Продукція > TOSHIBA > 2SA2060(TE12L,F)
2SA2060(TE12L,F)

2SA2060(TE12L,F) Toshiba


5332sa2060_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2060(TE12L,F) Toshiba

Description: TRANS PNP 50V 2A PW-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V, Supplier Device Package: PW-MINI, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SA2060(TE12L,F) за ціною від 12.86 грн до 71.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA2060(TE12L,F) 2SA2060(TE12L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20447&prodName=2SA2060 Description: TRANS PNP 50V 2A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.57 грн
10+38.74 грн
100+25.15 грн
500+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2060(TE12L,F) 2SA2060(TE12L,F) Виробник : Toshiba 2SA2060_datasheet_en_20131101-1649648.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD=2.5W F=1MHZ
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.52 грн
10+43.83 грн
100+24.72 грн
500+20.89 грн
1000+16.91 грн
2000+14.62 грн
5000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2060(TE12L,F) 2SA2060(TE12L,F) Виробник : Toshiba 5332sa2060_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2060(TE12L,F) 2SA2060(TE12L,F) Виробник : Toshiba 5332sa2060_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2060(TE12L,F) 2SA2060(TE12L,F) Виробник : Toshiba 5332sa2060_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2060(TE12L,F) 2SA2060(TE12L,F) Виробник : Toshiba 5332sa2060_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2060(TE12L,F) 2SA2060(TE12L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20447&prodName=2SA2060 Description: TRANS PNP 50V 2A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.