на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 64+ | 195.41 грн |
| 66+ | 187.96 грн |
| 100+ | 181.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1987-O(Q) Toshiba
Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3P, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3PL, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P(L), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 180 W.
Інші пропозиції 2SA1987-O(Q) за ціною від 108.18 грн до 332.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1987-O(Q) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3PPackaging: Bulk Package / Case: TO-3PL Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P(L) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 180 W |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SA1987-O(Q) | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL V=230 PD=180W F=30MHZ |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SA1987-O(Q) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 230V 15A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
2SA1987-O(Q) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 230V 15A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray |
товару немає в наявності |