Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA1587-GR,LF
2SA1587-GR,LF

2SA1587-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.86 грн
6000+2.46 грн
9000+2.31 грн
15000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1587-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-70, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 100 mW.

Інші пропозиції 2SA1587-GR,LF за ціною від 2.45 грн до 16.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1587-GR,LF 2SA1587-GR,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 20689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.90 грн
38+8.61 грн
100+5.35 грн
500+3.66 грн
1000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1587-GR,LF 2SA1587-GR,LF Виробник : Toshiba 2SA1587_datasheet_en_20221102-1916389.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 18395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+16.07 грн
37+9.68 грн
100+5.13 грн
500+3.75 грн
1000+3.06 грн
3000+2.76 грн
6000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1587-GR,LF 2SA1587-GR,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1587-GR,LF 2SA1587-GR,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.