| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 715+ | 19.76 грн |
| 741+ | 19.05 грн |
| 1000+ | 18.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2060(TE12L,F) Toshiba
Description: TRANS PNP 50V 2A PW-MINI, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: PW-MINI, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SA2060(TE12L,F) за ціною від 12.31 грн до 66.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA2060(TE12L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PNP 50V 2A PW-MINIPower - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: PW-MINI DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SA2060(TE12L,F) | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD=2.5W F=1MHZ |
на замовлення 2108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SA2060(TE12L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |