2SA1313-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1313-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: S-Mini, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SA1313-Y,LF за ціною від 2.32 грн до 18.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1313-Y,LF | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz |
на замовлення 6490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA1313-Y,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: S-Mini Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA1313-Y,LF | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |