Технічний опис 2SA1587-GR,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SA1587-GR,LF(T за ціною від 3.24 грн до 21.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1587-GR,LF(T | Toshiba |
 Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R |
на замовлення 10377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA1587-GR,LF(T | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R |
на замовлення 10377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA1587-GR,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 35830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
2SA1587-GR,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 35830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
2SA1587-GR,LF(T | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 660 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
2SA1587-GR,LF(T | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2778 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SA1587-GR,LF(T |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 10377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1435+ | 9.88 грн |
| 1767+ | 8.02 грн |
| 2137+ | 6.63 грн |
| 2646+ | 5.17 грн |
| 3457+ | 3.66 грн |
| 3732+ | 3.26 грн |
| 2SA1587-GR,LF(T |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 10377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 21.34 грн |
| 47+ | 16.38 грн |
| 77+ | 9.84 грн |
| 95+ | 7.70 грн |
| 115+ | 5.89 грн |
| 250+ | 4.57 грн |
| 500+ | 3.50 грн |
| 1000+ | 3.24 грн |
| 2SA1587-GR,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 35830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SA1587-GR,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 35830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SA1587-GR,LF(T |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SA1587-GR,LF(T |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)