на замовлення 7543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 21.15 грн |
| 25+ | 13.50 грн |
| 100+ | 5.06 грн |
| 1000+ | 4.55 грн |
| 9000+ | 3.52 грн |
| 24000+ | 3.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1298-Y,LF Toshiba
Description: TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції 2SA1298-Y,LF за ціною від 6.00 грн до 26.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1298-Y,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PNP 25V 0.8A S-MINIPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SA1298-Y,LF | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 25V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
2SA1298-Y,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |