2SA1182-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 18.56 грн |
| 28+ | 11.02 грн |
| 100+ | 6.87 грн |
| 500+ | 4.74 грн |
| 1000+ | 4.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1182-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції 2SA1182-Y,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1182-Y,LF | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA1182-Y,LF |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)