2SA1163_datasheet_en_20220302-1916313.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 200675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.63 грн
30+11.75 грн
100+6.38 грн
500+4.73 грн
1000+4.13 грн
3000+3.30 грн
6000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF
Код товару: 208164
Додати до обраних Обраний товар

docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163 Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Виробник : Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Виробник : Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF Виробник : Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.