2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.55 грн |
| 22+ | 14.92 грн |
| 100+ | 9.37 грн |
| 500+ | 6.53 грн |
| 1000+ | 5.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції 2SA1298-Y,LF за ціною від 4.34 грн до 27.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1298-Y,LF | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor |
на замовлення 832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA1298-Y,LF | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 25V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SA1298-Y,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |