на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 61+ | 203.33 грн |
| 96+ | 129.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1962-O(Q) Toshiba
Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 130 W.
Інші пропозиції 2SA1962-O(Q)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SA1962-O(Q) | Виробник : Toshiba |
 Trans GP BJT PNP 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
2SA1962-O(Q) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3P Packaging: Tray Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 130 W |
товару немає в наявності |
|
 |
2SA1962-O(Q) | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A |
товару немає в наявності |