Продукція > TOSHIBA > 2SA2060(TE12L,ZF)

2SA2060(TE12L,ZF) Toshiba

5332sa2060_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Виробник: Toshiba
Transistor Silicon PNP Epitaxial Type
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2060(TE12L,ZF) Toshiba

Description: TRANS PNP 50V 2A PW-MINI, Packaging: Box, Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V, Supplier Device Package: PW-MINI, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SA2060(TE12L,ZF)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA2060(TE12L,ZF) 2SA2060(TE12L,ZF) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2060_datasheet_en_20131101.pdf?did=20447&prodName=2SA2060 Description: TRANS PNP 50V 2A PW-MINI
Packaging: Box
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.