Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA1313-Y,LF
2SA1313-Y,LF

2SA1313-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19265&prodName=2SA1313
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1313-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції 2SA1313-Y,LF за ціною від 4.02 грн до 18.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA1313-Y,LF 2SA1313-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19265&prodName=2SA1313 Description: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
29+10.57 грн
100+6.60 грн
500+4.55 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y,LF 2SA1313-Y,LF Toshiba 2FC22B939F440894714B833F648F5316498FED53735ECDA4613313554C54C54F.pdf Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y,LF 2SA1313-Y,LF Toshiba 124docget.jsppid2sa1313langentypedatasheet.jsppid2sa1313langentypeda.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y,LF docget.jsp?did=19265&prodName=2SA1313
2SA1313-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.03 грн
29+10.57 грн
100+6.60 грн
500+4.55 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y,LF 2FC22B939F440894714B833F648F5316498FED53735ECDA4613313554C54C54F.pdf
2SA1313-Y,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y,LF 124docget.jsppid2sa1313langentypedatasheet.jsppid2sa1313langentypeda.pdf
2SA1313-Y,LF
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.