2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 20V 2.5A TSM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 625 mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 20V 2.5A TSM, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції 2SA2061(TE85L,F) за ціною від 8.30 грн до 46.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SA2061(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 20V 2.5A TSMSupplier Device Package: TSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Part Status: Active |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SA2061(TE85L,F) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TSM PD=1W F=1MHZ |
на замовлення 3894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| 2SA2061(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 20V 2.5A TSM
Supplier Device Package: TSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
Description: TRANS PNP 20V 2.5A TSM
Supplier Device Package: TSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.93 грн |
| 13+ | 25.22 грн |
| 100+ | 16.11 грн |
| 500+ | 11.44 грн |
| 1000+ | 10.25 грн |
| 2SA2061(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TSM PD=1W F=1MHZ
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TSM PD=1W F=1MHZ
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 46.60 грн |
| 12+ | 28.47 грн |
| 100+ | 15.82 грн |
| 500+ | 11.96 грн |
| 1000+ | 10.76 грн |
| 3000+ | 9.14 грн |
| 6000+ | 8.30 грн |


