Продукція > TOSHIBA > 2SA1182-Y,LF

2SA1182-Y,LF Toshiba

Name: 2SA1182-Y,LF
Brand: Toshiba
SKU: 126764-4
Price: 2.46 UAH
Availability: InStock

2SA1182_datasheet_en_20210625-1139991.pdf

Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
14+	23.09 грн
19+	16.12 грн
100+	8.83 грн
1000+	3.99 грн
3000+	3.39 грн
9000+	2.59 грн
24000+	2.46 грн

Мінімальне замовлення: 14

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SA1182-Y,LF Toshiba

Description: TRANS PNP 30V 0.5A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SA1182-Y,LF

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	2SA1182-Y,LF	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PNP 30V 0.5A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW	товар відсутній
	2SA1182-Y,LF	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PNP 30V 0.5A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW	товар відсутній