Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > 2SA1943N(S1,E,S)

2SA1943N(S1,E,S)

2SA1943N.pdf
Код товару: 176753
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-3P
Гранична частота fT, МГц: 30 МГц
Напруга Uке, В: 230 В
Напруга Uкб, В: 230 В
Струм Iк, А: 15 А
у наявності: 100 шт
  • 90 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+141.00 грн
10+127.00 грн
100+114.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2SA1943N(S1,E,S) за ціною від 85.11 грн до 296.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA1943N(S1,E,S) 2SA1943N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943N_datasheet_en_20150512.pdf?did=13908&prodName=2SA1943N Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.61 грн
25+146.79 грн
100+119.54 грн
500+91.70 грн
1000+85.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943N(S1,E,S) 2SA1943N(S1,E,S) Toshiba 367docget.jspdid13908prodname2sa1943n.jspdid13908prodname2sa1943n.pd.pdf Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+296.06 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943N(S1,E,S) 2SA1943N(S1,E,S) TOSHIBA TOSC-S-A0000996475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - 2SA1943N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943N(S1,E,S) 2SA1943N(S1,E,S) Toshiba C4D59FFEFCC77C9321B7549579B59846A115610AA51E5267C4228E52F8AAB5DC.pdf Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943N(S1,E,S) 2SA1943N_datasheet_en_20150512.pdf?did=13908&prodName=2SA1943N
2SA1943N(S1,E,S)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.61 грн
25+146.79 грн
100+119.54 грн
500+91.70 грн
1000+85.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943N(S1,E,S) 367docget.jspdid13908prodname2sa1943n.jspdid13908prodname2sa1943n.pd.pdf
2SA1943N(S1,E,S)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+296.06 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943N(S1,E,S) TOSC-S-A0000996475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1943N(S1,E,S)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1943N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943N(S1,E,S) C4D59FFEFCC77C9321B7549579B59846A115610AA51E5267C4228E52F8AAB5DC.pdf
2SA1943N(S1,E,S)
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.