2SA1987-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 15A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 180 W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 304.00 грн |
| 10+ | 193.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1987-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3P, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3PL, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P(L), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 180 W.
Інші пропозиції 2SA1987-O(Q) за ціною від 114.77 грн до 337.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1987-O(Q) | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL V=230 PD=180W F=30MHZ |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2SA1987-O(Q) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 230V 15A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
2SA1987-O(Q) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 230V 15A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray |
товару немає в наявності |