Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SA2061(TE85L,F)
2SA2061(TE85L,F)

2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=20449&prodName=2SA2061
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 20V 2.5A TSM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 20V 2.5A TSM, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2SA2061(TE85L,F) за ціною від 10.61 грн до 44.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA2061(TE85L,F) 2SA2061(TE85L,F) Toshiba 2sa2061_datasheet_en_20131101.pdf Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.54 грн
100+21.87 грн
500+15.79 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2061(TE85L,F) 2SA2061(TE85L,F) Toshiba 2sa2061_datasheet_en_20131101.pdf Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+34.78 грн
641+22.02 грн
856+16.49 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2061(TE85L,F) 2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20449&prodName=2SA2061 Description: TRANS PNP 20V 2.5A TSM
Supplier Device Package: TSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.07 грн
12+26.06 грн
100+16.67 грн
500+11.84 грн
1000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2061(TE85L,F) 2SA2061(TE85L,F) Toshiba A1FCEC0EE18BCD7FB67E6EC44585D1C1C9E908A60504E7D662144E399EDB70C8.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TSM PD=1W F=1MHZ
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2061(TE85L,F) 2sa2061_datasheet_en_20131101.pdf
2SA2061(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+34.54 грн
100+21.87 грн
500+15.79 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2061(TE85L,F) 2sa2061_datasheet_en_20131101.pdf
2SA2061(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
406+34.78 грн
641+22.02 грн
856+16.49 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2061(TE85L,F) docget.jsp?did=20449&prodName=2SA2061
2SA2061(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 20V 2.5A TSM
Supplier Device Package: TSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.07 грн
12+26.06 грн
100+16.67 грн
500+11.84 грн
1000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2061(TE85L,F) A1FCEC0EE18BCD7FB67E6EC44585D1C1C9E908A60504E7D662144E399EDB70C8.pdf
2SA2061(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TSM PD=1W F=1MHZ
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.