2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR TSM MOQ=30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
Description: PB-F POWER TRANSISTOR TSM MOQ=30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR TSM MOQ=30, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Supplier Device Package: TSM, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції 2SA2061(TE85L,F) за ціною від 6.86 грн до 35.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA2061(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SA2061(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER TRANSISTOR TSM MOQ=30 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: TSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SA2061(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TSM PD=1W F=1MHZ |
на замовлення 4165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SA2061(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2SA2061(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R |
товар відсутній |