| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.76 грн |
| 32+ | 10.18 грн |
| 100+ | 5.58 грн |
| 500+ | 4.04 грн |
| 1000+ | 3.63 грн |
| 3000+ | 2.79 грн |
| 6000+ | 2.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1163-GR,LF Toshiba
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції 2SA1163-GR,LF за ціною від 3.85 грн до 17.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1163-GR,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINIPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SA1163-GR,LF | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
2SA1163-GR,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 150 mW |
товару немає в наявності |