Продукція > TOSHIBA > 2SA1201-Y(TE12L,ZC
2SA1201-Y(TE12L,ZC

2SA1201-Y(TE12L,ZC TOSHIBA


docget.jsp?did=20286&prodName=2SA1201 Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.02 грн
28+31.00 грн
100+21.23 грн
500+15.57 грн
1000+9.96 грн
5000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1201-Y(TE12L,ZC TOSHIBA

Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2SA1201-Y(TE12L,ZC за ціною від 9.82 грн до 59.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : TOSHIBA docget.jsp?did=20286&prodName=2SA1201 Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.02 грн
28+31.00 грн
100+21.23 грн
500+15.57 грн
1000+9.96 грн
5000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20286&prodName=2SA1201 Description: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.43 грн
10+32.39 грн
100+20.90 грн
500+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 2SA1201_datasheet_en_20131101-1649773.pdf Bipolar Transistors - BJT SC62-3 120V .8A PNP EPITAXIAL
на замовлення 7252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.49 грн
10+36.36 грн
100+20.43 грн
500+15.55 грн
1000+14.04 грн
2000+12.69 грн
5000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20286&prodName=2SA1201 Description: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.