Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA1163-GR,LF
2SA1163-GR,LF

2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.63 грн
6000+3.13 грн
9000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SA1163-GR,LF за ціною від 3.96 грн до 18.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA1163-GR,LF 2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.24 грн
30+10.46 грн
100+6.51 грн
500+4.49 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR,LF 2SA1163-GR,LF Toshiba 17AC8351287AA7E4543C41BF7E62969828662432D4129FBB529C553220469CF9.pdf Bipolar Transistors - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR
на замовлення 19096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR,LF docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.24 грн
30+10.46 грн
100+6.51 грн
500+4.49 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR,LF 17AC8351287AA7E4543C41BF7E62969828662432D4129FBB529C553220469CF9.pdf
2SA1163-GR,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR
на замовлення 19096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.