Технічний опис 2SA1972(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR LSTM MOQ=3000 V=400 PD=0.9W F=35MHZ.
Інші пропозиції 2SA1972(TE6,F,M)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1972(TE6,F,M) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR LSTM MOQ=3000 V=400 PD=0.9W F=35MHZ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA1972(TE6,F,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR LSTM MOQ=3000 V=400 PD=0.9W F=35MHZ
Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR LSTM MOQ=3000 V=400 PD=0.9W F=35MHZ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



