2SA1955FVBTPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 7.86 грн |
| 42+ | 6.61 грн |
| 100+ | 5.62 грн |
| 500+ | 4.7 грн |
| 1000+ | 4.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1955FVBTPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 12V 0.4A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: VESM, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 100 mW.
Інші пропозиції 2SA1955FVBTPL3Z
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1955FVBTPL3Z | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
|
2SA1955FVBTPL3Z | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 12V 0.4A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: VESM Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 100 mW |
товар відсутній |