2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 20V 2.5A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.98 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 20V 2.5A TSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Supplier Device Package: TSM, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції 2SA2061(TE85L,F) за ціною від 10.58 грн до 43.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SA2061(TE85L,F) | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SA2061(TE85L,F) | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SA2061(TE85L,F) | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SA2061(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 20V 2.5A TSMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: TSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SA2061(TE85L,F) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TSM PD=1W F=1MHZ |
на замовлення 3894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA2061(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 34.85 грн |
| 100+ | 22.07 грн |
| 500+ | 15.94 грн |
| 1000+ | 13.06 грн |
| 2SA2061(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 406+ | 35.09 грн |
| 641+ | 22.22 грн |
| 856+ | 16.64 грн |
| 1000+ | 14.21 грн |
| 2SA2061(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 396+ | 35.97 грн |
| 758+ | 18.79 грн |
| 1000+ | 17.47 грн |
| 2000+ | 15.38 грн |
| 2SA2061(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 20V 2.5A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS PNP 20V 2.5A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.97 грн |
| 12+ | 26.00 грн |
| 100+ | 16.63 грн |
| 500+ | 11.81 грн |
| 1000+ | 10.58 грн |
| 2SA2061(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TSM PD=1W F=1MHZ
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TSM PD=1W F=1MHZ
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



