Інші пропозиції 2SA1943N(S1,E,S) за ціною від 90.49 грн до 255.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SA1943N(S1,E,S) | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SA1943N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 1509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SA1943N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2SA1943N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2SA1943N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 150 W |
товару немає в наявності |