Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1313-Y,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SA1313-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SA1313-Y,LF(T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
2SA1313-Y,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1313-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
2SA1313-Y,LF(T | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. |
|
2SA1313-Y,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1313-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SA1313-Y,LF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1313-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1313-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SA1313-Y,LF(T |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SA1313-Y,LF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1313-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SA1313-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




