2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 15.22 грн |
| 2000+ | 13.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2SA1201-Y(TE12L,ZC за ціною від 9.35 грн до 60.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1201-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA1201-Y(TE12L,ZC | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 3993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA1201-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT SC62-3 120V .8A PNP EPITAXIAL |
на замовлення 13395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA1201-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA1201-Y(TE12L,ZC | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA1201-Y(TE12L,ZC | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |