2SA2056(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 2A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2056(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SA2056(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, TSM, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TSM, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SA2056(TE85L,F) за ціною від 9.79 грн до 52.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SA2056(TE85L,F) | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 625mW 3-Pin TSM T/R |
на замовлення 1951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SA2056(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 2A TSMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V Supplier Device Package: TSM Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 4844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SA2056(TE85L,F) | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 625mW 3-Pin TSM T/R |
на замовлення 1951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SA2056(TE85L,F) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR; TSM; PC=1W; F=100KHZ |
на замовлення 2708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2SA2056(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2056(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, TSM, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TSM Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2SA2056(TE85L,F) | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 625mW 3-Pin TSM T/R |
на замовлення 678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 435 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA2056(TE85L,F) | TOSHIBA |
SOT23/SOT323 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA2056(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 2A 625mW 3-Pin TSM T/R
Trans GP BJT PNP 50V 2A 625mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 438+ | 32.26 грн |
| 693+ | 20.38 грн |
| 926+ | 15.25 грн |
| 1052+ | 12.94 грн |
| 2SA2056(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 2A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS PNP 50V 2A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.98 грн |
| 13+ | 24.27 грн |
| 100+ | 15.45 грн |
| 500+ | 10.94 грн |
| 1000+ | 9.79 грн |
| 2SA2056(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 2A 625mW 3-Pin TSM T/R
Trans GP BJT PNP 50V 2A 625mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 52.43 грн |
| 24+ | 32.04 грн |
| 100+ | 20.25 грн |
| 500+ | 14.61 грн |
| 1000+ | 11.90 грн |
| 2SA2056(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR; TSM; PC=1W; F=100KHZ
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR; TSM; PC=1W; F=100KHZ
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SA2056(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA2056(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, TSM, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSM
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SA2056(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, TSM, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSM
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SA2056(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 2A 625mW 3-Pin TSM T/R
Trans GP BJT PNP 50V 2A 625mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SA2056(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
SOT23/SOT323
SOT23/SOT323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





