2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=20286&prodName=2SA1201
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+15.11 грн
2000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2SA1201-Y(TE12L,ZC за ціною від 15.17 грн до 54.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+19.62 грн
747+18.90 грн
1000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20286&prodName=2SA1201 Description: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.90 грн
10+32.76 грн
100+21.18 грн
500+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba 4FDDD6C6917FBEA6A389E75988E933D8031F82441DD2479F73AD123EFD06B0A6.pdf Bipolar Transistors - BJT SC62-3 120V .8A PNP EPITAXIAL
на замовлення 13395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC TOSHIBA docget.jsp?did=20286&prodName=2SA1201 Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC TOSHIBA docget.jsp?did=20286&prodName=2SA1201 Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
720+19.62 грн
747+18.90 грн
1000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC docget.jsp?did=20286&prodName=2SA1201
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.90 грн
10+32.76 грн
100+21.18 грн
500+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 4FDDD6C6917FBEA6A389E75988E933D8031F82441DD2479F73AD123EFD06B0A6.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT SC62-3 120V .8A PNP EPITAXIAL
на замовлення 13395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC docget.jsp?did=20286&prodName=2SA1201
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZC docget.jsp?did=20286&prodName=2SA1201
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.