Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA1587-GR,LF
2SA1587-GR,LF

2SA1587-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.85 грн
6000+2.45 грн
9000+2.30 грн
15000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1587-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-70, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 100 mW.

Інші пропозиції 2SA1587-GR,LF за ціною від 3.12 грн до 13.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA1587-GR,LF 2SA1587-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 17936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.92 грн
36+8.41 грн
100+5.18 грн
500+3.55 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1587-GR,LF 2SA1587-GR,LF Toshiba 7954CBFDF9BAA1357D02AD310096FD8AA4ABF8088D84564B990CEC48BBC405F0.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1587-GR,LF docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587
2SA1587-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 17936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.92 грн
36+8.41 грн
100+5.18 грн
500+3.55 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1587-GR,LF 7954CBFDF9BAA1357D02AD310096FD8AA4ABF8088D84564B990CEC48BBC405F0.pdf
2SA1587-GR,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.