Продукція > TOSHIBA > 2SA1721OTE85LF
2SA1721OTE85LF

2SA1721OTE85LF Toshiba


2SA1721_datasheet_en_20140301-1090384.pdf Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NSM PLN TRANSIST Pd=150mW F=1MHz
на замовлення 3005 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.45 грн
13+ 24.03 грн
100+ 14.29 грн
1000+ 8.08 грн
3000+ 6.88 грн
9000+ 5.94 грн
24000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1721OTE85LF Toshiba

Description: TRANS PNP 300V 0.1A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції 2SA1721OTE85LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA1721OTE85LF 2SA1721OTE85LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1721_datasheet_en_20140301.pdf?did=19183&prodName=2SA1721 Description: TRANS PNP 300V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній