| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1995+ | 6.47 грн |
| 2436+ | 5.30 грн |
| 2522+ | 5.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1587-GR,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SA1587-GR,LF(T за ціною від 3.06 грн до 18.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1587-GR,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 35830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SA1587-GR,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 35830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SA1587-GR,LF(T | Виробник : Toshiba |
 Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
2SA1587-GR,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
2SA1587-GR,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.1A; 0.1W; SC70 Mounting: SMD Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.1W Collector-emitter voltage: 120V Current gain: 200...700 Frequency: 100MHz Polarisation: bipolar Case: SC70 Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |