2SA1971(TE12L,F)

2SA1971(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1971(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - 2SA1971(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 35MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2SA1971(TE12L,F) за ціною від 12.86 грн до 75.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : TOSHIBA docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971 Description: TOSHIBA - 2SA1971(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.66 грн
500+21.93 грн
1000+17.59 грн
5000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971 Description: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.42 грн
10+39.23 грн
100+25.48 грн
500+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba 2B9920E9FFE5AF0AFB099E5031A6188884CD22E9E20C39703B3E96495D87A6A8.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI IC=-0.5A V=-400
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.64 грн
10+43.49 грн
100+24.57 грн
500+18.91 грн
1000+16.46 грн
2000+14.24 грн
5000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba 12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
274+74.57 грн
524+23.72 грн
543+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 274
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : TOSHIBA docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971 Description: TOSHIBA - 2SA1971(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.57 грн
19+47.14 грн
100+30.66 грн
500+21.93 грн
1000+17.59 грн
5000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba 12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+75.93 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba 12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Виробник : Toshiba 12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.