2SA1586-GR,LF(T Toshiba
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2033+ | 5.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1586-GR,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SA1586-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOD-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: SOD-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SA1586-GR,LF(T за ціною від 1.13 грн до 7.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1586-GR,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - 2SA1586-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOD-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOD-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 50700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SA1586-GR,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1586-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOD-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOD-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 50700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SA1586-GR,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive 3-Pin USM T/R |
товару немає в наявності |