Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA1313-Y,LF
2SA1313-Y,LF

2SA1313-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313_datasheet_en_20140301.pdf?did=19265&prodName=2SA1313 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.5A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.66 грн
6000+ 3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1313-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 0.5A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції 2SA1313-Y,LF за ціною від 2.47 грн до 23.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA1313-Y,LF 2SA1313-Y,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313_datasheet_en_20140301.pdf?did=19265&prodName=2SA1313 Description: TRANS PNP 50V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 9192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.67 грн
20+ 14.4 грн
100+ 7.02 грн
500+ 5.49 грн
1000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1313-Y,LF 2SA1313-Y,LF Виробник : Toshiba 2SA1313_datasheet_en_20140301-1090390.pdf Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz
на замовлення 16435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.91 грн
18+ 17.66 грн
100+ 5.87 грн
1000+ 4.01 грн
3000+ 3.14 грн
9000+ 2.6 грн
24000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1313-Y,LF 2SA1313-Y,LF Виробник : Toshiba 124docget.jsppid2sa1313langentypedatasheet.jsppid2sa1313langentypeda.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1313-Y,LF 2SA1313-Y,LF Виробник : Toshiba 124docget.jsppid2sa1313langentypedatasheet.jsppid2sa1313langentypeda.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1313-Y,LF 2SA1313-Y,LF Виробник : Toshiba 124docget.jsppid2sa1313langentypedatasheet.jsppid2sa1313langentypeda.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній