2SA1298-Y,LF

2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage


2SA1298_datasheet_en_20230821.pdf?did=19261&prodName=2SA1298 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 25V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2908 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.15 грн
15+ 18.37 грн
100+ 9.26 грн
500+ 7.09 грн
1000+ 5.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 25V 0.8A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції 2SA1298-Y,LF за ціною від 3.5 грн до 29.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA1298-Y,LF 2SA1298-Y,LF Виробник : Toshiba 2SA1298_datasheet_en_20230821-1150864.pdf Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 6373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.36 грн
15+ 20.43 грн
100+ 7.27 грн
1000+ 5.48 грн
3000+ 4.69 грн
9000+ 3.76 грн
24000+ 3.5 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SA1298-Y,LF 2SA1298-Y,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1298-Y,LF 2SA1298-Y,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1298_datasheet_en_20230821.pdf?did=19261&prodName=2SA1298 Description: TRANS PNP 25V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній