Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA1955FVBTPL3Z

2SA1955FVBTPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage

Name: 2SA1955FVBTPL3Z
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 4304091-3
Price: 333.72 UAH
Availability: InStock

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 100 mW

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
27+	12.36 грн
34+	9.60 грн
100+	8.14 грн
500+	6.81 грн
1000+	6.48 грн
2000+	6.17 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SA1955FVBTPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 12V 0.4A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: VESM, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 100 mW.

Інші пропозиції 2SA1955FVBTPL3Z

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	2SA1955FVBTPL3Z	Виробник : Toshiba	Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO	на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
	2SA1955FVBTPL3Z	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PNP 12V 0.4A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: VESM Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 100 mW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.