2SA1832-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage


2SA1832_datasheet_en_20210706.pdf?did=19185&prodName=2SA1832
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.50 грн
56+5.36 грн
100+3.63 грн
500+2.58 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1832-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 100 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SSM, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: 125°C (TJ), Transistor Type: PNP.

Інші пропозиції 2SA1832-Y,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA1832-Y,LF 2SA1832-Y,LF Toshiba 2SA1832_datasheet_en_20240404-1916312.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 11562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LF 2SA1832_datasheet_en_20240404-1916312.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 11562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.