2SA1954-A(TE85L,F)

2SA1954-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage



Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 12V 0.5A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1954-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 12V 0.5A SC-70, Power - Max: 100 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: SC-70, Frequency - Transition: 130MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Operating Temperature: 125°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SA1954-A(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1954-A(TE85L,F) 2SA1954-A(TE85L,F) Виробник : Toshiba Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -12V USM -0.5A -0.03V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.