2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 17.01 грн |
| 30+ | 10.05 грн |
| 100+ | 6.25 грн |
| 500+ | 4.31 грн |
| 1000+ | 3.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції 2SA1163-GR,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1163-GR,LF | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR |
на замовлення 7360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA1163-GR,LF |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR
на замовлення 7360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)