Продукція > TOSHIBA > 2SA1201-Y(TE12L,ZC
2SA1201-Y(TE12L,ZC

2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba

2SA1201_datasheet_en_20131101-1649773.pdf Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT SC62-3 120V .8A PNP EPITAXIAL
на замовлення 21683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.20 грн
10+36.35 грн
100+22.96 грн
250+22.88 грн
500+17.53 грн
1000+10.94 грн
2000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba

Description: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PW-MINI, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SA1201-Y(TE12L,ZC за ціною від 15.85 грн до 57.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20286&prodName=2SA1201 Description: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.12 грн
10+34.28 грн
100+22.13 грн
500+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20286&prodName=2SA1201 Description: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.